国产安路FPGA SD NAND FLASH 初步描述

说起SD NAND FLASH常被联想到SD卡，SD NAND FLASH具备当前SD卡的基本功能，并具有更高的存储密度，更小的体积，通过芯片形式焊接在电路中稳定可靠，在电路中高度集成可SMT机贴片等优点。这一节我们主要是介绍一下SD NAND FLASH，该应用实例的SD NAND FLASH采用深圳市雷龙发展有限公司的CSNP1GCR01-AOW型号的存储芯片，雷龙发展在SD NAND FLASH中已经有多年的深厚研发经验和严格的测试流程。

一、SD NAND FLASH芯片简介

CSNP1GCR01-AOW是基于NAND FLASH 和SD 控制器的1Gb容量空间的存储芯片。比传统的NAND FLASH具有还有坏块管理，数据ECC功能和异常掉电保证数据安全存储等功能。封装尺寸为8mm x 6mm x0.75mm。

产品特点：

接口：具备1线或者4线SD标准2.0版本

供电：Vcc = 2.7V - 3.6V

默认模式：可变的时钟范围0~25MHz，高达12.5MB/s的接口速度（使用4线）

高速模式：可变的时钟范围0~50MHz，高达25MB/s的接口速度（使用4线）

工作温度范围：-40°C to +85°C

存储温度范围：-55°C to +125°C

标准电流：< 250uA

开关功能命令支持高速，商务和未来的一些功能

矫正存储区域的错误

内容保护机制兼容最安全的SDMI标准

支持SD NAND密码保护功能

使用机械开关进行写保护功能

内置写保护功能(永久和临时)

通用场景

应用程序特定命令

舒适擦除机制

通过下图的功能框图可以理解，SD NAND FLASH是通过Memory core来进行存储数据的，通过SD控制进行通讯接口的控制和存储的管理。

外部引脚位置和定义如下图所示：

机械尺寸如下图所示：

二、总结

本节主要介绍了SD NAND FLASH的基本功能特性，引脚定义和外形的机械尺寸，通过这个基本的描述可以对SD NAND FLASH有个初步的了解。下一节主要介绍，SD NAND FLASH的初始化过程。