这篇写另外一颗 OP:
GM45012 = 低噪声、低失调、宽带、稳定优先的 CMOS 双运放
它的设计目标不是极限指标,而是:低噪声(但不过度牺牲稳定性),中高速(但 SR 不激进)。

明显这个就是上面的
如果单纯的解读参数那就变成了很上个文章一样了。还是专门围绕 GM45012,把它的噪声表现与“真正可用带宽”再系统、工程化地解读一遍,并且对比你刚才看的 GM4500 系列,明确它在信号链中的真实定位。
数据手册给出的核心指标是:
6 nV/√Hz @ 1 kHz
2.7 nV/√Hz @ 10 kHz与供电(5 V / 2.7 V)基本无关
大概看这是一颗典型的“低噪声 CMOS 运放”,但不是极限型:
噪声档位 | 典型 en |
|---|---|
超低噪声 BJT | 0.9–1.5 nV/√Hz |
GM45012 | 2.7 nV/√Hz |
通用精密 CMOS | 5–10 nV/√Hz |
GM45012 明显优于普通 CMOS 运放,但达不到 AD797 / LT1028 那种“极限噪声”水平。

用熟悉的白噪声近似:
用 2.7 nV/√Hz 估算(中高频):
等效带宽 | 输入等效噪声 |
|---|---|
10 kHz | 0.27 µV RMS |
100 kHz | 0.85 µV RMS |
1 MHz | 2.7 µV RMS |
注意这是输入等效,输出还要乘以噪声增益(非反相≈闭环增益,反相≈1+Rf/Rg)。
对 16–18 bit、满量程 2–5 V 的 ADC 来说:100 kHz 以内完全可接受
低频噪声手册给出明确数据:0.1–10 Hz,2 µVpp(输入等效),GM45012 ≠ 低频噪声神器,是“低噪声 + 宽带”折中型 CMOS 运放。
数据手册标题写的是 10 MHz 精密 CMOS 运放,但工程上必须拆开看。
GBW ≈ 10 MHz(5 V 供电)
2.7 V 下约 9.1 MHz
闭环 −3 dB 带宽近似:
举例(非反相):
闭环增益 | −3 dB 带宽 |
|---|---|
G = 1 | ~10 MHz |
G = 2 | ~5 MHz |
G = 10 | ~1 MHz |
小信号条件下,这些数字是可信的。
GM45012 的压摆率:
SR ≈ 4.7 V/µs(5 V)
SR ≈ 4.4 V/µs(2.7 V)
对正弦波,大信号带宽由 SR 限制:
GM45012 的 “10 MHz”只对小信号成立,对中等幅度信号并不成立
相位裕量 ≈ 53–54°(G=1)
这意味着稳定,不容易自激对 PCB/负载容忍度高,但是不适合极限速度 / 极限容性负载
从典型曲线可以看到:
CL ≈ 100 pF:有过冲但可控
CL > 200–300 pF:明显振铃,需要 RC 吸收器
参数 | GM4500 | GM45012 |
|---|---|---|
GBW | 28 MHz | 10 MHz |
SR | 11 V/µs | 4.7 V/µs |
en @10k | 2.7 nV/√Hz | 2.7 nV/√Hz |
稳定性 | 偏激进 | 更温和 |
工程友好度 | 中 | 高 |
感觉GM45012 是“降速换稳定”的版本,非常典型、非常好用。


输出电流能力:±100 mA(典型/最大级别);供电是5 V 或 ±2.5 V,这是连续输出能力量级,不是 ESD 或瞬态注脚
输出电流能力:±100 mA(5 V),±50 mA(2.7 V);同样是线性区内的驱动能力
在精密 CMOS 运放里,这个数值非常大, (很多精密运放只给 ±10~30 mA)
它们不是“弱推挽”的传统精密运放,而可能是“功率级加强的 CMOS Rail-to-Rail 输出级”
PMOS + NMOS 都做得很大,Rds(on) 很低,本质上接近“小功率缓冲器”,而不是“信号级输出”;这和很多“低功耗精密运放”刻意限制输出管尺寸完全不同。
这两颗 OP 的目标应用里,反复出现:SAR ADC 输入(大电容 + 采样瞬态),光电二极管 TIA 后级,多极点有源滤波器,直接驱动 100 pF~1000 pF 负载。
这些场景的共同点是:
瞬时输出电流需求远大于平均功耗
在 CMOS 工艺里:做“大电流 MOS”比 BJT 成本低,热分布也更容易控制,只要 SOA 和结温算清楚,就可以给很大的 Iout 规格
这是重点。
举个例子(SAR ADC):ADC 输入电容20 pF,允许建立时间200 ns;电压阶跃2 V
需要的瞬时电流:
这还只是单次理想情况,实际还要克服:输出级 Rds(on),走线寄生,输入开关导通电阻
如果运放本身只有 5–10 mA 输出能力,就会看到:建立时间不够,THD/SFDR 掉,对输入码型敏感;大输出电流 = 驱动能力余量
这是很多人容易误解的地方。
正确理解方式是:做瞬态 / 动态 / AC 驱动完全没问题;但是做持续 DC 大电流受限于功耗和热;当功率运放用更不行
Vout = 2.5 V
Iout = 100 mA
单通道功耗 ≈ 250 mW
在 MSOP / SO 封装里:结温会迅速爬升,热噪声、失调、可靠性全部恶化
反而更容易振铃,因为:输出阻抗低,对容性负载更“硬”,与负载电容形成高 Q 系统
所以你看到数据手册里反复强调CL > 100~200 pF 要加串阻 / RC 吸收,单位增益是最差稳定情况;大电流输出 + 容性负载 = 必须做补偿
这两颗 OP 的输出电流大,是为了“驱动能力和动态性能”,不是为了当功率放大器。
对 ADC、滤波器、TIA 非常友好;在 PCB、负载、电容更有容错,必须注意稳定性和散热。