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Uboot学习(一)之为啥要有Uboot这玩意

这周又一段时间没怎么写文章了,这周上班接触的东西有点多,每天都在接受挑战。维护公司移动app界面,设计到的技术是css、html、javascript。然后把写好的app程序通过threadx和Linux两个系统的支持(Linux内核版本是在3.10版本的,在安霸和海思平台);第一次搭建编译环境(这里跟平时学的环境有比较大的出路,作者被骂了好几次,终于是成功了,呜呜。。。),然后实时在PC或者手机端采集实时视频监控。后期会不断学习和分享自己在工作当中的一些经验给大家,希望对大家有帮助。今天开始写Uboot的文章和Linux驱动的文章。之前Linux应用的文章全部在公众号后台有。以上学习过程中,作者是学习朱有鹏老师的嵌入式课程。

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干货!大话EXT4文件系统完整版

我们知道SSD是一场存储革命,设计和制造一个好的SSD固然重要,但如何正确使用以充分发挥SSD性能同样重要。SSD内在的并行性和先擦再写的特性决定了它不同于机械硬盘简单的LBA和存储块一一对应,要充分挖掘SSD的并行性,提升性能,延长寿命,缩短延迟,就必须在上层应用做出改动。很多SSD的使用大户都作出了这种尝试,从国外的Google,Microsoft,Facebook,到国内的Baidu,Alibaba等,本站就曾经介绍过百度的软件定义闪存,把对象存储和SSD内部结构统一起来使用。但对大部分企业来讲,这种结构还是太独特了,我们还是要关注通用的架构,首先来了解离硬盘最近的软件:文件系统。本系列文章将以Linux系统最常见的EXT4文件系统为例,从SSD爱好者的角度来揭开文件系统的庐山真面目。

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【工控技术】S7-200CPU掉电数据保持常见问题集

问题1:S7-200 CPU内部存储区类型? 回答:S7-200 CPU内部存储区分为易失性的RAM存储区和永久保持的EEPROM两种,其中RAM包含CPU工作存储区和数据区域中的V数据存储区、M数据存储区、T(定时器)区和C(计数器)区,EEPROM包含程序存储区、V数据存储区的全部和M数据存储区的前14个字节。 也就是说V区和MB0-MB13这些区域都有对应的EEPROM永久保持区域。 EEPROM的写操作次数是有限制的(最少10万次,典型值为100万次),所以请注意只在必要时才进行保存操作。否则,EEPROM可能会失效,从而引起CPU故障。 EEPROM的写入次数如果超过限制之后,该CPU即不能使用了,需要整体更换CPU,不能够只更换CPU内EEPROM,西门子不提供这项服务。

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【安富莱原创开源应用第2期】基于RL-USB和RL-FlashFS的完整NAND解决方案,稳定好用,可放心用于产品批量

说明: 0. NAND Flash这块经常有人咨询,这里发布一个完整的解决方案,支持擦写均衡,坏块管理,ECC和掉电保护。         早期的时候我们是用的自己做的NAND算法,支持滑块管理,擦写均衡,实际测试效果不够好,容易出问题,所以放弃了。 1. 此例子仅支持MDK4.74版本,因为RTX,RL-FlashFS,RL-USB都是来自MDK4.74的安装目录,使用MDK4.74才是最佳组合。 2. RL-FlashFS本身支持擦写均衡,坏块管理,ECC和掉电保护。其中使用掉电保护的话,请开启配置文件中的FAT Journal。 3. 在前几年的时候,有客户反应使用RL-FlashFS写入文件多后会写入越来越慢,原因是没有正确配置,加大文件名缓冲个数即可。 4. 当前使用的短文件名的库,使用长文件名的话请更换为长文件名的库,也在MDK的安装目录里面。 5. RL-FlashFS是FAT兼容的文件系统,也就是说可以在window系统上面模拟U盘,提供的程序代码已经做了支持。 6. RL-FlashFS的文件名仅支持ASCII,不支持中文,这点要特别注意。 7. 首次格式化后使用,读速度2.3MB/S左右,写速度3.2MB/S左右,配置不同的文件系统缓冲大小,速度有区别。 8. RL-FlashFS的函数是标准的C库函数,跟电脑端的文件系统使用方法一样。 9. RL-FlashFS与FatFS的区别,FatFS仅是一个FAT类的文件件系统,擦写均衡,坏块管理,ECC和掉电保护都不支持。     这些都需要用户自己去实现。 10. UFFS,YAFFS这两款文件系统是不兼容FAT的,也就是无法在Windows端模拟U盘。 当前NAND的配置如下:

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