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GM45012:性能刚刚好,懵逼不烧脑

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云深无际
发布2026-01-15 14:28:28
发布2026-01-15 14:28:28
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文章被收录于专栏:云深之无迹云深之无迹

这篇写另外一颗 OP:

GM45012 = 低噪声、低失调、宽带、稳定优先的 CMOS 双运放

它的设计目标不是极限指标,而是:低噪声(但不过度牺牲稳定性),中高速(但 SR 不激进)。

明显这个就是上面的
明显这个就是上面的

明显这个就是上面的

如果单纯的解读参数那就变成了很上个文章一样了。还是专门围绕 GM45012,把它的噪声表现“真正可用带宽”再系统、工程化地解读一遍,并且对比你刚才看的 GM4500 系列,明确它在信号链中的真实定位。

GM45012 的“噪声情况”——属于哪一档?

输入电压噪声密度(中高频)

数据手册给出的核心指标是:

6 nV/√Hz @ 1 kHz

2.7 nV/√Hz @ 10 kHz与供电(5 V / 2.7 V)基本无关

大概看这是一颗典型的“低噪声 CMOS 运放”,但不是极限型:

噪声档位

典型 en

超低噪声 BJT

0.9–1.5 nV/√Hz

GM45012

2.7 nV/√Hz

通用精密 CMOS

5–10 nV/√Hz

GM45012 明显优于普通 CMOS 运放,但达不到 AD797 / LT1028 那种“极限噪声”水平。

宽带噪声积分(工程上最有用)

用熟悉的白噪声近似:

2.7 nV/√Hz 估算(中高频):

等效带宽

输入等效噪声

10 kHz

0.27 µV RMS

100 kHz

0.85 µV RMS

1 MHz

2.7 µV RMS

注意这是输入等效,输出还要乘以噪声增益(非反相≈闭环增益,反相≈1+Rf/Rg)。

对 16–18 bit、满量程 2–5 V 的 ADC 来说:100 kHz 以内完全可接受

低频噪声手册给出明确数据:0.1–10 Hz,2 µVpp(输入等效),GM45012 ≠ 低频噪声神器,是“低噪声 + 宽带”折中型 CMOS 运放

GM45012 的“可用带宽”—不要只看 10 MHz

数据手册标题写的是 10 MHz 精密 CMOS 运放,但工程上必须拆开看。

小信号带宽(GBW 决定)

GBW ≈ 10 MHz(5 V 供电)

2.7 V 下约 9.1 MHz

闭环 −3 dB 带宽近似:

举例(非反相):

闭环增益

−3 dB 带宽

G = 1

~10 MHz

G = 2

~5 MHz

G = 10

~1 MHz

小信号条件下,这些数字是可信的。

大信号带宽(真正的“可用带宽”)

GM45012 的压摆率:

SR ≈ 4.7 V/µs(5 V)

SR ≈ 4.4 V/µs(2.7 V)

对正弦波,大信号带宽由 SR 限制:

举几个例子

1 V 峰值(2 Vpp)
0.2 V 峰值(400 mVpp)
50 mV 峰值(100 mVpp)

GM45012 的 “10 MHz”只对小信号成立,对中等幅度信号并不成立

相位裕量与稳定性

相位裕量 ≈ 53–54°(G=1)

这意味着稳定,不容易自激对 PCB/负载容忍度高,但是不适合极限速度 / 极限容性负载

从典型曲线可以看到:

CL ≈ 100 pF:有过冲但可控

CL > 200–300 pF:明显振铃,需要 RC 吸收器

和前面看的 GM4500 系列的“本质区别”

参数

GM4500

GM45012

GBW

28 MHz

10 MHz

SR

11 V/µs

4.7 V/µs

en @10k

2.7 nV/√Hz

2.7 nV/√Hz

稳定性

偏激进

更温和

工程友好度

感觉GM45012 是“降速换稳定”的版本,非常典型、非常好用。

有趣的问题,这俩颗 OP 的输出电流这么大?

GM4500 / GM45002

输出电流能力:±100 mA(典型/最大级别);供电是5 V 或 ±2.5 V,这是连续输出能力量级,不是 ESD 或瞬态注脚

GM45012

输出电流能力:±100 mA(5 V)±50 mA(2.7 V);同样是线性区内的驱动能力

精密 CMOS 运放里,这个数值非常大, (很多精密运放只给 ±10~30 mA)

为什么能做到这么大?—内部架构原因

它们不是“弱推挽”的传统精密运放,而可能是“功率级加强的 CMOS Rail-to-Rail 输出级”

具体来说有三点:

输出级用的是 **大尺寸互补 MOS(Class-AB)

PMOS + NMOS 都做得很大,Rds(on) 很低,本质上接近“小功率缓冲器”,而不是“信号级输出”;这和很多“低功耗精密运放”刻意限制输出管尺寸完全不同。

设计目标明确:直接驱动负载

这两颗 OP 的目标应用里,反复出现:SAR ADC 输入(大电容 + 采样瞬态)光电二极管 TIA 后级多极点有源滤波器直接驱动 100 pF~1000 pF 负载

这些场景的共同点是:

瞬时输出电流需求远大于平均功耗

CMOS 工艺 + 高压裕量允许“堆电流”

在 CMOS 工艺里:做“大电流 MOS”比 BJT 成本低,热分布也更容易控制,只要 SOA 和结温算清楚,就可以给很大的 Iout 规格

这个“大电流”在使用上意味着什么?

这是重点

它不是为了“带负载电阻”,而是为了 充/放电

举个例子(SAR ADC):ADC 输入电容20 pF,允许建立时间200 ns;电压阶跃2 V

需要的瞬时电流:

这还只是单次理想情况,实际还要克服:输出级 Rds(on),走线寄生,输入开关导通电阻

如果运放本身只有 5–10 mA 输出能力,就会看到:建立时间不够,THD/SFDR 掉,对输入码型敏感;大输出电流 = 驱动能力余量

“能给 100 mA” ≠ “你可以随便拉 100 mA”

这是很多人容易误解的地方。

正确理解方式是:瞬态 / 动态 / AC 驱动完全没问题;但是做持续 DC 大电流受限于功耗和热;当功率运放用更不行

举个危险用法:

Vout = 2.5 V

Iout = 100 mA

单通道功耗 ≈ 250 mW

在 MSOP / SO 封装里:结温会迅速爬升,热噪声、失调、可靠性全部恶化

输出电流大 ≠ 稳定性就好

反而更容易振铃,因为:输出阻抗低,对容性负载更“硬”,与负载电容形成高 Q 系统

所以你看到数据手册里反复强调CL > 100~200 pF 要加串阻 / RC 吸收,单位增益是最差稳定情况;大电流输出 + 容性负载 = 必须做补偿

这两颗 OP 的输出电流大,是为了“驱动能力和动态性能”,不是为了当功率放大器。

对 ADC、滤波器、TIA 非常友好;在 PCB、负载、电容更有容错,必须注意稳定性和散热。

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原始发表:2026-01-07,如有侵权请联系 cloudcommunity@tencent.com 删除

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  • GM45012 的“噪声情况”——属于哪一档?
  • 输入电压噪声密度(中高频)
  • 宽带噪声积分(工程上最有用)
  • GM45012 的“可用带宽”—不要只看 10 MHz
    • 小信号带宽(GBW 决定)
    • 大信号带宽(真正的“可用带宽”)
      • 举几个例子
    • 相位裕量与稳定性
    • 和前面看的 GM4500 系列的“本质区别”
    • 有趣的问题,这俩颗 OP 的输出电流这么大?
      • GM4500 / GM45002
      • GM45012
    • 为什么能做到这么大?—内部架构原因
      • 具体来说有三点:
      • 输出级用的是 **大尺寸互补 MOS(Class-AB)
      • 设计目标明确:直接驱动负载
      • CMOS 工艺 + 高压裕量允许“堆电流”
    • 这个“大电流”在使用上意味着什么?
      • 它不是为了“带负载电阻”,而是为了 充/放电
      • “能给 100 mA” ≠ “你可以随便拉 100 mA”
      • 输出电流大 ≠ 稳定性就好
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