国产！瑞芯微RK3506（3核A7@1.5GHz+双网口+双CAN-FD）工业开发板—评估板测试手册

前 言

本文旨在提供评估板接口功能的测试指导，涵盖外设接口功能验证及测试步骤，旨在帮助开发者和测试人员快速完成Linux系统下的产品方案验证与性能评估。

开发环境

Windows开发环境：Windows10 64bit

Linux开发环境：VMware16.2.5、Ubuntu22.04.4 64bit

LinuxSDK开发包：LinuxSDK-[版本号]（基于RK3506_LINUX6.1_SDK_Release_V1.1.0_20241128）

评估板系统版本：U-Boot-2017.09、Linux-6.1.99、Buildroot-2024.02

交叉编译工具链：

备注：本文基于256MByte NAND FLASH、256MByte DDR3配置核心板进行测试，不同配置型号核心板实测结果可能存在偏差，请以实际测试结果为准。

术语表

为便于阅读，下表对文档出现的关键术语进行解释；对于广泛认同释义的术语，在此不做注释。

注意事项

为保障处理器使用寿命，满足更多工业应用场景要求，我司已将RK3506J/RK3506B处理器Cortex-A7核心最高主频默认配置为1.2GHz。

NAND FLASH配置评估板支持通过板载NAND FLASH和系统启动卡启动系统。eMMC配置评估板仅支持通过板载eMMC启动系统。

无特殊说明情况下，本文默认基于NAND FLASH配置评估板进行测试，通过板载NAND FLASH启动系统。默认使用USB TO UART0接口作为调试串口，并将评估板通过路由器与PC机进行网络连接。

评估板出厂时未固化最新系统镜像至NAND FLASH/eMMC存储。为确保您体验到我司提供的最新系统功能，建议您参考《Linux系统固化手册》文档，按照指引将最新系统镜像固化至NAND FLASH/eMMC。

使用概要

本小节主要描述评估板设备树使用说明，以及汇总说明评估板接口性能测试结果。

评估板设备树使用说明

由于部分外设功能之间存在引脚复用关系，因此需通过不同的设备树文件进行区分。我司已提供各项支持不同功能的内核镜像（已包含对应的设备树文件），位于产品资料“4-软件资料\Linux\Kernel\image\linux-6.1.99-[版本号]-[Git序列号]\”目录下，具体说明如下。

以下内核镜像适用于NAND FLASH配置评估板，同时支持系统启动卡。

以下内核镜像仅适用于eMMC配置评估板。

评估板接口测试汇总

评估板接口功能测试结果汇总说明如下表所示。

系统启动测试

评估板接入电源，将HDMI显示器与评估板HDMI OUT接口连接，并使用Type-C线将评估板的USB TO UART0调试串口连接至PC机。评估板硬件连接如下图所示。

图1

备注：如需通过SD方式启动评估板（仅限NAND FLASH配置评估板），可参考《Linux系统固化手册》文档将Micro SD卡制作成系统启动卡，再将其插至Micro SD卡槽使用。

图2

打开设备管理器，确认评估板USB TO UART0调试串口对应的COM端口号。

图 3

图 4

打开串口调试终端SecureCRT，选择对应的COM端口号，设置波特率为115200，8N1，无校验位。建立串口连接，如下图所示。

图 5

系统上电后，由CPU内部BootRom的引导代码依次从NAND FLASH、eMMC/SD卡、USB接口检测SPL启动程序，从第一个包含SPL启动程序的设备开始启动。SPL启动后，将优先从SD系统卡（非常规SD卡）引导U-Boot镜像，否则，将从原启动设备引导U-Boot镜像。

详情请查阅“Rockchip官方参考文档/Common/MMC/”目录下的官方参考文档《Rockchip_Developer_Guide_SD_Boot_CN》。

系统启动后将自动登录root用户，调试串口会打印如下类似启动信息。"Bootdev(atags)：mtd 1"表示从NAND FLASH启动。

备注："Bootdev(atags)：mmc 0"表示从eMMC或系统启动卡启动。

图 6

核心板LED在系统启动过程中的变化说明如下：

评估板上电后，电源指示灯LED1点亮；U-Boot启动阶段点亮LED2；随后Linux内核启动运行时，LED2闪烁；Linux内核稳定运行时，LED2进行心跳闪烁。

图7

同时，HDMI显示屏将显示如下界面。

图8

评估板快速测试

LED测试

评估底板用户可编程指示灯LED1对应的GPIO为GPIO4_B3。

进入评估板文件系统，执行如下命令控制LED亮灭。

Target# echo 1 > /sys/class/leds/user-led0/brightness

Target# echo 0 > /sys/class/leds/user-led0/brightness

图 9

按键测试

评估底板包含1个系统复位按键RESET(KEY1)，1个Maskrom按键Maskrom(KEY2)，2个用户输入按键：USER1(KEY3)、USER2(KEY4)。

系统复位按键测试

评估板上电，按下系统复位按键RESET(KEY1)，核心板板载LED2停止闪烁；松开按键后，系统将会重新启动。

Maskrom按键测试

执行如下命令，查看Maskrom按键对应的事件号。其中Maskrom(KEY2)对应的按键事件号为event0。

Target# cat /proc/bus/input/devices

图 10

执行如下命令，按下Maskrom(KEY2)进行按键测试，可看到如下打印信息，按"Ctrl + C"可终止测试命令。

Target# od -x /dev/input/event0

图 11

用户输入按键测试

执行如下命令，查看用户输入按键对应的事件号。其中USER1(KEY3)对应的按键事件号为event1，USER2(KEY4)对应的按键事件号为event2。

Target# cat /proc/bus/input/devices

图 12

执行如下命令，按下USER1(KEY3)进行按键测试，可看到如下打印信息，按"Ctrl + C"可终止测试命令。

Target# od -x /dev/input/event1

图 13

执行如下命令，按下USER2(KEY4)进行按键测试，可看到如下打印信息，按"Ctrl + C"可终止测试命令。

备注：由于用户按键USER2(KEY4)引脚与SARADC复用，因此需将SARADC相关寄存器配置为GPIO功能。

Target# io -4 0xff4d8840 0x00f000f0 //配置为GPIO功能

Target# od -x /dev/input/event2

图 14

外部RTC测试

请将ML2032（3V可充）或CR2032（3V不可充）电池安装至RTC纽扣电池座，进行外部RTC测试。

备注：使用CR2032不可充电电池时，请勿将跳线帽插入J3接口。

Linux系统中分系统时钟（软件时钟）和RTC时钟（硬件时钟），系统时钟掉电即会消失，RTC时钟在安装电池的情况下会长期运行。

查看外部RTC设备节点

执行如下命令，可查看到外部RTC设备节点为"/dev/rtc0"。

Target# ls /dev/rtc*

图 15

Target# dmesg | grep rtc

图 16

查看系统时钟 Target# date

图 17

设置系统时间并同步系统时钟至RTC时钟

Target# date -s "2025-4-11 8:30:00" //设置时间：2025年4月11日8点30分00秒

Target# hwclock -w -f /dev/rtc0

Target# hwclock -f /dev/rtc0

图 18

将评估板断电，放置一断时间后，重新上电，执行如下命令查询系统时间，验证外部RTC功能。

Target# hwclock -f /dev/rtc0

图 19

外部看门狗测试

本小节测试评估板板载外部硬件看门狗功能。

请先使用跳线帽将评估板的Watchdog(J1)选择ON档位，使能外部看门狗。此时将评估板上电，若不执行喂狗操作，系统将在大约35s内重启。

请执行如下命令开始喂狗，喂狗期间系统不会重启。

Target# echo 272 > /sys/class/gpio/export

Target# echo out > /sys/class/gpio/gpio272/direction

Target# while true; do echo 1 > /sys/class/gpio/gpio272/value;sleep 1;echo 0 > /sys/class/gpio/gpio272/value;sleep 1; done

图 20

按"Ctrl + C"停止喂狗，系统将在大约35s内重启。

DDR读写测试

DDR读写速度受DDR物料型号、测试方法、测试数据大小影响，测试速率以具体情况为准，如下测试数据仅供参考。

执行如下命令，查询DDR的可用容量。

Target# free -m

图 21

DDR读速度测试

进入评估板系统，执行如下命令对DDR进行读速度测试。

Target# bw_mem -P 3 -N 10 32M frd

图 22

本次测试从DDR读取32MByte数据，可看到本次测试的读速度为2121.13MB/s。

DDR写速度测试

执行如下命令对DDR进行写速度测试。

Target# bw_mem -P 3 -N 10 32M fwr

图 23

本次测试写入32MByte数据至DDR，可看到本次测试的写速度为2180.08MB/s。

DDR拷贝速度测试

执行如下命令对DDR进行拷贝速度测试。

Target# bw_mem -P 3 -N 10 32M fcp

图 24

本次测试拷贝32MByte数据至DDR，可看到本次测试的拷贝速度为1004.27MB/s。

Stream带宽测试

执行如下命令对DDR进行Stream带宽测试。

Target# stream -M 32M -P 3 -N 10

图 25

参数解析：

copy：先访问一个内存单元读出其中的值，再将值写入至另一个内存单元；

scale：先从内存单元读出其中的值，作一个乘法运算，再将结果写入至另一个内存单元；

add：先从内存单元读出两个值，做加法运算，再将结果写入至另一个内存单元；

triad：表示将copy、scale、add三种操作组合进行测试。

NAND FLASH读写测试

本章节仅支持NAND FLASH配置评估板，若使用eMMC配置评估板可跳过此步骤。

请先参考《Linux系统固化手册》文档将系统镜像update-nand.img固化至NAND FLASH，再进行NAND FLASH读写测试。请通过NAND FLASH启动系统，执行如下命令，查看NAND FLASH分区信息。本次选取userdata作为测试分区，测试过程会擦除分区内容，请务必做好数据备份。

备注：建议优先选用userdata分区进行测试，若使用其他分区测试可能会导致文件系统数据损坏。

Target# cat /proc/mtd

图 26

NAND FLASH写速度测试

执行如下命令，擦除NAND FLASH分区。

Target# flash_erase /dev/mtd7 0 0

图 27

执行如下命令，进行NAND FLASH写速度测试。

Target# echo 3 > /proc/sys/vm/drop_caches

Target# time dd if=/dev/zero of=/dev/mtd7 bs=128k count=176

图 28

参数解析：

bs=128k：同时设置读入/输出的块大小为128k个字节。

count=176：拷贝176个块。

此处一共写入128 x 1024 x 176 / 1000 / 1000MByte = 23.0MByte测试数据至NAND FLASH，可看到本次测试NAND FLASH写速度约为：23.07MByte / 3.946s ≈ 5.8MB/s。

NAND FLASH读速度测试

若已对NAND FLASH进行写速率测试，需先执行如下命令擦除NAND FLASH分区，否则无法正常测试。

Target# flash_erase /dev/mtd7 0 0

图 29

执行如下命令，进行NAND FLASH读速度测试。

Target# echo 3 > /proc/sys/vm/drop_caches

Target# time dd if=/dev/mtd7 of=/dev/null bs=128k count=176

图 30

此处一共从NAND FLASH读取128 x 1024 x 176 / 1000 / 1000MByte = 23.0MByte测试数据，可看到本次测试NAND FLASH读速度约为：23.07MByte / 1.650s ≈ 13.9MB/s。

eMMC读写测试

本章节仅支持eMMC配置评估板，若使用NAND FLASH配置评估板可跳过此步骤。

请先参考《Linux系统固化手册》文档将产品资料“4-软件资料\Linux\Makesdboot\”目录下的update-emmc.img系统镜像固化至eMMC，再进行eMMC读写测试。

评估板上电，系统将从eMMC启动。执行如下命令查看eMMC分区信息。

Target# fdisk -l

图 31

eMMC写速度测试

执行如下命令对eMMC设备进行写速度测试。

Target# fio -filename=/dev/mmcblk0 -ioengine=psync -iodepth=1 -iodepth_batch=1 -iodepth_low=1 -iodepth_batch_complete=1 -direct=1 -rw=write -bs=1024K -size=1024M -numjobs=1 -thread -group_reporting -name=write_job -ramp_time=1 -allow_mounted_write=1

图 32

此处一共写1024MByte测试数据至eMMC设备，可看到本次测试的eMMC设备写速度约为49.5MB/s。

eMMC读速度测试

执行如下命令对eMMC设备进行读速度测试。

Target# fio -filename=/dev/mmcblk0 -ioengine=psync -iodepth=1 -iodepth_batch=1 -iodepth_low=1 -iodepth_batch_complete=1 -direct=1 -rw=read -bs=1024K -size=1024M -numjobs=1 -thread -group_reporting -name=read_job -ramp_time=1

图 33

此处从eMMC设备中一共读出1024MByte数据，可看到本次测试的eMMC设备读速度约为65.2MB/s。

Micro SD接口读写测试

本章节仅支持NAND FLASH配置评估板，若使用eMMC配置评估板可跳过此步骤。

本次操作使用SanDisk品牌、128GByte容量的Micro SD卡来测试评估板Micro SD接口性能。不同的Micro SD卡以及不同的测试方法，对Micro SD接口测试结果将造成一定差异。

请先取出系统启动卡，评估板上电，系统将从NAND FLASH启动。再将系统启动卡插至评估板Micro SD卡槽，进入评估板文件系统执行如下命令，查看Micro SD卡信息。

Target# fdisk /dev/mmcblk0 -l

图 34

Micro SD接口写速度测试

进入评估板系统，执行如下命令测试Micro SD接口写速度。

Target# fio -filename=/dev/mmcblk0 -ioengine=psync -iodepth=1 -iodepth_batch=1 -iodepth_low=1 -iodepth_batch_complete=1 -direct=1 -rw=write -bs=1024K -size=1024M -numjobs=1 -thread -group_reporting -name=write_job -ramp_time=1 -allow_mounted_write=1

图 35

此处一共写1024MByte测试数据至Micro SD卡，可看到本次测试的Micro SD接口写速度约为39.7MB/s。

Micro SD接口读速度测试

执行如下命令测试Micro SD接口读速度。

Target# fio -filename=/dev/mmcblk0 -ioengine=psync -iodepth=1 -iodepth_batch=1 -iodepth_low=1 -iodepth_batch_complete=1 -direct=1 -rw=read -bs=1024K -size=1024M -numjobs=1 -thread -group_reporting -name=read_job -ramp_time=1

图 36

此处一共读出1024MByte的数据，可看到本次测试的Micro SD接口读速度约为66.0MB/s。

由于篇幅过长等原因，部分内容均不逐一展示，如需获取完整版详细资料，请关注创龙科技微信公众号或官网，或者评论区留言，感谢您的支持！