文档建议反馈控制台
首页
学习
活动
专区
圈层
工具
MCP广场
文章/答案/技术大牛
发布
    • 您找到你想要的搜索结果了吗？
    是的
    没有找到

    ECC（指令纠错） 内存

    什么是ECC内存 对于大多数企业来说，消除数据损坏是一项关键任务——这正是 ECC（纠错码）内存的目的。...ECC 内存的工作原理 ECC 内存包含附加内存位和内存控制器，这些控制器用于控制模块上附加芯片中的附加位。...优势和劣势 在金融等行业以及科学界，ECC 内存对于维持数据完整性至关重要。 大多数服务器内存也是 ECC 内存。 ECC 内存进一步减少了数据崩溃情况，这对于多用户服务器应用程序非常重要。...与非 ECC 内存相比，ECC 内存通常更昂贵，速度可能稍慢。 其他系统组件（例如，CPU 和主板）也必须支持 ECC 内存。...如何看内存是否启用ECC 使用AIDA64 或Everest软件在内存，找到错误纠正，可以看到 ECC 是否启用或禁用。

    5.7K10

    服务器内存之争：ECC与非ECC的较量

    可靠性： 由于其纠正能力，ECC内存在服务器环境中非常可靠，可以减少因内存故障而导致的服务器停机时间。 成本： 由于其高级功能，ECC内存通常比非ECC内存更昂贵。...2.1 特点 性能： 由于不需要额外的校验计算，非ECC内存通常比ECC内存具有稍微更高的性能。 成本： 非ECC内存相对便宜，适用于预算有限的服务器。...2.3 缺点 与 ECC 内存相比，非 ECC 内存没有错误检测和修复的功能。这意味着如果数据发生错误，非 ECC 内存无法修复错误，也无法通知系统发生了错误。...然而，非 ECC 内存在某些方面是有优势的。 2.4 优点 首先，非 ECC 内存比 ECC 内存更便宜。因为 ECC 内存需要额外的硬件来生成和处理校验码，所以它们通常比非 ECC 内存更贵。...并非所有的服务器主板都支持 ECC 内存，所以在购买 ECC 内存之前，一定要检查你的硬件是否支持。 四、总结 ECC 内存和非 ECC 内存都有各自的优点和缺点。

    4.9K41

    Nand Flash驱动(实现初始化以及读操作)

    本节来学习裸机下的Nand Flash驱动,本节学完后,再来学习Linux下如何使用Nand Flash驱动 Linux中的Nand Flash驱动,链接如下: (分析MTD层以及制作Nand Flash...            1个设备=2048块Block 1块Block=64页Pages 1页=(2K+64)B            (因为每个地址里都存放了一个字节,所以用B表示) 其中64B是存放ECC...的OOB地址,(ECC:存放判断位反转的校验码) Nand Flash 缺点: 读数据容易位反转 可以通过ECC编码器值来判断读数据是否位反转，若位反转则重新读数据 写过程: 1)写页数据 2)然后生成...ECC 3)将ECC写入到OBB页地址里(写数据是不会出现位反转) 读过程: 1)读出页数据,然后生成临时ECC(此时ECC可能有错) 2)然后读出OOB页地址里的ECC 3)比较两个ECC,判断是否出现位反转...NFCONT *((unsigend int *)0X4E000000); //控制寄存器(用来使能nandflash控制器以及ECC编码器,还有控制芯片使能CE脚) #define

    1.7K40

    Nand Flash驱动(实现初始化以及读操作)

    本节来学习裸机下的Nand Flash驱动,本节学完后,再来学习Linux下如何使用Nand Flash驱动 Linux中的Nand Flash驱动,链接如下: (分析MTD层以及制作Nand Flash...            1个设备=2048块Block 1块Block=64页Pages 1页=(2K+64)B            (因为每个地址里都存放了一个字节,所以用B表示) 其中64B是存放ECC...的OOB地址,(ECC:存放判断位反转的校验码) ?...Nand Flash 缺点: 读数据容易位反转 可以通过ECC编码器值来判断读数据是否位反转，若位反转则重新读数据 过程: 写:写页数据,生成ECC，ECC写入到OBB页地址里 读:读出页数据,然后判断...OOB页地址里的ECC来比较是否出现位反转,是否重新读数据 读OOB方法: 读整个Nand Flash时，是读不出页里面的OBB地址,比如读2049这个地址数据时,是读的第二页上的第2个地址: ?

    2.1K60

    Linux SPI-NAND 驱动开发指南

    文章目录 Linux SPI-NAND 驱动开发指南 1 概述 1.1 编写目的 1.2 适用范围 1.3 相关人员 3 流程设计 3.1 体系结构 3.2 源码结构 3.3 关键数据定义 3.3.1...1.3 相关人员 Nand 模块开发人员，及应用开发人员等 2 术语、缩略语及概念 MTD：（Memory Technology device）是用于访问存储设备的 linux 子系统。...nand 本身的物理性质导致在出厂和正常使用过程中都会产生坏块 3 流程设计 3.1 体系结构 NAND MTD/UBI 驱动主要包括 5 大组件，如下图： ​ 图 3-1: UBI 架构 说明：...BIT(0) #define HAS_EXT_ECC_STATUS BIT(1) enum ecc_status_shift ecc_status_shift; int EccFlag...byte 获取 ecc status，则配置 EccFlag = HAS_EXT_ECC_STATUS • EccType：设置 ecc 值对应的状态关系 • EccProtectedType：在 spare

    4.8K50

    NAND FLASH_NAND器件

    (支持每512字节需要ECC位数小于或等于4位的NAND Flash)....在网络网络摄像机的应用中为了节约成本,有一些用户使用了NAND Flash启动方式.图1就是从上电到Linux启动的一个概要的流程图.首先RBL(ROM boot loader)从NAND上读取UBL(...DDR里面运行的U-Boot又从NAND Flash里面读取Linux内核代码,并且复制到DDR上,然后启动内核.这样DM365的系统就从上电到完成Linux内核启动,然后就可以运行相应的应用程序了....图1 NAND Flash启动流程 下面我们会一步一步的介绍从上电到Linux启动是如何实现的....表1 NAND UBL描述符 一旦用户需要的启动设置配置好,RBL就会从0x0020第地址开始把UBL搬移到ARM内存.在从NAND读取UBL的过程中中,RBL会使用4位的硬件ECC对NAND Flash

    90350

    ECC检验与纠错

    引入ECC 　　ECC：Error Checking and Correction，是一种差错检测和修正的算法。 　　NAND闪存在生产和使用中都会有坏块产生，BBM就是坏块的管理机制。...（2）ECC的保存：ECC的签名一般来说都保存在NAND页后部的SA区域。 （3）数据从NAND读取时：ECC模块回去读取ECC签名，并对照相同与否来发现出现的错误。...上图是个4KB页的NAND闪存（SA区64字节） （1）每当一个page写入NAND闪存，数据会通过ECC引擎，创造独特的ECC签名。...（2）数据和对应的ECC签名存都存放在NAND闪存里，数据放在数据区，ECC签名放在SA区。 （3）当需要读取数据时，数据和ECC签名一起被送往主控制器，此时新的ECC签名被生成。...ECC评价        ECC的能力也影响到NAND 闪存的寿命和数据保存期。

    4K10

    SD NAND、SPI NAND 和 Raw NAND 的定义与比较

    SD nand，贴片式SD卡，使用起来和SD卡一致，不同的是采用，通常采用LGA-8封装，尺寸为8mm x 6mm x 0.75mm，重点是采用贴片封装，可以直接贴在板卡上，直接解决了SD卡固定问题，再也不用为...SD nand 和 SD 卡、SPI Nor flash、 nand flash、eeprom一样，都是嵌入式系统中常见的用来存储数据所使用的存储芯片。...SD NAND、SPI NAND和Raw NANDSD的英文全称是Secure Digital Memory，就是我们所熟知的SD卡　　固态硬盘（Solid State Disk，SSD）是以NAND闪存介质为主的一种存储产品...NAND闪存类型　　按照每个单元可以存储的位数，可以将NAND闪存类型分为SLC、MLC、TLC、QLC和PLC。...以SLC NAND为例，每个单元存储数据位数为1位，这意味着每个单元可以存储一个“0”或“1”；类似的，MLC NAND每个单元可以存储数据两位，即“00”“01”“10”“11”，其它如TLC、QLC

    38800

    Microchip：基于ML算法延长NAND寿命

    需要研发出一种的ECC机制（即Future ECC）来提高NAND错误位上限，从而延长编程/擦除周期，以提高NAND寿命。...在NAND闪存的上下文中，香农极限通常指的是错误校正编码（ECC）在面对存储单元的随机和固定错误模式时所能达到的最佳性能。...因此，需要一个解决方案来测量和跟踪每个NAND块的“有效”可靠性，以便在最小的错误校正要求下优化访问。 ECC算法对擦写寿命影响 当前ECC工作流。 • NAND页面首先经过ECC进行错误校正。...随着页数量的增加，数据写入量增加，ECC频繁触发，导致错误数上升。 总结 要点一：机器学习在NAND管理中的应用 机器学习可以通过优化电压调整来改善NAND管理，从而降低位错误率（BER）。...通过优化ECC机制，可以提高NAND的错误位上限，延长编程/擦除周期，从而提高NAND寿命。

    30700

    yaffs_ecc.c

    1.ECC可以纠正一个256字节的页数据的单个位错误，因此，这样的两个ECC块上纠正512字节的NAND页。...在Nand中使用3个字节存放校验结果，多余的两个Bit位置1。存放次序如下表所示： ? 以K9F1208为例，每个Page页包含512字节的数据区和16字节的OOB区。...ECC纠错算法 当往NAND Flash的page中写入数据的时候，每256字节我们生成一个ECC校验和，称之为原ECC校验和，保存到PAGE的OOB（out-of-band）数据区中。...当从NAND Flash中读取数据的时候，每256字节我们生成一个ECC校验和，称之为新ECC校验和。...假设ecc_code_raw[3] 保存原始的ECC校验码，ecc_code_new[3] 保存新计算出的ECC校验码，其格式如下表所示： 对ecc_code_raw[3] 和 ecc_code_new

    92350

    SMI：特征模型ML优化NAND数据读取效率

    强化纠错码（ECC）：通过更强的ECC机制补偿温度变化导致的错误。 设计改进：改善NAND材料和工艺，减少电荷漂移。 2....它通常包含以下内容： 控制器（Controller） EVB 上会集成存储控制器，负责管理 NAND 的读写操作、纠错（ECC）以及与主机的接口通信。...Rate，原始比特错误率）在 NAND 特性中的参考价值 RBER 是 NAND 闪存中的一个关键性能指标，它表示在未经过纠错（ECC，Error Correction Code）之前，NAND 存储器单元中每比特的原始错误概率...当 RBER 超过 ECC 纠错能力时，NAND 存储数据将不可恢复，因此 RBER 提供了一个提前采取行动的参考点。 2....RBER 与 ECC 的关系 ECC 是用于纠正 NAND 存储错误的重要技术，RBER 的大小直接影响 ECC 的设计和应用。

    39500
    点击加载更多

    相关资讯

    热门标签

    更多标签

    活动推荐

      运营活动

      活动名称
      广告关闭

      腾讯云开发者

      扫码关注腾讯云开发者

      扫码关注腾讯云开发者

      领取腾讯云代金券

      热门产品

      热门推荐

      更多推荐

      Copyright © 2013 - 2026 Tencent Cloud. All Rights Reserved. 腾讯云 版权所有

      深圳市腾讯计算机系统有限公司 ICP备案/许可证号：粤B2-20090059 粤公网安备44030502008569号

      腾讯云计算（北京）有限责任公司 京ICP证150476号 | 京ICP备11018762号

      领券