拓荆科技

拓荆科技 – 引领 PECVD 设备国产化

最早接触拓荆科技是在2012年，位于沈阳市，那时候是因为找诺发的PECVD才遇上拓荆，当年拓荆拿了诺发CVD的核心配件授权，就像国内造车厂买了国外的发动机和离合器一样。可以没几年诺发取消了授权，好像把自己卖给了应用材料。但是拓荆在政府那也是有课题承担，在12寸CVD设备上承接了国家很多资金。今年也在准备IPO上市。

PECVD 设备为公司主要收入来源，研发持续投入。拓荆科技多年来致力于高端半导体设备的研 发、生产、销售和技术服务，已成为国家高新技术代表企业之一。目前公司主要专注于薄膜沉积 设备，其产品包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常 压化学气相沉积（SACVD）设备三大系列，已广泛适用于国内 14nm 及以上制程集成电路制造产 线，并持续加强 10nm 及以下先进制程产品的验证与测试。2020 年，公司实现营业收入 4.36 亿 元，同比大幅增长 73%，毛利率 34%。其中，PECVD 设备营收为 4.18 亿元，是公司主要收入来 源；ALD 和 SACVD 设备分别为 184 万元、867 万元。公司近年来持续强化产品研发投入，2020 年研发费用为 1.23 亿元，占营业收入比 28%。

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拓荆科技是国内唯一产业化应用集成电路 PECVD 设备的厂商。公司该系列设备最大优势是在满 足工艺需求前提下拥有较低的客户综合使用成本，目前适用于 180-14nm 逻辑芯片、19/17nm DRAM、64/128 层 FLASH 制造等领域，可沉积 SiO2、SiN、SiON、BPSG 等多种材料。其中， 公司 12 英寸 PECVD 设备 PF-300T 和 8 英寸 PECVD 设备 PF-200T 均已实现产业化应用。2020 年公司生产 PECVD 设备 50 台，销售 31 台；2021Q1 PECVD 设备量产和销量分别为 14 台、4 台，为公司主要销售产品。

拓荆科技 ALD 设备成膜反应时间短，反应气体使用量少，可精准控制薄膜颗粒数及均厚度。目 前，公司 12 英寸 PEALD 设备 FT-300T 已实现产业化应用，可沉积 SiO2 和 SiN 材料薄膜，广泛 应用于国内 55-14nm 逻辑芯片制造、55-40nm BSI 工艺的晶圆制造、2.5D、3D TSV 等先进封装 领域。2020 年公司 ALD 设备产量 1 台。同时，公司正在研发 12 英寸 Thermal ALD 设备来满足 28nm 以下芯片制造所需，并可沉积 Al2O3、AlN 等多种金属化合物材料。

公司亦是国内唯一一家实现 SACVD 设备产业化应用的厂商。该系列设备沟槽填充能力卓越，填 充速率快，大幅度提高了使用效率。公司拥有 12 英寸 SACVD 设备 SA-300T 和 8 英寸 SACVD 设 备 SA-200T 两大设备，可沉积 BPSG、SAF 等介质薄膜材料，主要适用于 STI、ILD 工艺的晶圆 制造。公司 2020 年量产 SACVD 设备 3 台，销售 1 台；2021Q1 设备产量为 2 台。