英诺赛科赴港IPO：三年亏损67亿元，被英飞凌等起诉专利侵权！

全球氮化镓功率半导体龙头，累计出货量超过5亿颗

根据招股书显示，英诺赛科成立于2015年12月，其是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业，公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，主要产品涵盖从低压到高压（15V-1200V）的氮化镓功率器件。截至2023年12月31日，公司在全球有约700项专利及专利申请，涵盖芯片设计、器件结构、晶圆制造、封装及可靠性测试等关键领域。

英诺赛科表示，其是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司，在8英寸硅基氮化镓核心技术和关键工艺领域实现了重大突破。相较于6英寸硅基氮化镓晶圆，英诺赛科的8英寸量产技术使晶圆晶粒产出数增加80%，单一器件成本降低30%。同时，英诺赛科还是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。

具体来看，在2023年，英诺赛科氮化镓晶圆总产能为9.27万片，产量为6.66万片左右，产能利用率为71.8%。其中，苏州工厂2023年产能为4.8万片/年，产量为4.13万片左右，产能利用率为86%；珠海工厂2023年产能为4.47万片，产量为2.5万片左右，产能利用率为56.5%。

截至2023年12月31日，英诺赛科拥有全球最大的氮化镓功率半导体产能，月产能高达10000片晶圆，晶圆良率超过95%。

目前英诺赛科设计、开发及制造提供不同封装选择的高性能及可靠的氮化镓分立器件，已经广泛用于各种低中高压应用场景，产品研发范围覆盖15V至1200V。

从应用端来看，英诺赛科的氮化镓产品已在激光雷达、数据中心、5G通讯、高密度高效快速充电、无线充电、车载充电器、LED灯照明驱动等方面发布产品方案，并与国内多家应用头部企业开展深度合作，实现量产。

根据弗若斯特沙利文的资料显示，按收入统计，英诺赛科于2023年在全球所有氮化镓功率半导体公司中排名第一。该公司2023年收入为5.93亿元，占氮化镓功率半导体行业市场份额的33.7%。截至2023年12月31日，以折算氮化镓分立器件计，公司累计出货量超过5亿颗。

招股书还显示，英诺赛科在IPO之前总融资额突破60亿元。在英诺赛科2024年4月的E轮融资中，武汉高科与东方富兴斥资6.5亿元入股，认购了2.77%的股份，对于英诺赛科的估值已经达到了235亿元。

近三年累计亏损67亿元

招股书显示，2021年、2022年及2023年，英诺赛科实现收入分别是6821.5万元、1.36亿元、5.93亿元，呈现持续倍增态势；同期分别亏损34亿元、22.05亿元、11.02亿元，累计亏损额约67亿元；经调整净亏损分别为10.81亿元、12.77亿元和10.16亿元，合计亏损33.74亿元。经营活动所用现金净额分别是5.62亿元、9.36亿元、5.94亿元；年末现金及现金等价物分别为12.79亿元、7.11亿元、3.29亿元。

从收入的区域来源看，2023年英诺赛科境外销售收入5800万元，占同期总收入的9.8%，境内销售收入占比高达90.2%。累计向约100名境内外客户提供了氮化镓产品。

从前五大客户贡献的营收占比看，2021年、2022年及2023年，来自公司最大客户的收入分别为0.22亿元、0.14亿元、1.9亿元，占其同期总收入的32.7%、10.2%及32.1%；来自公司五大客户的总收入分别占其同期总收入的63.5%、39.7%及56.3%。显示对于前五大客户的依赖程度并不算高。

对于近三年持续亏损的原因，英诺赛科称，主要是由于生产设备大幅折旧、大额研发开支、销售及营销开支的不断增加导致。

招股书也显示，2021年至2023年，英诺赛科的销售成本快速增长态势，分别达到了2.5亿元、5.3亿元、9.55亿元；英诺赛科的销售及营销开支也在快速增长，分别达到了2840万元、6930万元和9010万元；相比之下，研发开支持续降低，分别为6.62亿元、5.81亿元、3.49亿元。

对于研发开支有所减少的问题，英诺赛科解释称，主要是公司自2022年第二季度起，从研发阶段进展至大规模生产阶段。招股书显示，在初步研发阶段，公司已分配大量资源来开发专有技术，包括8英吋硅基氮化镓晶圆生产及设计技术，经验证后，该等技术有望产生长期成果。随着不断完善技术及流程以及扩大产能，研发投资开始转化为日益增长的商业成功。

英诺赛科预计，不久将来通过持续收入增长、规模经济增长及经营杠杆有所改善下提高财务表现及实现盈利。后续，计划采取推动全球氮化镓生态发展并提升市场渗透率、扩大氮化镓产品组合及客户群、加大产能扩张、持续研发并夯实技术壁垒及实施全球化战略等战略。

拟募资扩大氮化镓产能

此次港股IPO募资，英诺赛科拟将募资中约50%用于扩大8英寸氮化镓晶圆产能、购买及升级生产设备及机器及招聘生产人员；约17%用于偿还银行贷款；约15%用于研发及扩大产品组合，以提高终端市场（如消费电子、可再生能源及工业应用、汽车电子及数据中心）中氮化镓产品的渗透率；约8%用于扩大氮化镓产品的全球分销网络；约10%用于营运资金及其他一般公司用途。

英诺赛科认为，随着公司业务及收入增长，其预期将受惠于规模经济增长，继而令毛利及毛利率显著改善，“预计我们的毛利率将在不久的将来显著改善并实现正毛利”。

英诺赛科指出，随着产品出货量增加及规模经济增长，折旧（作为固定成本是销售成本的重大部分）按每件产品的出货成本计预计将大幅摊薄；公司亦预计其运营成本（主要包括封装及测试、材料及能源）占收入的比例将继续得到优化。

英诺赛科还计划提高经营杠杆，将有效管理开支占总收入的百分比，并预期通过规模经济效益及增强经营杠杆来提高利润率。“随着我们扩大业务规模、规模经济增长、提高经营杠杆及更有效管理营运资金，我们预期经营现金流入净额将进一步改善，将在不久将来实现经营现金流入。”

骆薇薇控制了约34.47%的股权

招股书显示，目前，英诺赛科的创始人、董事长及执行董事骆薇薇，其直接持股比例为5.9%，间接持股比例为23.1%。骆薇薇、InnoHolding、英诺芯、InnoHK、英诺优朋和芯生大鹏共同组成控股股东集团。

骆薇薇通过作为InnoHolding的控制人，其持有公司约10.31%的权益；其为英诺芯的最终普通合伙人，持有公司约3.95%的权益；通过作为InnoHK控制人，其持有公司约3.37%的权益；通过作为英诺优朋的最终普通合伙人，其持有公司约4.19%的权益；及通过作为芯生大鹏的普通合伙人，其持有公司1.28%的权益。

此外，根据骆薇薇及执行董事JayHyungSon于2021年10月15日约定的投票权安排，JayHyungSon同意（其中包括）就彼直接及间接拥有或将拥有的公司及InnoHolding股份权益所附带投票权利的一切过往及未来行动，一直并将继续根据骆薇薇的指示行事。在公司及InnoHolding股东大会上提呈任何建议或行使任何投票权前，JayHyungSon一直并将有责任征询骆薇薇的意见，并根据骆薇薇所表达的意见通过投票权安排所概述的特定沟通渠道行使其股东权利。因此，截至本文件日期，骆薇薇亦被视作拥有JayHyungSon持有的公司已发行股本总额中5.47%权益。

也就是说，骆薇薇通过直接、间接持股，以及约定的投票权安排，控制了英诺赛科约34.47%的股权权益。

被英飞凌等起诉专利侵权

英诺赛科在招股书中提到，通过长期致力于研发，英诺赛科在8英吋硅基氮化镓工艺技术方面占据市场领先地位。截至2023年底，公司拥有397名研发人员。公司在全球有约700项专利和专利申请，涵盖芯片设计、器件结构、晶圆制造、封装及可靠性测试等关键领域。

不过，招股书显示，英诺赛科正面临两名竞争对手针对其若干产品潜在知识产权侵权提出的三项诉讼。目前，这三项诉讼事项仍处于相对较早阶段，若判决不利，公司可能会被禁止上产或销售侵权产品、或责令支付金钱赔偿。

据相关媒体报道显示，2023年氮化镓(GaN)公司Effcient Power Conversion(EPC)向加州地区法院以及美国国际贸易委员会提起诉讼，称英诺赛科侵犯了其四项专利，涵盖了EPC专有的增强型氮化镓(GaN)功率半导体器件的设计和大批量制造工艺的核心方面。

英诺赛科随后发布声明，称EPC对比英诺赛科从商业规模、业务范围到技术实力上都差距悬殊，其由个别员工工作变动而幻想出的技术抄袭清洁属臆想行为，没有事实依据。

今年3月，英飞凌在其官网发布消息称，为防止自己拥有的与氮化镓(GaN)技术相关的美国专利收到侵犯，对英诺赛科提起诉讼，且正在寻求永久禁令。涉及起诉的专利权利要求涵盖了氮化镓(GaN)功率半导体器件的核心方面，其中包括可实现英飞凌专有的氮化镓(GaN)器件可靠性和性能的创新。