场效应晶体管：（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件。

特点:场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制Id（漏极电流）。

MOS 管导通特性:导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。

NMOS 的特性：Vgs 大于一定的值就会导通，既相当于栅极加电压S、D相通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动）；

特性：Vgs 小于一定的值就会导通，既相当于栅极加电压S、D相通，适合用于源极接VCC 时的情况（高端驱动）；

场效应管属于电压控制型元件，又利用多子导电故称单极型元件，且具有输入电阻高，噪声小，功 耗低，无二次击穿现象等优点 。

在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在 信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。

场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时关注以下主要参数：

VDSS：漏源击穿电压，此电压要选择合适，一般是加入的电压值的峰值的两倍；

BUDS漏源击穿电压：是指栅源电压UGS 一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。

PDSM最大耗散功率：也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM 并留有一定余量。

IDSM — 最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM。

Td(on):导通延迟时间，从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时间

Tr:上升时间，输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时间

Td(off):关断延迟时间，输入电压下降到 90% 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间

Tf:下降时间，输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间 导通电阻：

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场效应管(FET)是电压控制型半导体器件，通过栅源电压控制漏极电流。具有输入电阻高、噪声小、功耗低等优点，适用于信号源取电流少的场合。主要参数包括漏源击穿电压、开启电压、导通电流等，使用时需注意极限参数如最大耗散功率和漏源电流。MOS管分为NMOS和PMOS，导通特性不同，分别适用于低端和高端驱动电路。

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