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KIOXIA:Flash发展历程与E3.S接口趋势

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数据存储前沿技术
发布2025-02-11 19:33:31
发布2025-02-11 19:33:31
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全文概述

KIOXIA自1987年发明NAND闪存以来,一直是全球领先的供应商,其产品覆盖广泛的应用场景,包括服务器、存储和超大规模数据中心。公司通过不断技术革新,例如3D闪存技术和BiCS FLASH™系列,保持了行业领先地位。特别是在推出E3.S小型形式因素SSD上,KIOXIA展现了其对优化企业级存储解决方案的承诺。

文中详细介绍了E3.S相较于传统2.5英寸SSD在性能提升、信号完整性改善、增加机柜密度以及优化热管理等方面的优势。通过这些优势,E3.S能够更好地支持高速接口(如PCIe 5.0),并预计将在未来的数据中心存储应用中取代2.5英寸SSD。此外,文章还展示了E3.S正在获得市场的认可,包括被多个OEM厂商集成到其高端服务器产品中,从而提高了系统的性能和密度。

KIOXIA 内存与闪存发展时间线

KIOXIA 作为一家存储技术公司,拥有丰富的创新历史,其主要里程碑包括:

  1. 在闪存技术(NAND和BiCS FLASH)方面,从1987年的NAND闪存发明到2023年开发218层BiCS FLASH™,展现了持续的技术突破。
  2. 在固态硬盘(SSD)领域,覆盖了从PATA SSDs到NVMe-oF SSDs的多个技术进步,并推动了企业级和数据中心级别存储的发展。

具体如下:

内存创新时间线

年份

事件

1987年

发明NAND闪存技术

1991年

开始生产NAND闪存

1992年

四日市工厂成立

2007年

宣布3D闪存技术

2016年

开始生产64层BiCS FLASH™

2017年

原型设计QLC BiCS FLASH™

2018年

四日市Fab 6投入运行;开始生产96层BiCS FLASH™

2020年

宣布112层BiCS FLASH™

2021年

宣布162层BiCS FLASH™

2022年

四日市Fab 7投入运行;开始建设北上工厂Fab 2

2023年

宣布218层BiCS FLASH™

SSD创新时间线

年份

事件

2001年

推出SLC PATA SSDs

2010年

推出企业级SAS SSDs(6Gb/s)

2012年

提供企业级MLC SAS SSDs(12Gb/s)

2015年

推出NVMe单封装SSD

2016年

宣布客户端SATA TLC SSDs

2018年

推出原生NVMe-oF SSDs

2020年

宣布24G SAS SSDs;推出OCP2 EDSFF E1.S SSDs

2021年

推出数据中心PCIe 5.0 SSD;企业级PCIe 5.0 SSD

2023年

与HPE合作,为其Spaceborne Computer-2提供支持


存储接口发展趋势

  • 企业存储的外形规格(Form Factors)最初是为满足 HDD(机械硬盘)技术的需求而设计的。
  • 只有在过去的二十年里,才引入了针对 SSD(固态硬盘)优化的外形规格。
  • EDSFF 是专为企业存储和 SSD 技术需求而优化的一种规格。

**时间线与外形规格演化 **

1980年代(5.25英寸硬盘)
  • 容量 100~1000 MB
  • 重量 5~10磅
1990年代(3.5英寸硬盘)
  • 容量 100~1000 GB
  • 特点 至今仍适用于高达 20 TB 的数据存储需求。
2000年代(2.5英寸硬盘)
  • 容量 100~1000 GB
  • 特点 以小巧外形满足存储需求。
2010年代(M.2 硬盘)
  • 特点 新型 SSD 外形规格开始流行。
2020年代(EDSFF 硬盘)
  • 特点 为企业存储和 SSD 优化的外形规格正式引入。

图展示了存储设备外形规格的演变,从 1980 年代的笨重机械硬盘(5.25 英寸),逐步发展到小型化的 SSD(如 M.2 和 EDSFF)。过去几十年的关键变化反映了存储技术向高效、小型化和优化方向的转变,尤其是针对企业需求的改进。


E3.S 的重要性

1. 增强的机架密度(Increased Rack Density)
  • 特点 E3.S 的厚度仅为 7.5 毫米,是标准 2.5 英寸驱动器的一半。
  • 优势 机箱设计者可以安装两倍数量的存储插槽,从而提升性能和存储密度。
2. 热性能优化(Thermal Profile)
  • 特点 E3.S 的更薄外形使机箱设计者有更多灵活性来优化气流。
  • 优势 改善系统气流,提高散热效率。
3. 更好的性能(Better Performance)
  • 特点 改进的信号完整性特性,支持更高频率接口(如 PCIe 5.0)。
  • 优势 实现更高的性能。
4. 强大的信号完整性(Robust Signal Integrity)
  • 特点 EDSFF 连接器的信号阻抗显著低于 SFF-8639。
  • 优势 提高端到端信号完整性。

为什么新标准(如 EDSFF)要对比 SFF-8639?

在现代存储系统中,SFF-8639 已经表现出一定的局限性,EDSFF(如 E3.S)在其基础上进行了优化,包括信号完整性和性能改进:

  1. 信号完整性
    • SFF-8639 的信号阻抗较高,这会导致在高频率接口(如 PCIe 5.0)中,信号衰减更明显。
    • EDSFF(如 E3.S)通过降低信号阻抗,提供了更稳定的端到端信号传输,从而在更高频率下保证性能。
  2. 散热与密度
    • SFF-8639 的设计并未优化散热能力,而 EDSFF 专注于高密度设备和气流管理,适合更高效的散热设计。
  3. 未来可扩展性
    • SFF-8639 更偏向于传统存储设备,而 EDSFF 是为数据中心下一代存储设备设计的,包括对 NVMe-oF 和 PCIe 5.0 的支持。

E3.S 市场占比

  • 2.5 英寸规格的未来趋势:
    • 2.5 英寸 SSD 仍将是一个普遍存在的通用价值规格。
    • 但在 SSD 优化应用中,E3 预计将逐步取代其地位。
    • PCIe 5.0 是首个转折点,PCIe 6.0 将加速这一过渡。
  • E1 规格的应用
    • E1 外形 SSD 正在高密度存储应用中逐步取代 M.2。
    • 然而,M.2 仍然是消费级插槽的主流规格。
  • E3.S 的重要性在于其对高性能和优化存储应用的适配,未来几年将加速侵蚀M.2和U.2/U.3的市场空间。
  • 高密度存储应用中,E1 系列外形正在崛起,而 M.2 则持续在消费领域占据主导地位。
  • PCIe 5.0 和 6.0 技术是推动市场变革的重要技术节点。

在企业或云数据中心,HDD作为大容量成熟解决方案,其对数据存储市场的贡献不容忽视。

硬件规格差异

特性

HDD(机械硬盘)

SSD(固态硬盘)

存储介质

磁性旋转盘片(机械)

NAND 闪存芯片(电子)

速度

较慢(100MB/s - 200MB/s,依赖转速)

较快(500MB/s - 7000MB/s,取决于接口)

耐用性

机械部件易损坏

无机械部件,抗震性能更佳

功耗

高功耗

低功耗

容量

容量大(可达数十TB,价格低)

容量较小(消费级通常为1~4TB)

物理尺寸(Form Factor)

通常为3.5英寸或2.5英寸

支持更小规格(如M.2、E1.S等)

接口与协议差异

特性

HDD(机械硬盘)

SSD(固态硬盘)

接口

主要为 SATA 和 SAS

支持 SATA、SAS 和 PCIe

协议

使用 AHCI 协议(针对机械硬盘设计)

支持 NVMe(针对闪存优化的协议)

传输带宽

SATA:6Gbps,SAS:12Gbps

PCIe 4.0:64Gbps,PCIe 5.0:128Gbps

延迟

高延迟(机械旋转磁盘固有特性)

极低延迟(微秒级)

对接口的关键对比
  • HDD 使用传统的 SATA 和 SAS 接口这些接口原本为机械硬盘设计,具备稳定性和兼容性,但带宽较低,限制了 SSD 的性能。
  • SSD 倾向于 PCIe 接口和 NVMe 协议这些技术为固态存储优化,提供更高的带宽、更低的延迟。

OEM 厂商方案

1U/2U 服务器中使用E3.S接口替换,因有效空间的增加,不同程度增加了存储的总容量。


E3.S 接口SSD

  • E3.S Enterprise NVMe SSDs专注高性能和高可靠性场景,适用于需要卓越性能的应用,如 AI 和 HPC。
  • E3.S Data Center NVMe SSDs强调性价比,适合数据中心和云计算环境,支持高效随机性能操作。

扩展阅读

KIOXIA 官网[1]提供更多内存与闪存的阅读材料。

  1. https://apac.kioxia.com/en-apac/business/ssd/solution/edsff.html ↩
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原始发表:2025-01-04,如有侵权请联系 cloudcommunity@tencent.com 删除

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  • 全文概述
    • KIOXIA 内存与闪存发展时间线
    • 存储接口发展趋势
      • **时间线与外形规格演化 **
    • E3.S 的重要性
    • E3.S 市场占比
      • 接口与协议差异
    • OEM 厂商方案
    • E3.S 接口SSD
    • 扩展阅读
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