基于XCZU21DR-2FFVD1156E开发，本文介绍对PL DDR4的读写操作，代码全部经过上板测试。
2021 年，JEDEC 宣布发布 JESD79-5 DDR5 SDRAM 标准，标志着行业向 DDR5 dual-inline memory modules （DIMM） 的过渡。DDR5 内存带来了许多关键的性能提升，以及新的设计挑战。计算系统架构师、设计人员和购买人员都想知道 DDR5 与 DDR4 有什么新功能，以及他们如何充分利用新一代内存。
数据选通，当进行数据读取时，对于DDR3来说是输出，边缘与读取的数据对齐。当进行数据写入时，对于DDR3来说是输入，中心与与写数据对齐。
这篇文章我们讲一下Virtex7上DDR3的测试例程，Vivado也提供了一个DDR的example，但却是纯Verilog代码，比较复杂，这里我们把DDR3的MIG的IP Core挂在Microblaze下，用很简单的程序就可以进行DDR3的测试。
DDR1 主要包括 DDR1a、DDR1b、DDR1c、DDR1d 和 DDR1e 五个亚型，亚型的不同主要是由跨膜激酶蛋白的 mRNA 选择性剪接所导致，而 DDR2 至今尚未发现其它亚型。DDRs 在人和小鼠组织中表达广泛，涉及细胞形态的形成、分化、增值、黏附、迁移和侵袭。大量的研究表明，DDR1 和 DDR2 是多种炎性细胞因子分泌的关键介质 [1-3] ，在多种炎症性疾病中失调，如动脉粥样硬化、骨关节炎、器官纤维化。胶原诱导的 DDR1b 的激活可以显著促进巨噬细胞在炎症反应过程中产生白细胞介素 8( IL-8 )、巨噬细胞炎性蛋白 1α (MIP-1α) 和单核细胞趋化蛋白 1 (MCP-1)。DDR1 敲除的小鼠可以降低脂多糖（LPS）诱导的趋化因子分泌，并使死亡率降低。小分子 DDR1 抑制剂可以减少炎性细胞因子的释放，在小鼠炎症模型中明显的治疗效果。
在现代数字化时代，服务器的性能和能力变得越来越关键。随着数据处理和存储需求的不断增长，内存（RAM）在服务器性能中扮演着至关重要的角色。在过去的几十年里，内存技术经历了多次革命性的变革，其中包括DDR3、DDR4和DDR5等内存标准的推出。本文将深入探讨这三种内存标准，比较它们在性能、能效、适用场景等方面的差异，帮助您了解如何选择适合您服务器需求的内存。
内存有SD DDR和DDR2 DDR3之分，4种内存不能混用，拍前请确定自己的机器是用的什么内存，如果不能确定，可以用CPU-Z或者EVEREST这个软件检测一下！
内存的关键指标包括内存大小，速度，较低的工作电压和更快的访问速度。DDR5支持8Gb至64Gb的内存，并结合了3200 MT / s至6400 MT / s的多种数据速率。DDR5的工作电压从DDR4的1.2V进一步降低到1.1V。
美光于前日宣布已经开始向业界中的核心客户出样DDR5内存（RDIMM）了，目前他们在DDR5内存上面使用的是自家最新的1z nm工艺。
本篇作为有关DDR的相关知识的第一篇，先给出DDR的前生SDRAM以及演变DDR/DDR2/DDR3等的总体概念与区别，后面会细分技术细节。文章参考互联网以及国外各大网站以及文献，水平有限，若有疏漏，还请谅解。注：本文首发易百纳技术社区，FPGA逻辑设计回顾（9）DDR的前世今生以及演变过程中的技术差异[1]
处理器在某种程度上都受到内存速度的限制，DRAM制造商正在推进DDR6的开发，这是DDR5之后的下一代RAM。来自Synopsys的细节显示，该技术有望在明年完成，数据速度高达17,600 MT/s，并有可能达到21,000 MT/s或DDR6-21000。
Xilinx的开发板ZCU102支持休眠到内存（suspend-to-ram）。休眠到内存时，DDR进入自刷新，MPSoC被关电，完全不耗电。唤醒时，MPSoC根据外部输入信号判断出不是上电启动而是休眠，就从DDR读出系统状态，恢复系统。 MPSoC启动时，它的DDR控制器会驱动DDR的复位信号，有可能破坏DDR里的数据。为了避免这种情况，需要对DDR复位信号进行特殊设计。 在开发板ZCU102上，DDR复位信号由外部单片机MSP430和MPSoC联合控制，两个的控制信号经过SN74AUC1G32（2输入或）再连接到DDR内存条。MSP430的信号有下拉，缺省情况下只由MPSoC控制DDR复位信号。如果需要支持休眠到内存（suspend-to-ram），MSP430控制I2C芯片输出高，相当于屏蔽了DDR复位功能，使DDR内存条一直不被复位。
[url]http://diy.pconline.com.cn/cpu/reviews/0706/1029812_11.html[/url]
随着计算机硬件技术的迅猛发展，内存技术也在不断迎来新的突破。DDR5内存颗粒作为新一代内存标准，正逐步走入大众的视野，成为无数电脑爱好者和专业人士关注的焦点。那么，DDR5内存颗粒究竟带来了哪些创新和优势呢？
据IT Home报道，三星和SK hynix将永远退役各自的DDR3生产线。据报道，两家韩国内存制造商将在今年下半年停止向市场供应DDR3内存。两家公司都在做出这一改变，以应对对人工智能优化的HBM3内存日益增长的需求，因此三星和SK hynix正专注于更有利可图的市场。
本文首发自：FPGA逻辑设计回顾（10）DDR/DDR2/DDR3中的时序参数的含义[1]上篇文章：FPGA逻辑设计回顾（9）DDR的前世今生以及演变过程中的技术差异[2]有提到，制造商会以一系列由破折号隔开的数字来宣布存储时序（例如5-5-5-5、7-10-10-10等）。CAS延迟始终是这些序列中的第一个数字。
今天给大侠带来《基于FPGA的DDR3多端口读写存储管理设计》，作者：吴连慧，周建江，夏伟杰 南京航空航天大学 电子信息工程学院，南京 210016，话不多说，上货。
本文使用 IP 核自动生成的 DDR3 仿真测试激励对 DDR3 的 IP 核进行仿真。如图所示，打开路径.......\DDR3_test\DDR3_test.srcs\sources_1\ip\mig_7series_DDR3\
DDR 代表双倍数据速率double data rate，GDDR 代表图形双倍数据速率graphics double data rate。但需要明确的是，DDR 和 GDDR 架构在速度、带宽等方面并不共享相同的标准spec。我们可以甚至将它们归类为完全不同的技术，因为 DDR 是为 CPU开发的，而 GDDR 是为图形开发的。全名 GDDR6 SDRAM 代表graphics double data rate type 6 synchronous dynamic random-access memory，其中 SDRAM 是台式机（DDR4 和 DDR5）、笔记本电脑（LPDDR4 和 LPDDR5）和图形处理单元（GDDR6 和 NVIDIA GPU 中的 GDDR6x）中使用内存的基础。
在最新的存储市场动态中，存储芯片大厂的减产策略显现出其效果，特别是在DDR内存领域。
内存相信很多朋友都不会陌生，一般电脑内存越大越好。内存作为电脑必不可少的硬件之一，在装机或者给电脑升级的时候，也需要选择适合自己的内存。那么如何选择电脑内存？今天我们简单来聊聊内存小知识以及选购、使用常见问题等相关知识。
本文讲述下利用ddr缓存从摄像头处得到的数据，并将图像显示到显示屏上的工程架构。注：本文不涉及具体的代码讲解，只描述其中的实现思路。
关于内存方面知识，大部分人、包括我自己也不是很懂，希望此篇文章能起到点作用，做硬件的就得把相关专业知识学牢了，尤其是专业术语。
本文对 Xilinx V7 XC7VX485T-FFG1927 Vivado 中提供的 DDR3 控制器 IP 核模块进行例化，实现基本的 DDR3读写操作。通过 IP 核自动生成的测试脚本实例实现对 DDR3 IP 核的仿真。DDR3控制器IP核内部模块及其与FPGA逻辑、DDR3芯片的接口框图如图1所示。DDR3控制器包括用户接口（User Interface）模块、存储器控制器（Memory Controller）模块、初始化和校准（Initialization/Calibration）模块、物理层（Physical Layer）模块。用户接口模块用于连接 FPGA 内部逻辑；存储器控制器模块实现 DDR3 的主要读写时序和数据缓存交互；初始化和校准模块实现 DDR3 芯片的上电初始化配置以及时序校准；物理层模块则实现和 DDR3 芯片的接口。
FPGA开源工作室将通过五篇文章来给大家讲解xilinx FPGA 使用mig IP对DDR3的读写控制，旨在让大家更快的学习和应用DDR3。
电子测量企业 Keysight Technologies 近日推出了业界第一个完整的 DDR5 DRAM 测试与验证系统“N6475A DDR5 Tx”，为新一代内存的研发打开了方便之门。
早期内存通过存储器总线和北桥相连，北桥通过前端总线与CPU通信。从Intel Nehalem起，北桥被集成到CPU内部，内存直接通过存储器总线和CPU相连。
DDR4 SDRAM（Double-Data-Rate Fourth Generation Synchronous Dynamic Random Access Memory，简称为 DDR4 SDRAM），是一种高速动态随机存取存储器，它属于 SDRAM 家族的存储器产品，提供了相较于 DDR3 SDRAM 更高的运行性能与更低的电压，并被广泛的应用于计算机的运行缓存。
从2001年DDR内存面世以来发展到2019年的今天，已经走过了DDR、DDR2、DDR3、DDR4四个大的规格时代了（DDR5现在也出来了）。内存的工作频率也从DDR时代的266MHz进化到了今天的3200MHz。这个频率在操作系统里叫Speed、在内存术语里叫等效频率、或干脆直接简称频率。这个频率越高，每秒钟内存IO的吞吐量越大。但其实内存有一个最最基本的频率叫核心频率，是实际内存电路的工作时的一个振荡频率。它是内存工作的基础，很大程度上会影响内存的IO延迟。我今天想给大家揭开另外一面，这个叫核心频率的东东其实在最近的18年里，基本上就没有什么太大的进步。
2021年10月29日，澜起科技宣布其DDR5第一子代内存接口及模组配套芯片已成功实现量产。该系列芯片是DDR5内存模组的重要组件，包括寄存时钟驱动器 (RCD)、数据缓冲器 (DB)、串行检测集线器 (SPD Hub)、温度传感器 (TS) 和电源管理芯片 (PMIC)，可为DDR5 RDIMM、LRDIMM、UDIMM、SODIMM等内存模组提供整体解决方案。 随着信息技术的飞速发展，内存技术现已发展至DDR5世代。作为业界领先的内存接口芯片组供应商和JEDEC内存标准的积极贡献者，澜起科技专注于内存
这一年来有关国内公司进军内存产业的消息甚嚣尘上，紫光公司凭借原有的英飞凌、奇梦达基础在DDR3内存上已经作出了突破，小批量生产了DDR3内存，下半年还会推出更主流的DDR4内存芯片，正在努力追赶国际主流水平。但是放眼整个内存市场，DDR5内存很快就要来了，更可怕的是未来即便是DDR5内存也很可能被更新的技术淘汰。
本文介绍的是来自中国科学院上海药物研究所药物研究国家重点实验室的Sulin Zhang, Hong Liu和Mingyue Zheng共同通讯发表在Journal of Medicinal Chemistry上的研究成果。由于盘状结构域受体1（DDR1）的改变可能导致炎症细胞因子的增加，使DDR1成为治疗炎症性肠病（IBD）的一个靶点。作者通过整合深度生成模型、激酶选择性筛选和分子对接，建立了基于骨架的分子设计流程，产生了一种新型的DDR1抑制剂化合物2，该化合物显示出有效的 DDR1 抑制特性（IC50 = 10.6±1.9 nM) 和对一组 430 种激酶的出色选择性（S(10) = 0.002，0.1μM）。化合物2能有效地抑制细胞中促炎症细胞因子的表达和DDR1的自磷酸化，而且在葡聚糖硫酸钠（DSS）诱导的小鼠结肠炎模型中也显示出较好的口服治疗效果。
Output接口类型和约束 FPGA 做Output 的接口时序同样也可以分为系统同步和源同步。在设置XDC约束时，总体思路与Input类似，只是换成要考虑下游期间的时序模型。另外，在源同步接口中，定义接口约束之前，需要用create_generated_clock先定义送出的随路时钟。 系统同步接口 与Input 的系统同步接口一样，FPGA做Output接口的系统同步设计，新偏见只传递数据信号，时钟信号的同步完全依靠板级设计来对齐。所以设置约束时候要考虑的仅仅是下游期间的Tsu/Th和数据在板级的延时。
DIMM：Dual-Inline-Memory-Modules,即双列直插式存储模块。168个引脚，64位。
2021年6月底，中国科学院计算所研究员包云岗在首届 RISC-V 中国峰会上发布了国产开源高性能 RISC-V 处理器核心——香山，受到了广泛关注。 香山是由中科院计算所、鹏城实验室支持，通过中国开放指令生态（RISC-V）联盟联合业界企业一起开发的一款开源高性能 RISC-V 处理器核。它的架构代号以湖命名，第一代为“雁栖湖”，第二代为“南湖”。原先，“雁栖湖”计划于去年7月流片，但受到全球芯片产能的影响，研发受阻，结果迟迟未出，香山也逐渐退出大众视野。 但就在昨天，也就是虎年元宵节，香山项目的主要负责
调试系统或者开发产品或者产品在客户使用过程中，我们经常需要调整DDR频率来进行运行测试或者发现DDR频率太高导致一些问题需要调整DDR频率，但是全志平台只能通过刷机来修改DDR频率，这在测试过程中或者用户使用过程中非常不方便，特别是机器到用户手上不可能拆机寄回重新刷机，那有没有办法通过安装应用来修改DDR频率呢？方法是有的，而且很简单。
随着嵌入式技术的不断发展，嵌入式芯片的内存也越来越大。从最开始的51单片机，然后是STM32，现在逐渐的跑操作系统，例如Linux等等。这就需要嵌入式工程师掌握RAM相关的知识，如何利用好RAM是一个很大的难题，同时也是嵌入式必备的知识储备。下面就总结一下ram相关的概念。
本文以分享代码为主，不过多涉及背景方面的知识，不太清楚的朋友可以自行查阅相关资料了解。这里只简单说下，TCGA 的 20 条肿瘤信号通路，分为两类：
要在设计中精确建模外部时序，必须为输入和输出端口提供时序信息。Xilinx Vivado集成设计环境（IDE）仅在FPGA边界内识别时序，因此必须使用以下命令指定超出这些边界的延迟值： 1，set_input_delay 2，set_output_delay
DDR4 内存目前还是绝对主流，不断被深入挖潜，频率已经突破 5GHz，不过下一代 DDR5 也已经蠢蠢欲动了。Cadence 公司今天就宣布了 DDR5 的全新进展，无论工艺还是频率都相当领先。
背景：板卡用的一直好好的，硬件没有什么问题，DDR跑在2400M，也一直正常工作。
8500S=1066 10600S=1333 12800S=1600 常见内存参数： PC2100是DDR 266内存 PC2700是DDR 333内存 PC3200是DDR 400内存 PC2-4200是DDRII 533内存 PC2-4300是DDRII 533内存 PC2-5300是DDRII 667内存 PC2-6400是DDRII 800内存 PC3-8500是DDR3 1066内存 PC3-10600是DDR3 1333内存 PC3-12800是DDR3 1600内存 PC3L-12800是
本文对 Xilinx v7中提供的 DDR3 控制器 IP 核模块进行例化，实现基本的 DDR3读写操作。并使用在线逻辑分析仪查看有规律变化的 DDR3 数据读写时序。
OLOGIC块在FPGA内的位置紧挨着IOB，其作用是FPGA通过IOB发送数据到器件外部的专用同步块。OLOGIC 资源的类型有OLOGIC2(位于HP I/O banks)和OLOGIC3(位于HR I/O banks)。
在搜索栏中输入 MIG，此时出现 MIG IP 核，找到 DDR4 SDRAM(MIG)。
在ZYNQ的PS侧存在Cache，CPU与DDR之间通过Cache进行交互，数据暂存在Data cache中，在处理器对DDR进行写数据操作时，如果不将数据通过Cache送入DDR，DDR中的数据不会变化。
前一篇《第一款能运行Android11 的RK3399开发板tinkerboard2》已经对tinkerboard2的Android 11有个大致的介绍，这一期来聊聊tinkerboard2 Android11 SDK bootloader部分的编译与烧录验证。后续的文章会从多个方面详细介绍如何基于官方的SDK定制一套Android固件。
本篇文章的目的主要用简明的方法对DDR3进行读写，当然这种方式每次读写都需要CPU干预，效率是比较低的，但是这是属于学习的过程，还是可以经历经历的。
指内存所采用的内存类型，不同类型的内存传输类型各有差异，在传输率、工作频率、工作方式、工作电压等方面都有不同。目前市场中主要有的内存类型有 SDRAM、DDR SDRAM和RDRAM三种，其中DDR SDRAM内存占据了市场的主流，而SDRAM内存规格已不再发展，处于被淘汰的行列。RDRAM则始终未成为市场的主流，只有部分芯片组支持，而这些芯片组也逐渐退出了市场，RDRAM前景并不被看好。
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