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擦除/写入闪存时的S32K146EVB读取冲突

S32K146EVB是一种汽车电子控制单元（ECU），用于控制车辆的各种功能和系统。在汽车行业中，ECU通常使用闪存来存储程序代码和数据。

擦除/写入闪存时的读取冲突是指在擦除或写入闪存期间，尝试读取闪存中的数据可能会导致冲突或错误。这是因为在擦除或写入操作期间，闪存可能处于不可靠的状态，读取操作可能会返回不正确的数据。

为了解决这个问题，通常会采取以下措施：

闪存读取冲突检测：在进行擦除或写入操作之前，先检测是否有其他读取操作正在进行。如果有，可以等待读取操作完成后再执行擦除或写入操作，以避免冲突。
闪存读取冲突处理：如果在擦除或写入操作期间有读取操作发生，可以采取一些处理策略，例如等待读取操作完成后再执行擦除或写入操作，或者中断读取操作并返回错误码。
锁定闪存区域：在进行擦除或写入操作时，可以将相关的闪存区域锁定，防止其他读取操作对该区域进行访问，从而避免读取冲突。
错误处理和恢复：如果发生读取冲突或其他错误，需要进行适当的错误处理和恢复机制，例如重新尝试操作、记录错误日志或报警。

对于S32K146EVB这样的汽车ECU，读取冲突可能会导致严重的安全和功能问题，因此在设计和开发过程中需要特别关注和处理这个问题。

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相关搜索:使用imencode()时的访问冲突读取位置读取gzip的zlib时出现访问冲突读取或写入csv时的多进程在visual studio c++中引发读取访问冲突异常的写入函数。fprintf在写入和读取时出现的问题为什么我的闪存控制寄存器在我写入(STM32)时没有更新？使用RTTI读取/写入泛型类型的属性时出错 spark saveAsTable在读取和写入hive表时是如何工作的读取卡片卡对象上的位置0xCCCCCCCC时发生C++访问冲突 "TypeError:写入不一致的bot时，无法读取未定义的属性'send‘“Hibernate在读取和写入Java Calendar对象到SQL TIMESTAMP时使用的时区是什么？当html元素没有确定的id时，使用selenium和pandas读取和写入文本值 Java:读取/写入保存在Excel中的UTF-8 .csv文件时出现问题如何在从csv读取或写入csv时保留数据帧的数据类型“列表”从Firebase的Firestore读取时不能写入值。说“更新不是一个函数”在Python 3上子进程(写入者)处于睡眠状态时被阻塞的管道上的读取从VBA读取和写入文本文件时，EOF()迭代仅在10%的时间内工作有没有办法在到达文件末尾util时阻止读取java中有新的数据写入文件 Gradle:处理任务时出现异常java.io.IOException“无法读取”“无法写入”“重复的压缩条目”当使用文件读取数据和写入文件时，我无法获得正确的答案，但当我调试时，它工作得很好

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1.2 EPROMEPROM（Erasable Programmable Read-Only Memory，可擦写可编程只读存储器）：是可擦写的可编程只读存储器，允许用户将数据写入其中，并且在需要修改数据时可以将其擦除并重新编程...闪存卡通过闪存控制器将数据写入或读取NAND闪存芯片。NAND闪存芯片中存储单元被组织成一个或多个存储块，每个块通常包含多个页。闪存控制器负责管理闪存块的擦写和读取，以及维护闪存中的文件系统。...USB闪存驱动器的原理是将数据写入或读取NAND闪存芯片，并通过USB接口将数据传输到计算机。...固态硬盘的原理是将数据写入或读取NAND闪存芯片，并通过SATA或PCIe接口将数据传输到计算机。固态硬盘中的控制器负责管理闪存块的擦写和读取，并将存储的数据转换为计算机可以识别的文件系统格式。...将信息转换为微小的凹坑和平台等结构，激光读写头在光盘表面扫描时，通过反射和衍射信号的强度变化来读取数据。

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在执行闪存写操作时，任何对闪存的读操作都会锁住总线，在写操作完成后读操作才能正确地进行；既在进行写或擦除操作时，不能进行代码或数据的读取操作。...相对 FLASH 读取来说， STM32F4 FLASH 的写就复杂一点了，下面我们介绍 STM32F4 闪存的编程和擦除。 ...在对 STM32F4 的 Flash 执行写入或擦除操作期间，任何读取 Flash 的尝试都会导致总线阻塞。只有在完成编程操作后，才能正确处理读操作。...针对所需存储器地址（主存储器块或 OTP 区域内）执行数据写入操作：并行位数为 x8 时按字节写入（PSIZE=00）并行位数为 x16 时按半字写入（PSIZE=01）并行位数为 x32...时按字写入（PSIZE=02）（我们是这个）并行位数为 x64 时按双字写入（PSIZE=03）等待 BSY 位清零，完成一次编程。

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NOR的传输效率很高,在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。 NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。...应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。...NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。大多数写入操作需要先进行擦除操作。 NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。...）时速度非常快，非常适用于顺序读取的场合，而NOR的读取速度很快，在随机存取的应用中有良好的表现。...在NOR闪存上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND闪存上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR闪存在进行写入和擦除操作时都需要MTD

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c、数据读取：读出操作时，控制栅极上施加的电压很小，不会改变浮栅中的电荷量，即读出操作不会改变FLASH中原有的数据，也即浮栅有电荷时，D和S间存在导电沟道，从D极读到‘0’；当浮栅中没有电荷时，D和...b、串联结构决定了NAND FLASH无法进行位读取，也就无法实现存储单元的独立寻址。此程序不可以直接在NAND 中运行,因此NAND是以Page为读取单位和写入单位，以Block为擦除单位。...c、NAND FLASH写入采用F-N隧道效应方式，因此NAND擦除/写入速率很高，适用于频繁擦除/写入场合。同时NAND是以Page为单位进行读取的，因此读取速率也不算低（稍低于NOR）。...它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。RAM工作时可以随时从任何一个指定的地址写入或读取信息。...MRAM STT 的访问时间在纳秒级别且写入功耗极低（只有7.5uA），速度表现远超过闪存甚至接近 DRAM。

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4 NAND Flash & NOR Flash FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具有电可擦除可编程（EEPROM）的功能，还不会断电丢失数据，同时可以快速读取数据（NVRAM...在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。 NAND Flash NANDFlash的存储容量比NORFlash大，如K9F1208U08为64M。...它没有采取内存的随机读取技术，而是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。...NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。...两者对比 NOR Flash的读取速度比NAND稍快一些。 NAND Flash的写入速度比NOR快很多。 NAND Flash的4ms擦除速度远比NOR的5s快。

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SSD基本介绍

SSD由闪存芯片和闪存翻译层组成，闪存芯片取代了传统硬盘中的机械磁盘驱动器，而闪存翻译层则负责将CPU的读写请求转换为对芯片的读写控制信号，类似于硬盘中的磁盘控制器。...然而，SSD也存在一些局限性，主要问题包括：随机写入速度：基于EEPROM的擦除原理，SSD的随机写入速度相对较慢。闪存块的擦写寿命：SSD的闪存块有有限的擦写次数，可能导致数据丢失。...为了解决这些问题，SSD采用了磨损均衡技术，主要分为两种：动态磨损均衡：在写入数据时，自动选择较新的闪存块，以平衡各块的磨损。...例如，对于一个256 GB的SSD，如果其闪存的擦写寿命为500次，那么需要写入125 TB数据才可能损坏；而目前的Flash芯片已经能够实现至少上万次的擦写。...发热：SSD发热较少，即使在长时间运行后，表面也不会有明显的发热感。相比之下，HDD在运行一段时间后，表面会明显发热。读取速度：SSD的读取和写入速度普遍可以达到500M/s以上，是HDD的3-5倍。

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关于半导体存储的最强入门科普

ROM只读存储器：很好理解，可以读取，不可以写入。...RAM随机存取存储器：指的是它可以“随机地从存储器的任意存储单元读取或写入数据”，这是相对传统磁存储必须“顺序存取（Sequential Access）”而言的。...但是，NOR Flash的写入和擦除速度很慢，而且体积是NAND Flash的两倍，所以用途受到了很多限制，市场占比比较低。...它以页为单位读写数据，以块为单位擦除数据，故其写入和擦除速度虽比DRAM大约慢3-4个数量级，却也比传统的机械硬盘快3个数量级，被广泛用于eMMC/EMCP、U盘、SSD等市场。前面提到了eMMC。...一般来说，性能越强的存储器，价格就越贵，会越离计算芯片（CPU/GPU等）越近。性能弱的存储器，可以承担一些对存储时延要求低，写入速度不敏感的需求，降低成本。

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比如，闪存在写之前必须先擦除，不能覆盖写，于是固态硬盘才需要垃圾回收（Garbage Collection，或者叫 Recycle）；闪存每个块（Block）擦写次数达到一定值，这个块要么变成坏块，要么存储在上面的数据不可靠...擦除操作正好相反，是在衬底加正电压，把电子从浮栅极中吸出来,如图3-2所示： ?...图3-2 左：写原理；右：擦除原理在2014年的闪存峰会上，浮栅晶体管的发明人施敏（Dr.Simon Sze）被授予终身成就奖，以表彰他发明了浮栅极晶体管。...读的时候采样电压值，落在1范围里面，就认为是1；落在0范围里面，就认为是是0。擦除之后，闪存读出来的值为1，充过电之后，就是0。所以，如果需要写1，就啥都不用干，写0，就需要充电到0。 ?...但同时，一个存储单元电子划分的越多，那么在写入的时候，控制进入浮栅极的电子个数就要越精细，所以写耗费的时间就越长；同样的，读的时候，需要尝试用不同的参考电压去读取，一定程度上加长读取时间。

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由于有大量的读写操作，于是我们的 NAND Flash 制定了如下的读写规则：删除数据时，芯片将标记这些 Page 为闲置状态，但并不会立马执行擦除操作。...写入数据时，如果目前磁盘剩余空间充足，则由芯片指定 Block 后直接按 Page 为单位进行写入即可。...写入数据时，如果目前磁盘剩余空间不足，为了获得足够的空间，磁盘先将某块 Block 的内容读至缓存，然后再在该 Block 上进行擦除操作，最后将新内容与原先内容一起写入至该 Block。...假如现在我要向磁盘中写入一张图片的数据，这个图片的数据大小刚好为一个 Page。最坏的情况就是，内存中恰好只有一个 Block 恰好有一个 Page 的无效数据可以擦除。...我的天啊，其实想存储的就是1个 Page 的图片内容，但是实际上确造成了整个 Block 的内容都被重新写入，同时原本简单一步搞定的事情被还被分成了前后四步执行（闪存读取、缓存改、闪存擦除、闪存写入）造成延迟大大增加

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软硬件融合技术内幕终极篇 (10) —— 数据持久化的秘密 (上)

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Flash中XIP模式

NOR Flash和Nand Flash 上面2种flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。...NOR 的传输效率很高，在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。NAND的结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。...应用NAND的困难在于Flash的管理和需要特殊的系统接口。通常读取NOR的速度比NAND稍快一些，而NAND的写入速度比NOR快很多。...，另外由于Nand flash没有挂接在地址总线上，所以如果想用Nand flash作为系统的启动盘，就需要CPU具备特殊的功能，比如s3c2440在被选择为NandFlash启动方式时会在上电时自动读取...这个问题在Flash存储关键文件时是致命的，所以在使用NandFlash时建议同时使用EDC/ECC等校验算法。”

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