参数	描述
Reverse Stand-off Voltage 反相切断电压VRWM	反向电压小于VRWM时TVS管截止，此时TVS管如开路一样
Reverse current 反向电流IR	对应VRWM的电流，流过TVS管的反相电流应小于IR
Reverse Break Down Voltage 反相击穿电压VBR	电压高于VBR时才会击穿，击穿意味着TVS管导通了
Reverse Current 击穿电流IT	对应VBR的电流为IT
Reverse Clamping Voltage 反相钳位电压VC	TVS管导通后的电压
Peak Impulse Surge Current 浪涌电流IPP	对应VC的电流为IPP

以5.0SMDJ12A为例进行说明。

图 1‑2 5.0SMDJ12A参数

上图中的VR=12.0V，VR就是上面表格中的VRWM，说明反向电压小于12.0V时，TVS不起作用，因为TVS管都是反着接的，所以正常情况下，TVS管跨接的电路的电压应小于VRWM，这是选型时的一个重要参数，三个电压参数中最小值就是VRWM。

反相击穿电压VBR=13.30V~14.70V，当电路电压高于14.70V，TVS被击穿，此时开始发挥TVS管的作用。

反相钳位电压VC=19.9V，是TVS管导通后被钳位的电压，如果工作电压恢复则钳位作用消失，否则保持钳位状态。

为便于记忆，首先知道二极管的电压参数共3个：VR,VBR和VC，当看到手册中的三个电压参数，将它们从小到大依次排列：12.0V，13.30~14.70V，19.9V就可以知道以下事情：

小于12.0V，TVS管不起作用；大于14.7V，TVS管开始发挥作用，发挥完毕，电压钳位在19.9V。

1）Vnormal应 ≤ VRWM（三个电压参数中的最小值）

2）确保钳位电压VC（三个电压参数中的最大值）<Vmax 因此，在选型时先确定正常工作电压Vnormal和极限工作电压Vmax，只要Vnormal小于三个电压参数中的最小值且Vmax大于三个电压参数中的最大值就可以。

双向TVS用于交流电或来自正负双向脉冲的场合，比如RS232。

如果电路只有正向电平信号，那么单向TVS就足够了。

2. 环流二极管Catch diode

开关电源中使用的二极管称为环流二极管，又称为flyback diode（续流二极管）。

图 2‑1 开关电源中的环流二极管

当开关断开时，为电感电流提供传导路径，具体请参考书籍《精通开关电源设计》。

3. 稳压二极管（齐纳二极管）

齐纳二极管就是稳压二极管，以BZX384-B16为例。

反向电压高于VZ稳压在VZ，低于VZ截止。

表 3‑1 齐纳二极管BZX384-B16参数

参数	描述	备注
Forward voltage 前向电压，VF	0.9V~1.1V
Reverse current 反向电流IR	50nA	VR=0.7VZnom时测得的反向电流
Working voltage 工作电压VZ	15.7V~16.3V	反向电压高于VZ稳压在VZ，低于VZ截止，即稳压值
Differential resistance 差分阻抗	50Ω~200Ω
Temperature coefficient 温度系数	12.4mV/K
Diode CAP(pF) 二极管电容	75pF(at f=1KHz,VR=0V)
Non-repetitive peak reverse current IZSM(A)	1.5A	At tp=100us, Tamb=25℃

图 3‑1 稳压二极管（齐纳二极管）曲线

图 4‑1 肖特基二极管曲线

肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。

SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其应用范围。

以B540C-13-F为例进行说明。

图 4‑2 B540C-13-F二极管参数

图 4‑3 B540C-13-F二极管极限参数

开关电源中使用的就是肖特基二极管，属于环流二极管。

开关二极管由导通变为截止的时间（反向恢复时间），以及由截止变为导通的时间（开通时间）比一般二极管短，势垒电容小，高频条件下的表现好，广泛应用于电子设备的开关电路、检波电路、高频和脉冲整流电路及自动控制电路中。

以BAS16W为例说明。

表 1‑3 开关二极管BAS16W参数

参数	描述	备注
Forward voltage 前向电压VF	1V(IF=50mA)
Reverse Current IR，反向电流	30nA(VR=25V)
Diode capacitance 二极管电容	1.5pF(f=1MHz, VR=0)	用在高速信号上时，尽量选择结电容小的二极管
Reverse recovery time 反向恢复时间	4ns	因为反向恢复时间大于开通时间，所以只给出前者
Forward recovery voltage 正向恢复电压	1.75V	从反向电流向正向电流瞬时转换后的电压