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长江存储高层变动:原CEO杨士宁升任常务副董,董事长陈南翔兼任CEO

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芯智讯
发布于 2022-10-28 07:46:45
发布于 2022-10-28 07:46:45
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9月30日消息,据业内消息显示,国内唯一的3D NAND Flash闪存制造厂商长江存储近日发生高层人事变动,杨士宁博士因个人原因辞去公司总裁(CEO),经公司第一届董事会第45 次会议审议批准,选举杨士宁博士为公司常务副董事长,聘任董事长陈南翔博士兼任代理总裁。

资料显示,杨士宁出生于1959年8月,并于1981年获得上海科学技术大学(现上海大学)电子仪器及测量技术专业学士学位。大学毕业后,杨士宁选择前往美国留学,后获得美国伦斯勒理工学院物理学专业硕士学位、材料工程学专业博士学位。据悉,伦斯勒理工学院是美国知名的理工大学,2021QS全美大学排名中居第53位,在2016年USNews美国大学排行榜上,伦斯勒理工学院排第41名,杨士宁博士可谓是不折不扣的学霸。

△杨士宁

杨士宁不仅学历突出,其过往履历也非常亮眼,他先后在多家知名芯片公司担任核心技术高管,在技术研发领域贡献颇多。杨士宁最早在芯片巨头英特尔公司担任逻辑技术资深总监,有十多年的工作经验,后又加盟全球第四大芯片代工厂特许半导体(现为Global Foundries)担任首席技术官及运营资深副总裁。由于特许半导体被阿布扎比(Globalfoundries)收购,2010年2月1日,杨士宁选择进入国内最大的芯片代工企业——中芯国际,正式出任首席运营官,但仅仅一年就离开。

杨士宁在2013年加入武汉新芯担任CEO,但随着紫光集团控股,他的职位也相继发生变动,于2016年成为长江存储CEO。不过,无论是武汉新芯还是长江存储,都是紫光集团旗下的子公司。

杨士宁接手长江存储以来,带领公司在3D NAND闪存领域屡创佳绩,从32层技术切入到 64 层芯片成功研发,提出独步全球的 Xtacking 技术,再到128层闪存芯片达到世界先进水平,作为团队核心的杨士宁功不可没。

值得一提的是,今年8月,长江存储在2022年闪存峰会(FMS)上宣布,正式推出了基于晶栈®3.0(Xtacking®3.0)技术的第四代TLC三维闪存X3-9070。消息显示,该3D NAND闪存堆叠层数已经达到了业界领先的232层。

今年,长江存储还成功打入了苹果iPhone 14系列供应链,为iPhone 14系列供应NAND闪存。

陈南翔于2021年5月加入长江存储,出任长江存储执行董事长。在此加盟长江存储之前,陈南翔曾担任紫光集团联席总裁、华润微电子常务副董事长等职务。

△陈南翔

资料显示,陈南翔先生,1961年生,中国国籍,无境外长期居留权,北京师范大学低能核物理研究所离子束物理与集成电路应用专业博士。陈先生于1989年至1992年期间任北京大学计算机科学技术系讲师;于1992年至1994年期间任德国Fraunhofer协会集成电路技术研究所洪堡基金会研究学者;于1994年至1995年期间任德国Max-Planck协会微结构研究所高级客座科学家;于1995年至2002年期间任美国加州硅谷Supertex,Inc技术与研发部主管;于2002年至2008年期间历任华润微电子(控股)有限公司副总经理、董事;于2004年至2008年期间任无锡华润晶芯半导体有限公司总经理;于2008年至2016年期间任发行人副总经理;于2013年至2014年期间兼任华润微电子研发中心总经理;此后至2020年8月担任华润微电子常务副董事长;2020年9月担任紫光集团联席总裁;此外,陈南翔还是中国半导体行业协会副理事长、中国集成电路产业创新联盟副理事长。

编辑:芯智讯-林子

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