Intel 3 制程详解：性能相比Intel 4 提升18%！

6月20日消息，据Tom's hard ware报道，当地时间周三，处理器大厂英特尔宣布其 3nm 级制程工艺技术“Intel 3”已在两个工厂投入大批量生产，并提供了有关新的制程节点更多细节信息。

据介绍，Intel 3 带来了更高的性能和更高的晶体管密度，并支持 1.2V 电压，相比Intel 4 采用了更多的EUV步骤，带来了18%的性能提升，适用于超高性能应用。该节点面向英特尔自己的产品以及代工客户。它还将在未来几年内还将会推出Intel 3-T、Intel 3-E、Intel 3P-T等多个演进版本。

英特尔代工技术开发副总裁 Walid Hafez 表示：“我们基于Intel 3 制程的处理器正在美国俄勒冈州工厂和爱尔兰工厂进行大批量生产，其中就包括最近推出的面向服务器的Xeon 6 ‘Sierra Forest’和‘Granite Rapids’处理器。”

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英特尔一直将其Intel 3 制程工艺定位于数据中心应用，这些应用需要通过改进的晶体管（与Intel 4 相比）、具有降低的晶体管通孔电阻的供电电路以及设计协同优化来实现尖端性能。该工艺节点支持 <0.6V 低压、以及 >1.3V 高压以实现最大负载。

在性能方面，英特尔承诺，与Intel 4 相比，Intel 3将在相同功率和晶体管密度下实现 18% 的性能提升，这个提升幅度已经是比较大了。要知道台积电N3制程相比N3也只提升了15%左右。

虽然Intel 3的Contacted Poly Pitch（接触孔的多晶硅栅极间距）、Fin Pitch、M0间距参数基本一致，芯片设计人员针对Intel 3 使用了 240nm 高性能和 210nm 高密度库的组合，另外M2间距和M4间距均减少了2nm，从而提升了整体的密度和性能。

此外，英特尔客户可以在三种金属堆栈之间进行选择：14 层（成本优化）、18 层（性能和成本之间的最佳平衡）以及 21 层（性能更高）。

目前，英特尔将使用其 3nm 级工艺技术来制造其 Xeon 6 处理器数据中心处理器。最终，英特尔代工厂也将利用该生产节点为其它客户制造数据中心级一类的高性能处理器。

另外，正如前面所指出的，除了基础版的Intel 3制程，英特尔还将提供支持硅通孔并可用作基础芯片的Intel 3-T。后续英特尔还将为芯片组和存储应用提供功能增强型Intel 3-E。此外还有性能增强型Intel 3-PT，增加了9um间距TSV和混合键合，对晶体管堆叠技术进行优化，据说Intel 3-PT可以再度实现5%的性能提升，可以用于各种工作负载，例如 AI/HPC 和通用计算。

编辑：芯智讯-浪客剑