由 上图和数据可知，三极管相当于是用小电流（Ib）控制大电流（Ic）， 截止区就是Ube0.5开始，注意并不是要大于0.7V，0.7V是二极管的导通电压，在放大区里，Ube一般是大于0.5V，小于0.65V，此时Ic是Ib的线性放大倍数。
三极管在外加电压的作用下，形成基极电流、集电极电流和发射极电流，成为电流放大器件。 三极管的电流放大作用与其物理结构有关，三极管内部进行的物理过程是十分复杂的，初学者暂时不必去深入探讨。...从应用的角度来讲，可以把三极管看作是一个电流分配器。...三极管自身并不能把小电流变成大电流，它仅仅起着一种控制作用，控制着电路里的电源，按确定的比例向三极管提供 、 和 这三个电流。...不是由三极管产生的，是由电源 在 的控制下提供的，所以说三极管起着能量转换作用。...三极管的导通条件 1.饱和： 当三极管饱和时发射结和 集电结 均处于正向偏置，对NPN管 不受 的控制。
1、对于NPN型三极管来说，其功能是用基极B极小的电流去引出集电极C巨大的电流，Ibe电流大小由 Ib基极电流决定。...2、三极管相当于两个二极管组成，所以只要PN结压差大于0.7V，有电流有就导通了 3、NPN型： 截止态：Ube<0.7V 放大态：Ube>0.7V，Uc>Ub>Ue，集电极处于正向压差，基极处于反向压差...最大电流为三极管的极限电流。
它可用于电流主通道控制，芯片上集成了具有极低线上导通电阻的mosfet，肖特基二极管、取样电阻和分压电阻等硬件电路，并具有过流保护、过温保护、精密基准源、差分放大器、延迟器等功能。...我们可以看到这是一个三极管推动MOS管的电源控制电路，极管和MOS管在驱动上是有区别的，三极管是电流驱动，而MOS管是电压驱动，三极管的基极驱动电压只要高于Ube的死区电压即可控制三极管导通，硅材料三极管的死区电压一般为...而MOS管就不一样了，MOS管是电压型驱动，其驱动电压必须高于其死区电压Ugs的最小值才能导通，不同型号的MOS管其导通的Ugs最小值是不同的，一般为3V~5V左右，最小的也要2.5V，但这也只是刚刚导通...Q2为MOS管AO3401（根据实际电压和电流选型），Q3三极管SS8050（一般8050电流足够驱动），VCC33_PWR，就是单片机端的控制信号，由单片机的IO口控制电源的通断，如果是使用STM32...高电平打开电源导通，低电平关闭电源导通。 希望以上知识能给大家带来对硬件电路的一定性了解，电路上的骚操作，后续会带大家慢慢了解，请持续关注。 注意器件要根据实际情况选型！
请看图，假设三极管基极电流为1MA，三极管直流放大倍数为50，那么在三极管集电极就 有50MA 电流。...这时如果RL 取100Ω，那么在RL 两端分得电压5V，而另5V 就加在三极管 上，这时三极管处于正常放大状态。如果RL 取300Ω呢？根据计算。在RL 上应该分得15V 电压。...可这里电源电压只有10V， 那么这10V 电压几乎全加在了电阻上，而三极管分得电压极小。这样三极管就处于饱和状 态。这时电流等于电压除以RL 约为33MA。总结，电路是否处于放大还是饱和。...由输入电 流，三极管放大倍数，负载阻抗，和电源电压共同决定。 简单点说：只要三极管可以提供的电流（这时是50MA）大于负载提供的电流（RL 取300 时， 是33MA），三极管就饱和了。...三极管饱和有什么用？三极管饱和后CE 电压极低，功率P＝ I * U 电压越低，当然功耗越小了，用来当作电子开关，比如控制继电器等。
三极管基极驱动电压只要高于Ube（一般是0.7V）就能导通。 现在的大家都讲究低功耗，供电电压也越来越低，一般单片机供电为3.3V，所以它的I/O最高电压也就是3.3V。...到这可能会有硬件基础好的小伙伴要说了，MOS管也可以啊，为什么非得用三极管呢？...在半导通状态下，管子的内阻很大，驱动小电流负载可以这么用。但是大电流负载就不行了，内阻大，管子的功耗大，MOS管很容易就烧坏了。所以，一般选择三极管来配合单片机IO口驱动。...I/O口驱动三极管后再驱动MOS管 当I/O为高电平时，三极管导通，MOS管栅极被拉低，负载RL不工作。...当I/O为低电平时，三极管不导通，MOS管通过电阻R3，R4分压，为栅极提供合适的阈值电压，MOS管导通，负载RL正常工作。
GPIO 的引脚与外部硬件设备连接，可实现与外部通讯、控制外部硬件或者采集外部硬件数据的功能。...当引脚电压高于VDD时，上方的二极管导通；当引脚电压低于VSS时，下方的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。也叫钳位二极管。...推挽结构一般是指两个参数相同的三极管或MOS管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管或MOS管导通的时候另一个截止。高低电平由输出电平决定。 推挽输出和开漏输出 左侧为推挽输出，可以输出高低电平。...图中所示为三极管，也可以叫开集输出（集电极开路输出），开漏输出是当这个管子为MOS管，漏极开路输出，叫开漏输出。 推挽输出：上面三级管导通，输出高电平，下面三极管导通，输出低电平。...开漏输出：三极管导通输出低电平，三极管截止是高阻态，电平由外部上拉电阻决定。
硬件取反的方式有也有很多，最直接的方式就是使用反相器，比如74HC04D、SN74LVC1G04等，将单片机的输出口OUT1、OUT2、、OUT3、OUT4串联反相器即可。...或者可以使用三极管或MOS管来实现取反，下面以三极管为例，使用NPN型或PNP型三极管都可以实现反相的功能，具体原理如下图所示。...○NPN三极管：当输入为低电平时，三极管Q36截止，输出高电平；当输入为高电平时，三极管Q36导通，输出为低电平。...○PNP三极管：当输入为低电平时，三极管Q3导通，输出高电平；当输入为高电平时，三极管Q36截止，输出为低电平。...▲三极管设计反相器的原理 同理，使用MOS管的方法类似，除此之外还可以使用光耦、继电器等其它元件实现。 现在连焊个取反都要百度了，羞愧啊
1.1、NPN型三极管 NPN型三极管，适合集电区（c）连接负载到VCC，发射区（e）连接到GND，若此时基区（b）电压高于发射区（e）0.7V，NPN型三极管导通。...基区（b）用高电平驱动NPN型三极管导通，低电平驱动截止。 ?...基区（b）用高电平驱动PNP型三极管截止，低电平驱动导通。 ?...栅极（gate）用低电平驱动P-MOS场效应管导通，高电平时截止。 设定下图P-MOS场效应管阈值电压（Vth）为-1.5V，导通状况如下所示： ?...N-MOS场效应管用高电平驱动导通，低电平截止。 设定下图N-MOS场效应管阈值电压（Vth）为1.5V，导通状况如下所示： ?
，降低晶体管T1功耗 电阻R2使晶体管T1可靠截止/or稳定静态工作点 二极管D1反向续流，为三极管由导通转向关断时为继电器线圈中的提供泄放通路，并将其电压箝位在+12V上 集成电路驱动电路 目前已使用多个驱动晶体管集成的集成电路...具体电路如下： 原理简介 NPN 晶体管驱动时：当晶体管 T1 基极被输入高电平时，晶体管饱和导通，集电极变为低电平，因此继电器线圈通电，触点 RL1 吸合。...继电器的续流二极管1n4148 继电器线圈并联二极管的作用是什么_继电器_电工之家 继电器端并联二极管 硬件篇：继电器端并联二极管_Michael强强的博客-CSDN博客 三极管继电器驱动电路设计 –...而CE结电压约为0.3V，导通时候岂不是VC小于VB了，这么理 – 我爱研发网 52RD.com – R&D大本营 1.三极管工作在放大的条件是Uc>Ub,而饱和区则不要求满足此条件 2.三极管导通并不要求它工作在放大区...，所以导通推不出工作在放大区，所以导通是不必满足放大区才需满足的条件Uc>Ub 事实上，导通时，Ub同时大于c.e的电位，即两个二极管均正偏，要是（Ub同时大于c.e的电位）能推出–>电路是导通的，那么你也就可以接受
一文搞懂三级管和场效应管驱动电路设计及使用 最近在工作中见到一种开关控制电路，MCU控制三极管，然后再控制MOS管，如下图所示： 电路解析： 当I/O为高电平时，三极管导通，MOS管栅极被拉低，1.8V...电源导通； 当I/O为低电平时，三极管不导通，MOS管不导通，1.8V电源不导通。...三极管的基极驱动电压只要高于Ube的死区电压即可控制三极管导通，硅材料三极管的死区电压一般为0.6V，锗材料三极管的死区电压一般为0.3V，所以控制三极管的电压对于硅材料的三极管来说只要高于0.6V左右即可...所以MCU先连接控制三极管； 而MOS管就不一样了，MOS管是电压型驱动，其驱动电压必须高于其死区电压Ugs的最小值才能导通，不同型号的MOS管其导通的Ugs最小值是不同的，一般为3V~5V左右，最小的也要...2.5V，但这也只是刚刚导通，其电流很小，还处于放大区的起始阶段，一般MOS管达到饱和时的驱动电压需6V~10V左右。
例如，在智能开关产品中通过零点电压检测技术来实现零电压时刻导通，从而抑制开机浪涌电流，达到保护继电器触点等器件的目的；在调光开关/调光器、电机调速产品中，通过零点电压检测技术可从零点开始控制交流电导通角的大小...设计注意点： 1.比较器输入电压范围及保护电路 2.可使用一些迟滞来提高抗干扰能力 二、采用三极管的过零检测电路 通过分压电阻将交流信号衰减至三极管基极，利用三极管特性进行过零检测来改变输出状态。...设计注意点： 1.分压电阻的取值 2.三极管的工作状态、温度特性 3.图2注意交流输入与参考地的关系 三、采用光耦隔离的过零检测电路 利用二极管导通和光耦隔离特性进行过零检测来改变输出状态。...带过零检测功能的电源芯片； 2.罗姆半导体(ROHM)的过零检测IC，BM1Z系列 上述仅简单举例几种常见的过零检测电路，除此之外仍有很多电路可实现该功能检测，当然在实际工程应用中也会碰到一些细节问题，例如：硬件电路延时
一、概述 在硬件设计中有时候经常会遇到，主芯片引脚使用的1.8V、3.3V、5V等，连接外部接口芯片使用的3.3V、5V等，由于电平不匹配就必须进行电平转换。...当IN输入0V时，三极管Q1导通，OUT被拉低到接近0V 电平，实现低电平转换；当IN输入高电平VDDA时，三极管Q1截止，此时OUT被电阻R3上拉至VDDB，从而实现高电平转换。...图2右图实现原理： 当输入IN为低电平时，三极管Q2关断，三极管Q3导通，输出OUT被拉低，从而实现低电平转换；当输入IN为高电平VDDA时，三极管Q2导通，从而三极管Q3被拉低关断，从而输出OUT被电阻...当终端设备TXD接口输出0V时，三极管Q1导通，单片机RXD接口被拉低到接近0V电平，实现低电平转换；当终端设备TXD接口输出高电平5V时，三极管Q1截止，此时单片机RXD接口被电阻R1上拉至3.3V，...（2）导通后，压降比三极管小。 （3）正反向双向导通，相当于机械开关。 （4）电压型驱动，需要一定的驱动电流。
（雪崩或齐纳击穿）： N区和耗尽区被碰撞电离的空穴向P区注入，P区和耗尽区被碰撞电离的电子向N区注入； 1.2 三极管相关知识 NPN和PNP导通的条件：发射结正偏，集电结反偏； NPN导通时，集电极收集电子...2.4如图1，当VSS端电位下冲小于GND 0.7V时； 由于Rpw的存在，使NPN1三极管b极电位不能瞬间变化，导致NPN1三极管发射结正偏，由于集电结反偏，所以NPN1三极管导通。...总结：从以上几种情况分析我们可以看出，寄生三极管的导通，其根本原因是由于外接电位的变化，先导致寄生PN结的正偏或反偏击穿，然后在Rpw和Rnw上形成压降，进而使寄生三极管导通形成正反馈，最终形成闩锁。...3.1.3 倒掺杂阱技术 从上面的分析中我们很容易知道，Rpw和Rnw电阻的大小决定了寄生三极管是否导通的主要原因。如图2，Rpw越大在寄生NPN三极管的基级电位就越高，导致NPN三极管越容易导通。...反之，Rnw越大在寄生PNP三极管的基级电位就越低，导致PNP三极管越容易导通。 那么我们只要尽可能降低电阻值就可以阻止寄生三极管的导通，从而阻止闩锁发生。
三极管有三个状态：截止，放大，饱和。我们在单片机电路里，用三极管基本就是用两种状态：截止和饱和状态；即把三极管用作开关来用（饱和后的压降很低，相当于开关）。...在之前我们写的 蜂鸣器解析里贴出了三极管作开关用来驱动蜂鸣器的电路，具体电路图如下图1： ? 图1 上面图一中A电路用的是PNP管，把蜂鸣器接在三极管的集电极，低电平导通，高电平截止。...B电路用的是NPN管，注意蜂鸣器接在三极管的集电极，高电平导通，电阻按照经验法可以取4.7K。...例如B电路，导通时假设为高电平5V，基极电流Ib=（5V-0.7V）/4.7K=0.9mA，可以使三极管完全饱和。以上这两个都可以正常工作，只要给对应的驱动信号蜂鸣器（有源）都会发出声音。...我们以NPN三极管为例，电路如下图2： ? 图2 假设导通时高电平5V，基极电流Ib=（5V-0.7V- UL）/4.7K，其中UL为被驱动器件上的压降，此处为蜂鸣器的压降。
图3 为第三种错误接法，三极管的高电平门槛电压就只有 0.7V，即在 BUZZER 端输入 压只要超过0.7V就有可能使三极管导通，显然0.7V的门槛电压对于数字电路来说太低了， 电磁干扰的环境下，很容易造成蜂鸣器鸣叫...图 4 为第四种错误接法，当CPU的GPIO管脚存在内部下拉时，由于 I/O 口存在输入阻抗，也可能导致三极管不能可靠关断，而且和图3一样BUZZER端输入电压只要超过0.7V就有可能使三极管导通。 ...如果删除R2，则三极管的高电平门槛电压就只有0.7V，即A端输入电压只要超过0.7V 就有可能导通，添加R2的情况就不同了，当从A端输入电压达到约2.2V 时三极管才会饱和导通，具体计算过程如下： ...则三极管刚刚达到饱和导通时的基极电流是 IB=15mA/120=0.125mA。...则三极管刚刚达到饱和导通时的基极电流 IB＝80mA／ 120＝0.667mA。
把三极管箭头理解成一个开关，如图1为NPN型三极管，按下开关S1，约1mA的Ib流过箭头，三极管工作在饱和状态，c极到e极完全导通，c极电平接近0V(GND)，负载RL两端压降接近5V。...图1：NPN三极管 如图2为PNP型三极管，按下开关S2，约1mA的Ib流过箭头，三极管工作在饱和状态，e极到c极完全导通，c极电平接近5V，负载RL两端压降接近5V。...图5：NPN三极管驱动蜂鸣器 如图6，对于某些控制信号为低电平时，可能并不是真正的0V，一般在1V以内，为保证三极管完全截止，不得不在三极管b极加一个反向稳压管或正向二极管，以提高三极管导通的阈值电压。...图6：NPN三极管驱动继电器 如图7，为三极管延时导通，快速关断的一个仿真电路，D1、R2、C1、D2构成延时导通Q2的回路，C1的电压为12V的时候Q2导通，R3、Q1、R4、R1构成快速关断Q2的回路...，C1通过R3和Q1快速放电。
因为二极管模型比较简单，我们单纯看BE间的电压，理解成为让二极管导通的原理，就容易理解多了。 如果想让三极管打开，首先需要让这个二极管导通，则需要二极管两端的电压大于其导通电压。...三极管开关与机械式开关的比较 截至目前为止，我们都假设当三极管开关导通时，其基极与射极之间是完全短路的。...如果开关本身应导通而未导通，那就得测试 Vin 的大小了。欲保证三极管导通，其基极的 Vin 电压值就必须够高，如果 Vin 值过低，则问题就出自信号源而非三极管本身了。...假使在 Vin 的准位够高，驱动三极管导通绝无问题时，而负载却仍未导通，那就要测试电源电压是否正常了。 在导通的状态下，硅三极管的 VBE 值要根据数据手册，查看其值的离散型和范围是否符合器件资料。...左边的电路，在基射极间串接上一只二极管，因此使得可令基极电流导通的输入电压值提升了0.6 V，如此即使 Vin 值由于信号源的误动作而接近 0.6V时，亦不致使三极管导通，因此开关仍可处于截止状态。
三极管的内部含有两个PN结，外部有③个引脚分别是 ↓ 集电极C 基极B 发射极E 如下图所示 提示：箭头方向就是发射极的导通方向，由基极向发射极。...这样使Q2开始导通，Q2的集电极输出的电流使Q1迅速饱和导通。注意：流过Q2基极的电流是一个很小的电流，Q2导通后，发射极-集电极的电流是个稍大的电流，这才是Q1导通的关键所在！...Q1导通后，扬声器就有电流流过，使它发声，同时电容C1开始充电，充电电流回路为：Q2发射极→基极→C1→Q1集电极→发射极→电源负极。...因为Q1已经饱和导通，所以Q1的集电极和发射极近似短路，电容C1充电的过程很短暂。此时电容C1充电的电压为左正右负。 电容C1左正右负的电压使Q2的发射结反偏，Q2关断。...使Q2又开始导通，又进入下一个过程，电路就如此循环工作下去。
如下这个三极管共射极驱动电路中，B、E极之间的下拉电阻的作用？是否可以将其去除？ 该电阻有两个重要的作用： 在驱动信号关闭时给三极管基极一个固定的电平。...若没有下拉电阻，则该电路中，SIGNAL≥0.7时，三极管则导通，而加上下拉电阻R2后，若R1=470Ω，R2=10KΩ，则SIGNAL≥0.73时，三极管导通；若R1=470Ω，R2=1KΩ，则SIGNAL...≥1.03时，三极管导通。...Vbe=SIGNAL*R2/(R1+R2)≤0.7 当然，这里面有一个你必须注意的是三极管导通并不意味着负载就可以正常工作，这里面还有一个驱动电流是否满足负载工作电流的问题，而这也正涉及到电阻R1。...另外，在这里面你也可以知道，如果SIGNAL是个干扰信号，那么即使你的三极管被导通了，只要驱动电流足够低，你的负载这时其实也不会启动，但请避免这种情况，一个设计不会翻车并不意味着它不容易翻车。
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