FPGA相关职位笔/面试题分享（五）

NMOS器件的特性了解：

NMOS英文全称为N-Metal-Oxide-Semiconductor。意思为N型金属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管。

它是在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上，制作了两个高掺杂浓度的N+区，这两个区域就是晶体管的漏极（符号：D）和源极（符号：S）。而在漏极和源极之间的绝缘层上，还装有一个栅极（符号：G）。

N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。

P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。

当NMOS的栅极上加上正电压，栅极的绝缘板下面就会形成一个电子沟道，就把源极和漏极用电子沟道连起来了，就可以导通了。

电流从D流向S。

NMOS的特性曲线为：

Vth是一个阈值电压，当Vgs大于Vth时，才可以在漏极和源极之间形成导电沟道，可以导通；如果Vgs小于Vth时，漏极和源极之间没有导电沟道，不可以导通。

当Vgs<Vth，导电沟道未形成，不能导通，处于截止区。

当Vgs>Vth，且Vgs-Vth>Vds>0时，器件导通，随着Vds不断变大，电流线性变大，此区域称为线性区。

当Vgs>Vth，且Vds>Vgs-Vth时，器件导通，随着Vds不断变大，电流基本不变，此区域称为饱和区。

当Vgs>Vth，且Vds远远大于Vgs-Vth时，器件被击穿了，随着Vds不变变大，电流快速增加，此区域称为击穿区。

在数字电路设计应用时，我们用截止区和饱和区。

给栅极高电平，导通；给栅极低电平，不导通。

上述的符号和介绍是增强型的NMOS。

增强的意思是：本来是没有导电沟道，通过合适的电压，形成沟道，开始导通。

还有一个是耗尽型的NMOS。

符号为：

耗尽的意思是：本来是有导电沟道的，通过合适的反向电压，将导电沟道弄消失，开始截止。

设计中一般常用增强型NMOS。

怎么记住符号呢？可以看中间的那个线，虚线的是表示需要增强，就是增强型；实线的是表示需要耗尽，就是耗尽型。