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    【IoT迷你赛】使用传感器和JS控制小米智能灯

    接入门传感器 这部分包含控制台操作 LoRa 传感器,控制台操作 LoRa 网关、网关实物操作、传感器实物操作等步骤。具体操作步骤如下: 1. 控制台操作 LoRa 传感器 1.1....产品名称输入“LoRa传感器”或其他产品名称。 产品类型选择“传感器”。 认证方式选择“密钥认证”。 通信方式选择“LoRaWAN”。...[网关上线确认] 4 LoRa 传感器实物操作 4.1 传感器复位 根据 《传感器RHF1S020DWS规格书》中的操作说明,按照章节 3.8 进入无线固件升级, 将磁铁贴近传感器(CE标志面的对面...[传感器复位] 4.2 下发归属 传感器在刚复位上电的一两分钟会上报3条归属状态的消息,我们必须在这点时间内尽快下发归属命令。...[属性更新] 至此,传感器的接入便完成了。 编码联动 编码联动分两个步骤,分别是用JS控制智能灯,以及将其放到传感器的状态变化事件中。

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    不改设备固件,直接让成品LoRaWAN接入腾讯云物联网开发平台

    腾讯云之所以能快速对接多家设备厂商开发的LoRaWAN智能产品,得益于物联网开发平台的设备数据解析引擎,硬件合作伙伴只需通过编写云端脚本,将其设备协议转化成云平台统一的数据模版。...产品名称输入“LoRa传感器”或其他产品名称。 产品类型选择“传感器”。 认证方式选择“密钥认证”。 通信方式选择“LoRaWAN”。...产品新建成功后,您可在产品列表页查看到“LoRa传感器”。 创建数据模板 选择“传感器”类型后,自定义产品功能。...2 LoRaWAN 传感器实物操作 2.1 传感器复位 根据 《传感器RHF1S020DWS规格书》 中的操作说明,按照章节 3.8 进入无线固件升级, 将磁铁贴近传感器(CE标志面的对面)...2.2 下发归属 传感器在刚复位上电的一两分钟会上报3条归属状态的消息,我们必须在这点时间内尽快下发归属命令。

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    不改设备固件,直接让成品LoRaWAN接入腾讯云物联网开发平台

    腾讯云之所以能快速对接多家设备厂商开发的LoRaWAN智能产品,得益于物联网开发平台的设备数据解析引擎,硬件合作伙伴只需通过编写云端脚本,将其设备协议转化成云平台统一的数据模版。...文中示例为瑞兴恒方 RHF1S020 智能楼宇套件中的传感器,经过厂商确认,设备协议为公开协议,因此可以对外展示。...产品名称输入“LoRa传感器”或其他产品名称。 产品类型选择“传感器”。 认证方式选择“密钥认证”。 通信方式选择“LoRaWAN”。...2 LoRaWAN 传感器实物操作 2.1 传感器复位 根据 《传感器RHF1S020DWS规格书》 中的操作说明,按照章节 3.8 进入无线固件升级, 将磁铁贴近传感器(CE标志面的对面)...[explorer_guide_building_5_dws_reset.png] 2.2 下发归属 传感器在刚复位上电的一两分钟会上报3条归属状态的消息,我们必须在这点时间内尽快下发归属命令。

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    珠的作用

    珠的作用在成品电路板上,我们会看到一些导线或元件的引脚上套有黑色的小环,这就是本文要介绍的珠。...珠的全称为铁氧体珠滤波器(另有一种是非晶合金磁性材料制作的珠),是一种抗干扰元件,滤除高频噪声效果显著。...铁氧体珠广泛应用于印制电路板,如在印制板的电源线入口端套上珠(较大的环),就可以滤除高频干扰。...铁氧体环或珠专用于抑制信号线、电源线上的高频干扰和尖峰干扰,它也具有吸收静电放电脉冲干扰的能力。 电感是储能元件,而珠是能量转换(消耗)器件。...珠用来吸收超高频信号,例如在一些RF电路、PLL、振荡电路、含超高频存储器电路等,都需要在电源输入部分加珠。 珠的单位是欧姆,是按照它在某一频率下产生的阻抗来标称的。

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    如何设计线圈 - 空芯、铁氧体芯和环形芯绕组

    在铁线圈上缠绕线圈会聚焦磁场,从而增加电感。芯插入线圈直径前后的电感比称为相对磁导率(记为 μ r)。...每种芯材料只能在指定的频率范围内使用,超出该频率范围的芯开始出现高损耗。环形、多孔径芯、罐形芯和其他封闭芯将磁场封闭在芯内部,从而提高了效率并实际上将干扰降低到零。...如果线圈用于低功率水平,则线径不是那么重要,0.3mm 适用于大多数应用,如果线圈用于晶体管无线电接收器,0.12mm 适用于罐装。...铁氧体棒上的绕组线圈铁氧体棒上的绕组线圈(例如无线电接收器中的铁氧体棒天线)类似于缠绕空芯线圈,但由于您无法钻穿铁氧体棒,因此您必须依靠双面胶带或胶水来固定电线紧紧。...环形芯具有广泛的应用,例如 SMPS 中的滤波电感器、 RFI 扼流圈、SMPS 电源变压器、RF 输入滤波器、巴伦、电流互感器等。

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    物联网网关开发:基于MQTT消息总线的设计过程(上)

    当开门时,发出信号,自动打开灯光; 如果“输入”设备与“输出”设备是不同类型的无线通信协议,也需要网关来进行协议转换。...先关注图中红色箭头,忽略蓝色箭头: 打开后,通过无线通信把信息上报给进程 Proc_CF。...Proc_RF 进程接收到 RF433 通信模块上报的数据,把“打开”这个信息发送到消息总线上的 topic:$iot/v1/RF/Report。...由于 Proc_Protocol 进程订阅了这个 topic,因此接收到上报的数据。...Proc_Auto 查找自己的配置信息(假设用户已经提前配置好了一条规则:当打开的时候,就触发声光报警器),发现匹配到了“->报警器”这条规则,于是发出一条控制报警器的指令,发送到消息总线上的

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    精读《自由 + 贴混合布局》

    早些我们介绍过了 贴布局 - 功能分析 与实现,现在我们来做一个更进一步的思考,如何让贴布局与自由布局混合实现?...贴与自由布局的差异 贴布局与自由布局在交互上有很多差异,比如: 贴布局不能重叠,自由布局可以重叠。 贴布局可以向上方吸引,自由布局不会被吸引。...用像素实现贴布局 因为自由布局使用像素计算非常容易,所以我们只讲贴布局下如何用像素计算。...自由布局对齐贴布局 自由布局在大部分情况下是无法对齐贴布局的,因为即便我们将这两种布局的位置统一使用像素描述,但贴布局还是免不了会在不同尺寸的屏幕间缩放,也就是贴布局组件的位置是不固定的,而自由布局组件的位置是固定的...总结 自由与贴混合布局模式下,还有更多值得我们思考的地方,比如: 是否允许贴布局与自由布局的组件产生碰撞。 怎么设计才能在同时多选了贴与自由布局组件时,批量拖动。

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    精读《贴布局 - 性能优化》

    经过上一篇 精读《贴布局 - 功能实现》 的介绍,这次我们进入性能优化环节。 精读 贴布局性能优化方式有很多,比如通过空间换时间,存储父子关系的索引,方便快速查找到目标组件。...栅格碰撞判定法 再思考一个问题,正是由于贴布局的碰撞判定,导致 贴布局不可能存在组件重叠的情况,因此即便画布存在 1000 个组件,只要组件宽高不是特别小(比如每个组件 1px 宽高,挤满 1000px...除了碰撞判断外,贴拖拽过程中还有两个场景需要计算组件间碰撞关系,主要包括 落点位置 与 落点后组件排序 两个场景。...落点位置 由于贴布局的重力是垂直向上的,因此落点只会落在当前组件的上方,也就是落点只会与上方组件碰撞,因此考虑垂直向上的栅格区域即可。...但一般情况贴布局高度远大于宽度,所以可能往较坏的 O(n) 复杂度发展,但不论如何,这个线性性能是可接受的。

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    精读《贴布局 - 功能实现》

    经过上一篇 精读《贴布局 - 功能分析》 的分析,这次我们进入实现环节。 精读 实现贴布局前,先要实现最基础的组件拖拽流程,然后我们才好在拖拽的基础上增加贴效果。...贴布局影响因子 贴布局入场后,仅影响 onDrag 阶段。在之前的逻辑中,拖拽是完全自由的,那么贴布局就会约束两点: 对当前拖拽组件位置做约束。 可能把其他组件挤走。...除此之外,贴布局还允许组件按照重力影响向上吸附,因此我们需要做一个 runGravity 函数,把所有组件按照重力作用排列。...总结 因为篇幅有限,本文仅介绍贴布局实现最关键的部分,其他比如步长功能,如果后续有机会再单独整理成一篇文章发出来。...因此贴布局也要做性能优化,这个我们放到下篇文章介绍。 版权声明:自由转载-非商用-非衍生-保持署名(创意共享 3.0 许可证)

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    保护模式第六讲-IDT表-中断 陷阱 任务

    目录 保护模式第六讲-IDT表-中断 陷阱 任务 一丶IDT表 1.1 中断段描述符表 1.2 中断的Call调用流程流程图 1.3 中断的调用以及返回 1.4 中断的构造与代码 二丶陷阱...2.1 陷阱段描述符 2.2 陷阱与中断的不同 2.2.1 中断 三丶任务段与任务 3.1 TSS 学习. 3.1.1 TSS简介 3.1.2 TSS内存结构 3.1.3 TSS 段描述符 3.1.4...IDT表也是 记录在 IDTR 以及 IDTL 两个寄存器中 其中IDT表中 只能存储 中断段描述符表 陷阱段描述符表 任务段描述符表 其中 中断段描述符表 陷阱们段描述符表 其实都跟调用用法一样...中断为0 陷阱为1 如果按照16进制来说. 一个是E 一个是F 陷阱的构造 以及代码调用与中断一样....而且参数也不能有 0000EF00`00080000 2.2 陷阱与中断的不同 陷阱与中断唯一的不同就是 EFLAGS 位中的 IF位 中断 -执行后 IF 设置为0 陷阱 -执行后 -

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    线与逻辑与OC、OD关系

    在硬件上,要用OC(三极管,集电极开路)或OD(NMOS,漏极开路)来实现。另外,为了防止灌电流过大,在输出端要加1个上拉电阻。 我们先来说说集电极开路输出的结构。...所谓漏极开路是指CMOS门电路的输出只有NMOS管,并且它的漏极是开路的。使用OD时必须在漏极和电源VDD之间外接一个上拉电阻(pull-up resister)RP。...上拉电阻对OD动态性能的影响:   当其他门电路作为OD的负载时,OD称为驱动,其后所接的门电路称为负载。...由于驱动的输出电容、负载的输入电容以及接线电容的存在,上拉电阻势必影响OD的开关速度,RP的值越小,负载电容的充电时间常数也越小,因而开关速度越快。...与普通CMOS电路相比,RP的值比PMOS管导通电阻大,因而,OD从低电平到高电平的转换速度比普通CMOS慢。 版权声明:本文内容由互联网用户自发贡献,该文观点仅代表作者本人。

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