大家好，我是智能仓储物流技术研习社的社长，老K。本文分享一篇为优化AGV小车充电模式，设计的一种无线充电装置，用于AGV小车的无线充电。
传统的电容耦合式等离子清洗机结构，即内平行极板。系统由三大部分组成包括真空系统、放电系统和控制系统
针对锂离子电池剩余使用寿命预测不准确的问题，提出了一种改进的灰狼优化器优化深度极值学习机（CGWO-DELM）数据驱动预测方法。该方法使用基于自适应正常云模型的灰狼优化算法来优化深度极值学习机的偏差、输入层的权重、激活函数的选择和隐藏层节点的数量。在本文中，从放电过程中提取了可以表征电池性能退化的间接健康因素，并使用皮尔逊系数和肯德尔系数分析了它们与容量之间的相关性。然后，构建CGWO-DELM预测模型来预测锂离子电池的电容。锂离子电池的剩余使用寿命通过1.44 a·h故障阈值间接预测。预测结果与深度极限学习机器、长期记忆、其他预测方法以及当前的公共预测方法进行了比较。结果表明，CGWO-DELM预测方法可以更准确地预测锂离子电池的剩余使用寿命。
在小型等离子清洗机的工作原理中，一直有两种工作原理：电容耦合式（不锈钢腔体）和电感耦合式（石英玻璃腔体），针对两种工作方式的差异，我们尝试做进一步的说明
电子元器件主要包括元件和器件，电子元件是生产加工过程中分子成分不被改变的成品，比如：电容、电阻和电感等。电子器件是生成加工过程中分子结构发生变化的成品，比如：电子管、集成电路等。
更值得一提的是，TP4054专门设计适用于USB的供电规格。得益于内部的MOSFET结构，在应用上不需要外部电阻和阻塞二极管。在高能量运行和高外围温度时，热反馈可以控制充电电流以降低芯片温度。
https://www.pnas.org/doi/10.1073/pnas.2304318120
一切都是原子构成，一个简单的原子模型可以简化成带正电荷的原子核在中央，周围环绕有若干个带负电的电子。同性相斥，异性相吸。
最近碰到一个PCB漏电的问题，起因是一款低功耗产品，本来整机uA级别的电流，常温老化使用了一段时间后发现其功耗上升，个别样机功耗甚至达到了mA级别。仔细排除了元器件问题，最终发现了一个5V电压点，在产品休眠的状态下本该为0V，然而其竟然有1.8V左右的压降！耐心地切割PCB线路，惊讶地发现PCB上的两个毫无电气连接的过孔竟然可以测试到相互间几百欧姆的阻值。查看该设计原稿，两层板，过孔间距焊盘间距>6mil，孔壁间距>18mil，这样的设计在PCB行业中实属普通的钻孔工艺。洗去油墨，排除油墨或孔表层的杂质导电问题，实测过孔间阻值依然存在！百思不得其解一段时间后，才发现原来是“CAF效应”导致的漏电问题！
本征半导体：纯净的、具有晶体结构的半导体 两种载流子：自由电子、空穴（两种载流子均参与导电） 本征激发：半导体在热激发下产生自由电子和空穴对的现象 复合：电子填补空穴 动态平衡：一定温度下，本征激发与复合产生的自由电子和空穴相等 温度影响：热运动加剧–挣脱共价键束缚自由电子增多–空穴增多–载流子浓度提高–导电能力增强 N型半导体：自由电子浓度大于空穴浓度，前者为多子，后者为少子 P型半导体：空穴浓度大于自由电子浓度 对于杂质半导体的温度影响：可以认为多子浓度约等于所掺杂质原子的浓度，且受温度影响很小；少子大多由本征激发而成，尽管浓度很低，但对温度非常敏感。 扩散运动：由浓度差引起的运动。PN结中P区的空穴向N区扩散，N区的自由电子向P区扩散。随着扩散运动的进行，空间电荷区加宽，内电场增强，阻止扩散运动的进行。 空间电荷区：由于扩散运动引起的复合使得P区出现负离子区，N区出现正离子区
材料取自于元素周期表中金属与非金属的交界处。常温下半导体导电性能介于导体与绝缘体之间。
来自麻省理工学院（MIT）的工程师 Hanwool Yeon、Jeehwan Kim 等人设计了一种「片上大脑」，它比指甲盖还小，内含数十万人工突触（忆阻器），其「记忆力」要比我们所知的其他芯片强上不少。我们距离模拟人脑又近了一步？
正极材料是锂电池中最为关键的原材料，正负极材料是决定动力电池性能的关键。正极材料主要影响锂离子电池能量密度、安全性、循环寿命等性能。由于锂离子电池正极材料在电池成本中所占比例可高达40%左右，所以其成本也直接决定电池成本的高低。
在上一篇文章中（使用Ionic3创建原生app系统入门）介绍了如何使用ionic构建一个Android app 项目,并生成apk安装包。
通常遇到此问题可能原因 第一、并发较大刷磁盘频繁 一般此问题不会造成io util 90%以上。如果事物较大或者并发较大，slow log会有记录，我们可以先看下当前线程连接情况，再结合slow log查看是哪些sql导致。 第二、Raid卡电池处于充放电阶段或者损坏 io util 90%以上，很大几率是硬件问题导致，我们可以通过如下命令检查，除HP服务器外其他采用MegaCli查看硬件信息，HP采用自带hpssacli命令查看，切记不要使用老命令hpacucli，此命令会导致部分HP型号
明敏 发自 凹非寺 量子位 | 公众号 QbitAI 用钙钛矿取代硅研制电子器件，居然还能被用来完成AI计算？？？ 众所周知，钙钛矿作为一种重要的材料，掺杂后主要用于生产SCI及博士论文（手动狗头）。 这次被用在开发新型AI电子器件上，还登上了Science，结果让人眼前一亮： 其心律识别任务的平均性能是传统硬件的5.1倍，并且还能灵活模拟动态网络、降低训练能耗。 用神经形态计算降能耗 这项研究主要是通过向钙钛矿中掺入不同量的氢，来模拟人类神经元活动，从而完成不同机器学习任务。 这主要是基于钙钛矿自身的特性
Themeablebrowser是一个外部浏览器插件，它fork自inappbrowser，相比于后者，此插件的目的是提供一个可以与你的应用程序的主题相匹配的in-app-browser，以便给你的应用保持一致的外观和感觉。所以，除了一些主题化的配置外，核心部分使用参考inappbrowser文档。
SC2105单节锂离子/锂聚合物电池保护复合IC，SC2105是一种复合式高精度单节锂离子/锂聚合物电池保护IC。SC2105其在传统电池保护电路基础上将开关MOSFET集成到IC内部；SC2105它具有过充电压及流的保护、 过放电压及流的保护、热短路 过放电压及流的保护、热短路 过放电压及流的保护、热短路 保护、 电芯反接保护和充电器反接保护等功能，并且工作时功耗非常低。 二、SC2105特性（重要参数） 2.1 内置低阻抗的 MOSFE T（等效 58 mΩ RDS(ON) ）； 2.2 高精度电压检测： 过充电压检测精度： 土 50 mV ； 过放电压检测精度：土 50 mV ； 2.3 三重过电流检测保护: 过放电流1, 过放电流2和负载短路检测电流； 2.4 内置延迟电路，延迟时间由内置电路产生，无需外接电容； 2.5 低电流损耗， 工作模式：**值 4.0μA； 休眠模式：**值 0.1μA； 2.6 电芯反接保护更安全； 2.7 SC2105应用极为简单： 外围仅需连接1颗电容； 2.8 过温度保护功能； 2.9 充电器检测功能； 2.10 短路保护功能； 2.11 2.11 充电器反接保护功能； 2.12 SOT23 2.12 SOT23 -6封装，符合欧洲 封装，符合欧洲
“充电五分钟，通话两小时”相信大家对这句广告语已经熟记于心，很多人把这当做商家的自卖自夸，然而科技的力量总是能把不可能变成现实。
单片机:单片机（Microcontrollers）是一种集成电路芯片，是采用超大规模集成电路技术把具有数据处理能力的中央处理器CPU、随机存储器RAM、只读存储器ROM、多种I/O口和中断系统、定时器/计数器等功能（可能还包括显示驱动电路、脉宽调制电路、模拟多路转换器、A/D转换器等电路）集成到一块硅片上构成的一个小而完善的微型计算机系统，在工业控制领域广泛应用。
芯片一般是指集成电路的载体，也是集成电路经过设计、制造、封装、测试后的结果，通常是一个可以立即使用的独立的整体。
摘要：调试电池的充放电管理，首先须要深入了解锂电池的电池原理和特点。充放电特性以及主要的电池安全问题。然后须要对MTK的电池管理驱动程序有深入的了解。理解电池充放电算法的基本原理。
半导体的物理基础：1.掺杂特性 2.热敏特性 3.光敏特性 2. 本征半导体：原子排列整齐、晶格无缺陷、纯净的半导体（在热力学温度零度，由于共价键的束缚，价电子能量无法挣脱共价键的束缚，因此晶体中没有自由电子，此时半导体相当于绝缘体。）本征半导体的导电能力很差。（载流子浓度与原子密度相比很少） 本征激发（热激发）：由热能产生电子-空穴对的现象。随着温度升高，载流子浓度（指数）增加，其电阻率的温度系数是负的，这是半导体导电与金属导电的根本不同点。（相同温度下，锗的载流子浓度大于硅。） 3. N型半导体：在本征半导体中掺入五价元素。 P型半导体：在本征半导体中掺入三价元素。 杂质半导体中存在自由电子、空穴和杂质离子三种带电粒子，其中，自由电子和空穴是载流子，杂质离子不能移动不是载流子。多子浓度由杂志决定，少子浓度则由本征激发决定。 掺杂半导体处于一定温度平衡状态时，自由电子浓度N0和空穴浓度P0（俊臣为平衡载流子浓度）满足以下关系式 P0*N0=Ni^2 （Ni是该温度下本征载流子浓度。） 扩散电流和漂移电流（取决于少子浓度和工作温度，与外加电压的大小基本无关。）。
【新智元导读】马萨诸塞大学阿默斯特分校研究人员研发出一种新型忆阻器，能够忠实模拟生物神经元突触的功能，相关论文日前在《自然-材料》发表。实验证明，与传统的漂移型忆阻器一起使用，该装置展现出一些重要的突触功能，包括短期和长期的可塑性。北京大学计算机科学技术系系主任黄铁军博士评论称，马萨诸塞州阿姆赫斯特大学在神经形态器件研制方面很强，配上8月份IBM苏黎世的神经元，神经形态计算最重要的两个器件就到位了，如果可行，堪称神经计算机时代的“晶体管”。 随着微电子芯片的集成度和性能遵循摩尔定律快速地提高，基于互补金属氧
锂离子电池是一种二次电池（充电电池），它主要依靠锂离子在正极和负极之间移动来工作。在充放电过程中，Li+在两个电极之间往返嵌入和脱嵌，充电时，Li+从正极脱嵌，经过电解质嵌入负极，负极处于富锂状态；放电时则相反。
8月21日消息，继中国政府对镓、锗相关物项实施出口管制之后，据印度媒体报道，印度政府业正考虑禁止锂、铍、铌、钽四种稀有金属的出口，旨在保障本国在重要矿产资源方面自给自足。
首先，在文章的开头，镁客君想先表明一下自己的观点，未来汽车的驱动方式必然会被电机所取代，也就是我们所熟知的新能源汽车，这是一个大趋势。但是，今天镁客君想和各位探讨的问题是能源，也就是驱动汽车前进的能量
锂离子电池是现金便携式电子产品最常见的选择，与其他类型电池相比，锂离子电池重量轻，没有记忆效应，与镍氢电池相比，锂离子电池有两倍的能量密度，自放电率低6-8倍。当使用锂离子电池进行应用设计时，最重要的是要理解它在充放电过程中的特性以确保应用的安全，同时保障使用时间的最优化。业界已经形成了对锂离子电池进行充电时的三阶段策略：预充电、恒流充电和恒压充电
2021年诺贝尔生理学奖揭示了生物体感知物理世界的机理，为哲学上理解“感知”提供科学基础。众所周知，一千个人眼里有一千个哈姆雷特，针对该奖项不同的人具有不同的感悟：对于生理学家，更关心离子通道受体以及基因表达等信息，期望相关的技术能够应用于疾病治疗过程；然而对于我来说，更关心生物感受外界信息的机制能否映射到智能机器人，在工业以及健康医疗领域产生价值。
要想使用单片机，第一个要搭建的电路就是单片机的最小系统，有了这个最小系统单片机就可以去正常的工作，即使没有其他的外围电路（显示器啥的），也可以对单片机进行程序的编写，程序也可以在单片机里面正常的运行。其包括MCS-51系列芯片一块，（51初步认识）电源电路，时钟电路，复位电路。
删除插件： cordova plugin remove +插件名（cordova-plugin-inappbrowser 4.1.0 "InAppBrowser"） 展示已经安装的插件列表： cordova plugin ls 安装插件： cordova plugin add cordova-plugin-inappbrowser 打包Android命令: debug包--cordova bulid android 正式包--cordova build --release android 卸载平台：
在这个教程中，我们将展示如何用 Python 创建简单但实用的数字孪生，锂离子电池将是我们的实物资产。这个数字孪生将使我们能够分析和预测电池行为，并且可以集成到任何虚拟资产管理工作流程中。我们将使用Keras建立神经网络，使用plotly绘图。
场景 Cordova插件InAppBrowser用于在移动端打开url链接 使用步骤 安装插件 cordova plugin add cordova-plugin-inappbrowser 使用插件方法 window.cordova.InAppBrowser.open("你要打开的url", '_system', 'location=no,hidden=yes'); 参数说明 _system:系统自带浏览器打开 _blank:app内webview打开 hidden：是否隐藏打开的url链接
TP4594R 是一款集成线性充电管理、同步升压转换、电池电量指示和多种保护功能的单芯片电源管理 SOC，为锂电池的充放电提供完整的单芯片电源解决方案。
最近在用Flutter写一个新闻客户端, 新闻详情页中的内容 需要用Flutter的本地Widget和WebView共同展示 . 比如标题/上方的视频播放器是用本地Widget展示, 新闻内容的富文本文字使用webview展示html, 这样就要求标题/视频播放器与webview可以 组合滑动 .
FS2115A/FS2115D系列3.3V5V无感升压IC(电荷泵DC/DC转换电路IC)
添加插件 $ cordova plugin addcordova-plugin-inappbrowser 插件的使用 Methods cordova.InAppBrowser.open 2. Ex
当对电池进行充电时，电池的阴极上有锂离子生成，生成的锂离子经过电解液运动到阳极。而作为阳极的碳呈层状结构，它有很多微孔，到达阳极的锂离子就嵌入到碳层的微孔中，嵌入的锂离子越多，充电容量越高。
_self：如果URL地址在WhiteList中，则用Cordova的WhiteList将其打开；
FS2115是一个具备低噪声、恒定开关频率（400KHz）的电容式电压倍增器电荷泵升压IC。输入2.5至4.5V，产生恒定的5V输出电压，最大输出电流能达到250mA。较少的外部器件（仅有一只自举电容和VIN以及VOUT上的2只旁路电容）使得FS2115很适合应用于电池供电的小型设备。管教完全兼容
大数据文摘授权转载学术头条 作者：曹绮桐 “微型化”是科技便利生活的重要一环。试想，有一天，我们可以把庞大的超级计算机不断缩小，直到可以把它们装进口袋；我们可以随身携带微型人工智能大脑，它们甚至可以在没有超级计算机、互联网或云计算的情况下运行，在它们微不足道的身体里运行着庞大的算法。 而这已不单单是触不可及的幻想。 近日，麻省理工学院（MIT）的工程师们设计了一种“大脑芯片”，让我们向那种未来又迈进了一步。研究人员所用的芯片物理体积比一片纸屑还要小，但却被工程师们放置了成千上万个“人工大脑突触”，这种被称为“忆阻器”的硅基元件，能够模仿人类大脑中信息传递的突触结构。
FS4057单节锂电池充电管理芯片6脚IC电路图的文章正文。由于电路图是复杂的电子设计，需要专业的电子工程知识和经验来理解和解释。 然而，我可以为您提供一些有关单节锂电池充电管理芯片的基本信息，以及这些芯片在电路图中的常见应用。FS4057是一款完整的单节锂离子电池用恒定电流/恒定电压线性充电器。其中ThinSOT封装与较少的外部元器件数目使得FS4057成为便携式应用的理想选择。而且FS4057是专为在USB电源规范内工作而设计的。由于采用内部MOSFET构架，所以不需要外部检测电阻器和隔离二极管。热反馈可对充电电流进行调节以便在大功率操作或高环境温度条件下对芯片温度加以限制。充电电压固定为4.2V和单基节本锂原电理池。充电管理芯片是一种专门设计用于管理单节锂电池充电的集成电路。这些芯片通常具有充电控制、保护和诊断功能，以确保电池安全、它可们靠通地常充应电用。于各种便携式电子设备中，如手机、平板电脑和数码相机等。 在电路图中，单节锂电池充电管理芯片通常与电池、充电电源、电阻、电容等元件一起组成完整的充电电路。通过控制这些元件的开关状态和电流路径，芯片可以实现对电池的充电、保护和 诊 断一。般来说，单节锂电池充电管理芯片的电路图包括以下几个主要部分： 1. 电源输入部分：用于将交流电源转换为适合电池充电的直流电 源2。. 充电控制部分：用于控制充电电流的大小和时间，以及监测电池的充电状态。 3. 保护部分：用于防止电池过充、过放或短路等情况，保护电池和设备 的4安.全 。诊断部分：用于监测电池和充电电路的状态，以确保正常工作。 5. 输出部分：用于将充电完成的电池电压和电流输出到设备中，以供使用。 如果您需要更详细的信息或对电路图有更深入的疑问，我建议您参考相关的技术手册、专业网站或咨询专业的电子工程师。
电解电容是通过电解质作用在电极上形成的氧化层作为绝缘层的电容，通常具有较大的容量。电解质是液体、胶冻状富含离子的物质，大多数电解电容都是有极性的，也就是在工作时，电容的正极的电压需要始终比负极电压高。
晶圆键合技术是指通过化学和物理作用将两块已镜面抛光的同质或异质的晶片紧密地结合起来，晶片接合后，界面的原子受到外力的作用而产生反应形成共价键结合成一体，并使接合界面达到特定的键合强度。
几乎所有使用MCU的产品，外围电路都离不开晶振电路设计，大多数电子设计人员从入门开始都会接触到晶振电路，但实际上，很少有人真正了解晶振电路是如何工作的，在晶振出现问题之前，多数人不会付出太多精力去关注振荡器电路设计是否合理，通常等到产品量产，由于晶振而导致的大面积宕机现象时，才开始注意到晶振电路设计是否合理。
7月29日消息，村田制作所公布了今年二季度（4-6月）的财报，销售额为4366亿日元，同比下滑0.7%；营业利润为886亿日元，同比下滑15.7%；净利润752亿日元，同比下滑3%。需要指出的是，虽然业绩下滑幅度不算大，但是这也是得益于日元贬值的利好支撑。
该生物电池利用的是微生物发电，发电能力稳定。 这张看着弹性十足的皮一样的科技产品，当笔者第一眼看见的瞬间，是觉得从下面的小动物身上扒下来的： 其实，这是，生物电池。 这款生物电池是可穿戴设备（又称柔性设备）的一种，它的核心技术在于采用微生物作为储电材料，表现形式是纺织物（即衣服采用的纤维等）。与传统电池类比，这里的微生物就相当于现在电池里采用的锂离子；这里的纺织物即现有的电池芯；而人体内排出的汗水就是充电的电源。 为什么人体内的汗水是充电的电源呢？这主要因为研究人员采用微生物细胞作为储电材料。同传统电池的原
周末被老婆challenge了。之所以用这个英文词汇，是因为实在难以找出一个恰当的中文，来表达这个意思。挑战？盘问，质疑？臭骂？好像都不对劲儿。对了，想来想去，只有diao这个词有点儿接近，又实在是难登大雅之堂。语言真是个奇怪的东西。
前面的笔记已经分别整理过载流子注入型和积累型这两种类型的硅基调制器(注入型笔记链接和积累型笔记链接)，这篇笔记整理下另一类硅基调制器——载流子耗尽型调制器。
众所周知，对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础，高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有着极高的要求，接下来我们来看看安森美(onsemi)在SiC MOSFET器件设计和制造上都获得了哪些进展和成果。
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