SK海力士领先全球量产12层堆叠HBM3E

9月26日，韩国存储芯片大厂SK海力士宣布，率先业界开始量产12层堆叠的HBM3E內存，达成了现有HBM产品中最大36GB容量的目标。

SK海力士表示，高带宽內存（HBM）是一种高附加值、高性能的內存。与现有的DRAM产品相比，通过垂直互联多个DRAM芯片，使数据处理速度显著提高。该产品按照HBM第1代（HBM）-第2代（HBM2）-第3代（HBM2E）-第4代（HBM3）-第5代（HBM3E）的顺序开发，HBM3E是HBM3的扩展版。

SK海力士指出，现有的HBM3E最大容量为24GB，由8颗3GB DRAM芯片垂直堆叠而成，公司将在2024年底前向客户提供相关产品，这是继2024年3月在业界率先向客户供应8层堆叠HBM3E內存之后，仅时隔6个月再次展现出其压倒性的技术实力。

SK海力士强调，自2013年全球首次推出第一代HBM（HBM1）內存，到先前推出第五代HBM（HBM3E）之后，公司是唯一一家开发完成，并能向市场供应全系列HBM产品的企业。SK海力士率先成功量产12层堆叠的产品，在针对AI的內存所需要的速度、容量、稳定性等所有方面都已达到全球最高水准，不仅满足了AI企业日益发展的需求，同时也进一步巩固了SK海力士在针对AI的內存市场的领导者地位。

SK海力士进一步指出，该新产品的运行速度提高至现有內存的最高速度9.6Gbps，其是在以搭载四个HBM的单个GPU运行大型语言模型（LLM）Llama 3 70B时，每秒可读取35次700亿个整体参数的水准。而堆叠12颗3GB DRAM芯片，达成与现有的8层堆叠产品相同的厚度，同时容量提升50%。为此，SK海力士还将单个DRAM芯片制造得比以前薄40%，并采用硅通孔技术（TSV）技术垂直堆叠。

此外，SK海力士也解决了在将变薄的芯片堆叠更多时产生的结构性问题。公司将其核心技术先进MR-MUF技术应用到此次产品中，放热性能较上前一代提升了10%，并增强了控制翘曲问题，从而确保了稳定性和可靠性。

SK海力士AI Infra业务社长金柱善表示，“我们再次突破了技术壁垒，证明了我们在面向AI的內存市场中独一无二的主导地位。为了迎接AI时代的挑战，我们将稳步准备下一代內存产品，以巩固全球顶级针对AI的內存供应商的地位。”