这意味着DDR3存储器比DDR2存储器消耗更少的功率,而DDR2存储器又比DDR存储器消耗更少的功率。...因此,即使此DDR3内存的等待时间似乎更长(7 vs. 5),等待时间实际上也更短。因此,请不要以为DDR3内存的延迟要比DDR2内存的慢:这将取决于您所讨论的时钟速率。...到目前为止,我们所指的时钟是“外部世界”上的时钟速率,即来自存储器的I / O接口上的时钟速率,存储器与存储器控制器之间进行通信。但是,在内部,内存的工作方式略有不同。...但是,在内部,DDR芯片在内存阵列和I / O缓冲区之间传输两位,因此,为了匹配I / O接口速度,此数据路径必须在200 MHz(200 MHz x 2 = 400 MHz)下工作。...在下图,您可以看到到达存储芯片的信号。在左侧,您可以看到使用主板终端(DDR存储器)的系统上的信号,而在右侧,您可以看到使用裸片终端(DDR2和DDR3存储器)的系统上的信号。
是由MMC协会所订立的、主要是针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。...2013年,JEDEC在当年9月发布了UFS 2.0的新一代闪存存储标准,UFS 2.0闪存读写速度理论上可以达到1400MB/s,不仅比eMMC有更巨大的优势,而且它甚至能够让电脑上使用的SSD也相形见绌...并且它支持全双工运行,可同时读写操作,还支持指令队列 eMMC是半双工,读写必须分开执行,指令也是打包的,在速度上就慢。...LPDDR的运行电压(工作电压)相比DDR的标准电压要低,从第一代LPDDR到如今的LPDDR4,每一代LPDDR都使内部读取大小和外部传输速度加倍。...其中LPDDR4可提供32Gbps的带宽,输入/输出接口数据传输速度最高可达3200Mbps,电压降到了1.1V。
通过 IP 核自动生成的测试脚本实例实现对 DDR3 IP 核的仿真。DDR3控制器IP核内部模块及其与FPGA逻辑、DDR3芯片的接口框图如图1所示。...DDR3控制器包括用户接口(User Interface)模块、存储器控制器(Memory Controller)模块、初始化和校准(Initialization/Calibration)模块、物理层(...用户接口模块用于连接 FPGA 内部逻辑;存储器控制器模块实现 DDR3 的主要读写时序和数据缓存交互;初始化和校准模块实现 DDR3 芯片的上电初始化配置以及时序校准;物理层模块则实现和 DDR3 芯片的接口...● DDR3 存储器接口电压(Memory Voltage)为 1.5V。 ● DDR3 存储器位宽(Data Width)为 16。 完成设置后点击 Next 到下一个配置页面。 ?...● 片上终端(On Die Termination)设置为 R ZQ/4。 ● 存储器地址映射选择(Memory Address Mapping Selection)勾选后者。
DRAM(Dynamic RAM) 即动态RAM,保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢(但比任何的ROM快),计算机内存就是DRAM。...同步指存储器工作需要同步时钟,动态指刷新来保证数据不丢失,随机是指数据不是线性依次存储,而是自由指定地址进行数据读写。 DDR RAM 计算机内存条常说的DDR3、DDR4。...NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。...两者对比 NOR Flash的读取速度比NAND稍快一些。 NAND Flash的写入速度比NOR快很多。 NAND Flash的4ms擦除速度远比NOR的5s快。 ...5 eMMC eMMC (Embedded Multi Media Card),即嵌入式多媒体卡,是MMC协会订立、主要针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。
这六类内存都是分布在在RAM存储芯片或者GPU芯片上,他们物理上所在的位置,决定了他们的速度、大小以及访问规则。 如下图,整张显卡PCB电路板上的芯片主要可以分为三类: 1....GPU芯片,也是整张显卡的核心,负责执行计算任务。 2. DDR3存储芯片,其在显卡中相对与GPU的地位相当于电脑中内存条对于CPU,只是放在了显卡上专供GPU使用。 3....指令缓存(Instruction Cache)存放核函数中的的指令。 指令缓冲区(Instruction Buffer)Core访问它的速度比指令缓存更快,但是空间更小。...本地内存(Local memory),一般位于片内存储体中,在核函数编写不恰当的情况下会部分位于片外存储器中。...推荐阅读: GPU的工作原理 两段小视频轻松理解CPU & GPU的工作原理
内存的关键指标包括内存大小,速度,较低的工作电压和更快的访问速度。DDR5支持8Gb至64Gb的内存,并结合了3200 MT / s至6400 MT / s的多种数据速率。...DDR5的工作电压从DDR4的1.2V进一步降低到1.1V。 DDR5现在提供的速度比第一个SDRAM快16倍。这是通过在每代DDR中速度和密度的显着提高实现的。...DDR5可以确保更高的存储密度和更低功耗和更高速度的许多新功能。 SDRAM(同步动态随机存取存储器): SDRAM是动态随机存取存储器,与CPU的时钟速度同步。...DDR4(双倍数据速率第四代SDRAM): 尽管将预取缓冲区的大小保持为DDR3,但DDR4仍可以实现更高的速度和效率。更高的带宽是通过每秒发送更多读/写命令来实现的。...DDR4标准将DRAM存储体分为两个或四个可选的存储体组,在其中可以更快地完成向不同存储体组的传输。DDR4的工作电压也比DDR3小。
静态随机存储器(SRAM):比 DRAM 更快,但成本更高,通常用作 CPU 的高速缓存。 只读存储器(ROM):这是非易失性存储器,断电后数据不会丢失。...NAND Flash:写入速度更快,适合大容量存储,如 SSD 和嵌入式存储。...对于 norflash 来说,读写的速度会比 RAM 慢很多,并且数据是先加载到 RAM 中,再跟 MCU 和 MPU 通讯的。...不需要接口的速度非常快(类似 ram 这样地址和数据并行访问),全部并行数据地址线的方式也会让主控芯片需要有更多的 PIN 脚来连接,不利于成本降低和体积的减小。...所以开始 norflash 转成 SPI 接口,SPI 在很多 MCU 和 MPU 上都是有配置的,信号线比较少。 所以,封装形式从 TSOP 转成了 SOP8 的封装形式。
DDR3存储器控制模块使用MIG生成DDR3控制器,只需通过用户接口信号就能完成DDR3读写操作。DDR3用户接口仲裁控制模块将中断请求分成多个子请求,实现视频中断和图形中断的并行处理。...为了提高并行处理的速度,减少数据读写冲突,将图形数据和视频数据分别存储在不同的DDR3中。 ? DDR3存储器控制模块设计 ?...为了简化设计,本文设计的用户接口写操作时序如图3所示,使两套系统在时序上完全对齐。 ? ? 2、DDR3控制模块用户接口读操作设计 用户接口读操作也分为地址系统和数据系统。...其中,c0_app_XXX表示图形存储DDR3的用户接口,写图形数据时,用户接口地址系统和数据系统是对齐的;c1_app_XXX表示视频存储DDR3的用户接口,读视频背景时,数据系统比地址系统稍有延迟。...DDR3存储器控制模块采用Xilinx公司的MIG方案,简化DDR3的逻辑控制;DDR3用户接口仲裁控制模块将图形和视频分别进行中断处理,提高了并行速度,同时简化了仲裁控制;帧地址控制模块将DDR3空间进行划分
Cyclone III 器件具有4-Mbit嵌入式存储器、288个嵌入式18x18乘法器、专用外部存储器接口电路、锁相环(PLL)以及高速差分I/O等。...,从而降低了成本和电路板面积 – 容量是Stratix II FPGA的两倍; · 高达533-MHz DDR3的高性能存储器接口; · 性能达到1.6...Stratix IV FPGA 的8.5 Gbps收发器和快速DDR3存储器接口实现了前所未有的系统带宽,其基础架构具有最高的密度、最好的性能和最低的功耗。...、支持背板应用的48个全双工、14.1-Gbps收发器,以及高达800 MHz的7 x72位DIMM DDR3存储器接口; · 带有收发器的Stratix V GT FPGA:...集成了4个28-Gbps收发器,32个全双工、支持12.5Gbps背板应用的收发器,以及高达800 MHz的4 x72位DIMM DDR3存储器接口; · Stratix V
另一种称为,DRAM保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快,但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多,计算机内存就是DRAM的。...既然是“同步动态随机存储器”,那就代表着它的工作速度是与系统总线速度同步的。 与系统总线速度同步,也就是与系统时钟同步,这样就避免了不必要的等待周期,减少数据存储时间。...SDRAM采用3.3伏工作电压,168Pin的DIMM接口,带宽为64位。SDRAM不仅应用在内存上,在显存上也较为常见。...LPDDR的运行电压(工作电压)相比DDR的标准电压要低,从第一代LPDDR到如今的LPDDR4,每一代LPDDR都使内部读取大小和外部传输速度加倍。...其中LPDDR4可提供32Gbps的带宽,输入/输出接口数据传输速度最高可达3200Mbps,电压降到了1.1V。
Seal 5000 FPGA器件系列特性 ● 自主研发,先进的低成本、低功耗的FPGA架构 基于28纳米技术工艺(28nm),20K到200K的查找表逻辑单元 嵌入式高速双接口存储器...工程文件添加好以后,以此点击点击工作区的那三个大按钮,就可以完成编译和综合工作。在主视图去下方可以看到编译信息。...Logos系列FPGA采用40nm CMOS工艺和全新LUT5结构,集成RAM、DSP、ADC、Serdes、DDR3等丰富的片上资源和IO接口,具备低功耗、低成本和丰富的功能,为客户提供高性价比的解决方案...适当的逻辑和乘法器,丰富多样的片内存储器,高达 1Gbps 的 IO 速率,使得 EAGLE 器件非常适合于图像预处理,伺服控制和高速图像接口转换等领域。... 支持快速上电启动 支持分布式和嵌入式存储器 最大支持 12 Kbits 分布存储器 最大支持 108Kbits 嵌入块存储器 内置嵌入式存储模块(9K),多种组合模式,可配置为真双口
整个ODT的设置和控制都要通过EMRS中那个控制引脚来完成。因此这个引脚的响应速度成为了ODT技术中的关键因素。ODT工作时有两种基本模 式:断电模式和其他模式。其中其他模式还包括激活模式和备用模式。...由于目前的DDR内存的寻址,先要进行P-Bank的选择(通过DIMM上CS片选信号进行),然后才是L-Bank/行激活与列地址的选 择。...U盘的数据传送速度一般与数据接口和U盘质量有关,因为U盘用的是FLASH闪存,不象硬盘的存储存在硬盘的转速,他只跟USB的接口类型有 关;以前用于区分速度的USB1.1和USB2.0标准现在已经统一改成...3.扩展总线速度(Expansion-Bus Speed): 指安装在微机系统上的局部总线如VESA或PCI总线接口卡的工作速度。...在早期的电脑中,内存与主板之间的同步运行的速度等于外频,在这种方 式下,可以理解为CPU外频直接与内存相连通,实现两者间的同步运行状态。
在深入研究“片上端接”之前,让我们先了解一下“端接”的概念。为什么需要“端接”? 高速的数据传输速率和实时功能是电子设备的目标。...在DDR SDRAM 等存储器接口中,片上端接(ODT)通常用于匹配传输线阻抗并优化数据传输过程中的信号完整性。...DRAM中的片上端接 DRAM(DDR2/DDR3/DDR4/DDR5)技术能够以比以前更高的速率传输数据,需要一些手段来增强数据总线的信号完整性,同时仍保持性能。...DRAM 数据信号 让我们尝试了解片上端接 (ODT) 在 DRAM 读写操作中的工作原理。数据信号在写入时由 DRAM 控制器驱动,在读取期间由 DRAM 存储器驱动。...PCB上的这些布线不需要外部电阻器,因为DRAM控制器和存储器都配备了ODT。这两种情况下的接收器(写入时的 DRAMS 存储器和读取时的 DRAM 控制器)都将在适当的时间置位片上端接 (ODT)。
Cyclone III 器件具有4-Mbit嵌入式存储器、288个嵌入式18x18乘法器、专用外部存储器接口电路、锁相环(PLL)以及高速差分I/O等。...高达533-MHz DDR3的高性能存储器接口 性能达到1.6 Gbps的LVDS,在LVDS I/O上支持串行千兆位介质无关接口(SGMII)。...Stratix IV FPGA 的8.5 Gbps收发器和快速DDR3存储器接口实现了前所未有的系统带宽,其基础架构具有最高的密度、最好的性能和最低的功耗。...DDR3存储器接口。...MHz的7 x72位DIMM DDR3存储器接口。
1.静态随机存储器(SRAM) 静态存储单元是在静态触发器的基础上附加门控管而构成的。因此,它是靠触发器的自保功能存储数据的。 我们平时在一些开发板上都能看见,比如:ISSI的芯片 ?...SDRAM是有一个同步接口的动态随机存取内存(DRAM)。...目前的168线64bit带宽内存基本上都采用SDRAM芯片,工作电压3.3V电压,存取速度高达7.5ns,而EDO内存最快为15ns。...工作电压: SDR:3.3V DDR:2.5V DDR2:1.8V DDR3:1.5V DDR4:1.2V 给大家看一个关于RAM的视频: 五、区别 SRAM是静态随机存储器,主要是依靠触发器存储数据...需要注意的是由于刷新牵涉电容的充放电过程,DRAM的存取速度不及SRAM。 至于SDRAM,为同步动态随机存储器,属于DRAM的一种,其工作过程需要同步时钟的配合。
TI公司的TMS320C6655/57是不定点/浮点数字信号处理器(DSP),基于KeyStone多核架构,内核速度高达1.25GHz,集成了各种包括C66x内核,存储器子系统,外设和加速器在内的各种可编程子系统...TI C6655/57 DSP 集成了大量片上存储器。除了 32KB 的 L1 程序和数据缓存外,每个内核还有 1024KB 的专用内存,可以配置为映射的 RAM 或缓存。...为了快速访问外部存储器,该器件包括一个运行频率为 1333 MHz 的 32 位 DDR-3 外部存储器接口 (EMIF),并支持 ECC DRAM。.../1000 Mbps 工作速率5.15、32 位 DDR3 接口DDR3-13338GB 可寻址空间5.16、16 位 EMIF5.17、通用并行端口两个通道,每个 8 位或 16 位支持 SDR 和...) 模块5.24、8 个 64 位定时器5.25、两个片上 PLL5.26、SoC 安全支持商用温度:0°C 至 85°C扩展温度范围:-40°C 至 100°C扩展低温:-55°C 至 100°C图片基于
另外核心板上含有 2 片共 1GB 高速 DDR3 SDRAM 芯片, 1 片 8GB 的 eMMC 存储芯片和 1 片256Mb 的 QSPI FLASH 芯片。...在底板设计上我们为用户扩展了丰富的外围接口,比如 1 个 PCIex2 接口、 2 路光纤接口、2 路千兆以太网接口、 4 路 USB2.0 HOST 接口、 1 路 HDMI 输入接口、 1 路 HDMI...芯片的 PS 系统集成了两个 ARM Cortex™-A9 处理器, AMBA®互连,内部存储器,外部存储器接口和外设。...32KB 1 级指令和数据缓存, 512KB 2 级缓存 2 个 CPU 共享 - 片上 boot ROM 和 256KB 片内 RAM - 外部存储接口,支持 16/32 bit DDR2、 DDR3...、温度感应和高达 17 外部差分输入通道, 1MBPS XC7Z015-2CLG485I 芯片的速度等级为-2,工业级,封装为 BGA484,引脚间距为0.8mm, ZYNQ7000 系列的具体的芯片型号定义如下图
本篇介绍计算机存储硬件的一些基础知识,在嵌入式开发中,也同样适用。 1 计算机存储结构 存储器是计算机中的重要部件,理想的存储器应该是执行快,容量足,价格便宜等。...Memory),存储的内容掉电后不会丢失 2.1.1 RAM 按照RAM存储单元的工作原理,又可分为如下几类: SRAM:静态随机存储器(Static RAM),它是靠触发器的自保护功能存储数据,数据一旦写入...根据Cache的工作机制,可分为: 回写式Cache:当CPU执行写数据时,回写式Cache只把该数据写入其数据地址对应的Cache中,不直接写入内存。...NOR Flash:它带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以方便地存取其内部的每一个字节,因此可直接连接总线系统,构成内存储器 NAND Flash:它使用复杂的I/O口来串行地存取数据,采用串行接口...,不能直接构成内存,只能用来构成外部存储器 两者的一些特点对比: NOR的读速度比NAND稍快 NAND的写速度比NOR快很多 NAND的擦除速度也比NOR快很多 NAND的擦除单元更小 NOR上可直接运行程序
这就是为什么如今的移动SoC上都加载了先进的片上存储器缓存以及复杂的高带宽片上网络(Networks-On-Chip,即NOC),目的都是为了将各种处理器和加速器连接到存储器、外围设备等。...否则它们的速度很容易被拖慢,即便理论上的最高处理能力再高,大部分也会被白白浪费。因此,除非CPU的大部分时间都在访问缓存中的数据,否则外部存储器的带宽很快就会成为大问题。...这就是我们创建aiWare的原因:在硬件引擎中实现基于实际工作负载的数据流技术,这比传统的方法更有效。...而这些都是数据中心主机或者非实时的移动应用程序习以为常的东西。 对于车辆嵌入式推理系统来说,其所使用的存储器策略必须经得起任何条件的考验,而且必须能够连续工作。 那么,为什么不能加快速度呢?...因此,对于未来的工艺节点,设计中存储器越是占主导地位,其扩展性就越好。 5.存储器:外部存储器带宽的扩展速度无法跟上片上存储器的扩展速度。
片上系统 (SoC) 设计人员可以选择多种类型的存储器技术,每种技术都具有不同的特性和高级功能。...DDR SDRAM(简称 DRAM)通过在双列直插式存储模块 (DIMM) 或分立式 DRAM 解决方案中提供密集、高性能和低功耗的存储器解决方案,以满足此类存储器要求。...DDR4 是这一类别中最常用的标准,与其前代产品 DDR3 和 DDR3L(DDR3 的低功耗版本)相比具有多项性能优势:与运行速度最高为 2133Mbps 的 DDR3 相比,它的数据速率更高,最高可达...因此,HBM 存储器能够以更低的功耗提供高吞吐量,而规格上比 GDDR 存储器更小。HBM2 是目前该类别中最常用的标准,支持高达 2.4Gbps 的数据速率。...2、 powersave:GPU会固定工作在其支持的最低频率上,以追求最低的功耗。3、 userspace:早期的管理策略,系统将变频策略的决策交给了用户态应用程序,并提供相应的接口供其使用。
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