电源到元件间的叫上拉电阻,作用是平时使该脚为高电平地到元件间的叫下拉电阻,作用是平时使该脚为低电平;
上拉是对器件注入电流,下拉是输出电流;弱强只是上拉电阻的阻值不同,没有什么严格区分;对于非集电极(或漏极)开路输出型电路(如普通门电路)提升电流和电压的能力是有限的,上拉电阻的功能主要是为集电极开路输出型电路输出电流通道。
提高电压准位:a.当TTL电路驱动COMS电路时,如果TTL电路输出的高电平低于COMS电路的最低高电平(一般为3.5V), 这时就需要在TTL的输出端接上拉电阻,以提高输出高电平的值。b.OC门电路必须加上拉电阻,以提高输出的搞电平值。
加大输出引脚的驱动能力,有的单片机管脚上也常使用上拉电阻。
N/A pin防静电、防干扰:在COMS芯片上,为了防止静电造成损坏,不用的管脚不能悬空,一般接上拉电阻产生降低输入阻抗, 提供泄荷通路。同时管脚悬空就比较容易接受外界的电磁干扰。
电阻匹配,抑制反射波干扰:长线传输中电阻不匹配容易引起反射波干扰,加上下拉电阻是电阻匹配,有效的抑制反射波干扰。
预设空间状态/缺省电位:在一些 CMOS 输入端接上或下拉电阻是为了预设缺省电位. 当你不用这些引脚的时候, 这些输入端下拉接 0 或上拉接 1。在I2C总线等总线上,空闲时的状态是由上下拉电阻获得;
提高芯片输入信号的噪声容限:输入端如果是高阻状态,或者高阻抗输入端处于悬空状态,此时需要加上拉或下拉,以免收到随机电平而影响电路工作。同样如果输出 端处于被动状态,需要加上拉或下拉,如输出端仅仅是一个三极管的集电极。从而提高芯片输入信号的噪声容限增强抗干扰能力。
从节约功耗及芯片的灌电流能力考虑应当足够大;电阻大,电流小。 从确保足够的驱动电流考虑应当足够小;电阻小,电流大。 对于高速电路,过大的上拉电阻可能边沿变平缓。
gpio type 中断,如果是高电平触发,我觉得要使用下拉电阻,将电平钳制在低电平。 如果是低电平触发,我觉得要使用上拉电阻,将电平钳制在高电平;
上拉电阻(或者下拉电阻)不能太大,也不能太小,应该被设计成一个适当的值,让电路可以正常的工作。上拉(或者下拉)可能是chip内,也可能是chip外的;
如果gpio中断内部使用了下拉电阻,如果外部在使用下拉电阻,会使pin脚的输入电阻变低,有可能高电平信号拉不起来。
GPIO常常可以设置为输出和输入;在配置GPIO管脚的时候,常会见到两种模式:开漏(open-drain,漏极开路)和推挽(push-pull);
这里先熟悉下什么是mos管:MOS管,即绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体,常用做开关元件;G:gate 栅极,S:source 源极;D:drain 漏极;
工作原理:NMOS的特性,Vgs(栅极电压)大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到一定电压(如4V或10V, 其他电压,看手册)就可以了。
PMOS的特性,Vgs(栅极电压)小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,价格贵,替换种类少等原因,在高端驱动中,通常还是使用NMOS。
输出的器件是指输出脚内部集成有一对互补的MOSFET,当Q1导通、Q2截止时输出高电平;而当Q1截止导通、Q2导通时输出低电平。Push-Pull输出,实际上内部是用了两个晶体管(transistor),此处分别称为Top-Transistor和Bottom-Transistor。通过开关对应的晶体管,输出对应的电平。Top-Transistor打开(Bottom-Transistor关闭),输出为高电平;Bottom-Transistor打开(Top-Transistor关闭),输出低电平。除非Push-pull需要支持额外的高阻抗状态,否则不需要额外的上拉电阻。
特点:
Push-pull即能够漏电流(sink current),又可以集电流(source current);
push-pull的高低电平由IC的电源决定,不能简单的做逻辑操作;
开漏电路就是指以MOSFET的漏极为输出的电路。指内部输出和地之间有个N沟道的MOSFET(Q1),这些器件可以用于电平转换的应用。输出电压由Vcc决定。Vcc可以大于输入高电平电压VCC1(call UP-Translate)也可以低于输入高电平电压VCC(call Down-Translate);
特点:
Open-drain只能够漏电流(sink current),如果想要集电流(source current),则需要加一个上拉电阻。
可以将多个开漏输出的Pin脚,连接到一条线上,形成“与逻辑”关系,即“线与”功能,任意一个变低后,开漏线上的逻辑就为0了。这也是I2C,SMBus等总线判断总线占用状态的原理;
利用 外部电路的驱动能力,减少IC内部的驱动。当IC内部MOSFET导通时,驱动电流是从外部的VCC流经R pull-up ,MOSFET到GND。IC内部仅需很小的栅极驱动电流。
可以利用改变上拉电源的电压,改变传输电平,如图, IC的逻辑电平由电源Vcc1决定,而输出高电平则由Vcc2决定。这样我们就可以用低电平逻辑控制输出高电平逻辑了;
标准的开漏脚一般只有输出的能力。添加其它的判断电路,才能具备双向输入、输出的能力。
缺点:开漏Pin不连接外部的上拉电阻,则只能输出低电平;
常见的GPIO的模式可以配置为open-drain或push-pull,具体实现上,常为通过配置对应的寄存器的某些位来配置为open-drain或是push-pull。当我们通过CPU去设置那些GPIO的配置寄存器的某位的时候,其GPIO硬件IC内部的实现是,会去打开或关闭对应的top transistor。相应地,如果设置为了Open-D模式的话,是需要上拉电阻才能实现,也能够输出高电平的。因此,如果硬件内部(internal)本身包含了对应的上拉电阻的话,此时会去关闭或打开对应的上拉电阻。如果GPIO硬件IC内部没有对应的上拉电阻的话,那么你的硬件电路中,必须自己提供对应的外部(external)的上拉电阻。而push-pull输出的优势是速度快,因为线路是以两种方式驱动的。而带了上拉电阻的线路,即使以最快的速度去提升电压,最快也要一个常量的R×C的时间。其中R是电阻,C是寄生电容(parasitic capacitance),包括了pin脚的电容和板子的电容。但是,push-pull相对的缺点是往往需要消耗更多的电流,即功耗相对大。而open-drain所消耗的电流相对较小,由电阻R所限制,而R不能太小,因为当输出为低电平的时候,需要sink更低的transistor,这意味着更高的功耗。而open-drain的好处之一是,允许你short多个open-drain的电路,共用一个上拉电阻,此种做法称为wired-OR连接,此时可以通过拉低任何一个IO的pin脚使得输出为低电平。为了输出高电平,则所有的都输出高电平。此种逻辑,就是“线与”的功能,可以不需要额外的门电路来实现此部分逻辑。