Block RAM与Distributed RAM,简称为BRAM与DRAM, 要搞清楚两者的区别首先要了解FPGA的结构: FPGA=CLB + IOB+Block RAM CLB 一个CLB中包含...Xilinx的FPGA中包含Distributed RAM和Block RAM两种寄存器,Distributed RAM需要使用SliceM,所以要占用CLB中的逻辑资源,而Block RAM是单独的存储单元...用户申请资源时,FPGA先提供Block RAM,当Block RAM不够时再提供分布式RAM进行补充。...Block RAM是单独的RAM资源,一定需要时钟,而Distributed RAM可以是组合逻辑,即给出地址马上给出数据,也可以加上register变成有时钟的RAM,而Block RAM一定是有时钟的...5、 在异步fifo ,用两种RAM可供选择,BRAM和DRAM,BRAM是FPGA中整块的双口RAM资源,DRAM是拼接LUT构成。
区别之2 dram使用根灵活方便些 区别之3 bram有较大的存储空间,dram浪费LUT资源 1.物理上看,bram是fpga中定制的ram资源,dram就是用逻辑单元拼出来的。...2.较大的存储应用,建议用bram;零星的小ram,一般就用dram。但这只是个一般原则,具体的使用得看整个设计中资源的冗余度和性能要求。...3.dram可以是纯组合逻辑,即给出地址马上出数据,也可以加上register变成有时钟的ram。而bram一定是有时钟的。 4.较大的存储应用,建议用bram;零星的小ram,一般就用dram。...5.dram可以是纯组合逻辑,即给出地址马上出数据,也可以加上register变成有时钟的ram。而bram一定是有时钟的。 6.如果要产生大的FIFO或timing要求较高,就用BlockRAM。...否则,就可以用Distributed RAM。
单口RAM 只有一套数据总线、地址总线和读写控制线,因此当多个外设需要访问同一块单口RAM 时,需要通过仲裁电路来判断。 单口RAM,只有一套地址总线,读和写是分开(至少不能在同一个周期内完成)。...下面给出一个8× 8 位RAM 的设计实例。...module ram_single( clk,addm,cs_n,we_n,din,dout ); input clk; input [2:0]addm; input cs_n; input...we_n; input [7:0]din; output [7:0]dout; reg [7:0]dout; reg [7:0]ram_s[7:0]; always @( posedge clk...) begin if(cs_n) dout<=8'b0000_0000; else if(we_n)//read dout<=ram_s[addm]; else//write ram_s[addm]
在RAM中,单端口RAM(Single-port RAM)和双端口RAM(Dual-port RAM)是两种常见的类型,双端口RAM又分为真双端口(True dual-port RAM)和伪双端口RAM...伪双端口RAM可以提供并行读写操作,避免了传统单端口RAM的等待时间,因此有更快的访问速度和响应时间。...伪双端口RAM:AB可同时读写,但仅A写B读。 真双端口RAM:AB可同时读写,A可写可读,B可写可读。 图片 在功能上与伪双端口RAM与FIFO较为相似,两者有何区别?...实际上FIFO可由伪双端口RAM例化而成。 RAM和FIFO中的深度(Depth)和宽度(Width)指的是什么? 除了弄清单端口与双端口的区别,还得理解存储器最重要的两个参数——位宽、深度。...ram_data[addr_a] =ram_data[addr_a]; ram_data[addr_b] =ram_data[addr_b]; end end endgenerate
RAM latency is CL-tRCD-tRP-tRAS-CMD latency....CAS Latency (CL) Impact on RAM Speed As previously mentioned, CAS Latency (CL) is the best known memory...clock cycle can be easily calculated through the formula: T = 1 / f RAS to CAS Delay (tRCD) Impact on RAM...RAS Precharge (tRP) Impact on RAM Speed After data is gathered from the memory, a command called Precharge...Other Parameters Impacting RAM Timings Let’s take a better look at the other two parameters, Active to
2、EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read – Only Memory) 电可擦可编程只读存储器 3、SRAM(Static RAM)静态RAM... 4、DRAM(Dynamic RAM)动态RAM 5、DDR SDRAM (Double Date-Rate Synchronous RAM ) 双倍速率 同步动态RAM 6、NOR FLASH...ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。 ...2、RAM有两大类: 一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),SRAM速度非常快,是目前读写最快的存储设备了,但是它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓冲,...DDR RAM(Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM,这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的,不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据,这样就使得数据传输速度加倍了。
Ram Disk,顾名思义,就是在Ram里创建的Disk。 优点 读写速度快。当然了,比IDE、Flash不知要快多少倍 不依赖外存。什么本地存储、网络存储,都可以没有。...尤其VxWorks自己在运行时,本来就不依赖文件系统,因此没有其它物理存储介质的情景还是很多的 反正VxWorks的Ram闲着也是闲着,别让它偷懒了 缺点 数据易失。掉电就什么都没有了。...Ram本来就不会很大,而且32位VxWorks的能够留给用户的Ram也就3GB左右 有了Disk,它还只是一个Device,一般在使用时,还要在Disk上创建块设备,并将这个块设备格式化。
下面给出一个128× 8 位双口RAM 的Verilog HDL 设计实例。...module ram_double( q,addr_in,addr_out,d,we,clk1,clk2 ); output [7:0]q; input [7:0]d; input [6:
ROM和RAM指的都是半导体存储器。ROM是Read OnlyMemory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写。...ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。 RAM RAM 有两大类。...另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM),DRAM保留数据的时间很短,速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快。...DDR RAM(Double-Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM,这种改进型的RAM,和SDRAM是基本一样的,不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据,这样就使得数据传输速度加倍了。...在很多高端的显卡上,也配备了高速DDR RAM来提高带宽,这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。 ROM ROM:只读存储器的总称。
以UltraScale芯片为例,每个Block RAM为36Kb,由两个独立的18Kb Block RAM构成,如下图所示。 ? 每个18Kb Block RAM架构如下图所示。...从图中可以看出,Block RAM本身会对输入控制信号(addr, we, en)和输入数据(din)进行寄存(这些寄存器是可选的且在Block RAM内部),同时对输出也可寄存(该寄存器也是可选的)。...采用手工编写RTL代码的方式使其映射为Block RAM时,可按照Block RAM的架构描述。需要注意如果需要复位,输出寄存器是带有复位端口的,但仅支持同步高有效。...实验证明,只要按照该结构描述,所有的寄存器会映射到Block RAM架构中,不会消耗额外的寄存器。 ?...结论: -在使用Block RAM时,为便于时序收敛,最好使用Embedded Registers 上期内容: 查找表用作分布式RAM 下期内容: Block RAM的性能与功耗
RAM刷新有三种: 1、集中式刷新在一个刷新周期内(2ms),先让存储器读写,然后集中刷新,这样就存在死区问题,如果是存取周期为2us的话,这样对于64*64的存储矩阵来说,集中刷新为128us,死区时间也为
设计中如果大量使用Block RAM,可通过一些综合属性管理RAM的实现方式以满足系统对性能与功耗的需求。...以32Kx32bit RAM为例,目标芯片为UltraScale,通过使用综合属性cascade_height来管理Block RAM的级联高度,如下图所示。 ?...;若级联高度为8,同一时间有4个Block RAM处于激活状态。...还有一个综合属性ram_decomp,可进一步帮助降低系统功耗。以8Kx36bit RAM为例,采用如下图所示的四种实现方式。...结论: -使用大深度的RAM时,可通过综合属性cascade_height和ram_decomp管理RAM的实现方式,以获得性能与功耗的折中 上期内容: Block RAM的基本结构 下期内容: UltraRAM
一块RAM 分为了 堆 和 栈 名词而已,知道就可以了, 各种内存溢出问题: 全局数组访问越界 出现的问题:直接重启,或者死机 解决办法 : 额,写好自己的程序吧!!!!!!!
(1)单端口RAM 模式 单端口RAM的模型如图所示,只有一个时钟源CLK,WE为写使能信号,EN为单口RAM使能信号,SSR为清零信号,ADDR为地址信号,DI和DO分别为写入和读出数据信号。...单端口RAM模式支持非同时的读写操作。同时每个块RAM可以被分为两部分,分别实现两个独立的单端口RAM。...需要注意的是,当要实现两个独立的单端口RAM模块时,首先要保证每个模块所占用的存储空间小于块RAM存储空间的1/2。...(2)简单的双端口RAM 简单双端口RAM 模型如下图所示,图中上边的端口只写,下边的端口只读,因此这种RAM 也被称为伪双端口RAM(Pseudo Dual Port RAM)。...一般来讲,在单个块RAM实现的真正双端口RAM模式中,能达到的最宽数据位为36比特*512,但可以采用级联多个块RAM的方式实现更宽数据位的双端口RAM。
定义与功能内存条,全称为Random-Access Memory(RAM),也称为随机存取存储器。它是电脑中用于暂时存储数据和程序以供CPU快速访问的部件。
所有和RAM的通信都必须经过北桥 RAM只有一个端口(port) CPU和挂接到南桥设备的通信则有北桥路由 可以发现瓶颈: 为设备去访问RAM的瓶颈。...每个CPU访问自己的本地RAM。 ?...2.1 RAM Types 2.1.1 Static RAM 访问SRAM没有延迟,但SRAM贵,容量小。 ? Figure 2.4: 6-T Static RAM 电路图就不解释了。...2.2.1 Dynamic RAM ? Figure 2.5: 1-T Dynamic RAM 电路图就不解释了。...DRAM物理结构:若干RAM chip,RAM chip下有若干RAM cell,每个RAM cell的状态代表1 bit。 访问DRAM有延迟(等待电容充放电),但DRAM便宜,容量大。
手机的RAM似乎每季度增加一次,那么手机到底实际需要多少RAM。...如果进程需要更多的RAM且RAM可用,则内核只需跟踪哪个进程正在使用哪些内存即可。 但是,当资源稀缺时,事情就会变得复杂。如果CPU繁忙,手头的工作仍会完成,但不会那么快。RAM不同。...当进程请求更多RAM且RAM不可用时,内核将尝试通过交换释放一些RAM。如果找不到足够的RAM,则内核需要变得更加主动并开始淘汰进程。对于内核来说,这是一个奇怪的情况。...“标准”应用程序使用130MB至400MB的RAM。...设备上使用的RAM量完全取决于您正在运行的应用程序。如果您喜欢Instagram和Candy Crush,但不喜欢其他东西,那么您将使用刚超过1GB的RAM。
Step 2 在~/Library/Developer/Xcode/DerivedData.上部署安装2 GB大小的RAM磁盘。...1024 / 512): C代码 收藏代码 hdid -nomount ram://4194304 此行命令后将会输出RAM磁盘的驱动名字:/dev/diskN(N为数字)。...这些文件仍会占据空间,但在移除RAM磁盘之前都无法访问。 在重启或从Finder中弹出RAM磁盘时,磁盘中的内容将会消失。下次再创建磁盘时,Xcode将会重新构建它的索引和你的项目中间文件。...: //4194304 此行命令后将会输出RAM磁盘的驱动名字:/dev/diskN(N为数字)。...这些文件仍会占据空间,但在移除RAM磁盘之前都无法访问。 在重启或从Finder中弹出RAM磁盘时,磁盘中的内容将会消失。下次再创建磁盘时,Xcode将会重新构建它的索引和你的项目中间文件。
在FPGA设计中可能会出现对单端口RAM需求较大的情况。尽管Xilinx提供了将BRAM配置为单端口RAM的IP Core,但从资源角度来看,可能会造成浪费。...例如,需要2个512x18的单端口RAM,若直接采用单端口RAM的配置方式,1个512x18的单端口RAM将占用1个18Kb的BRAM,这意味着将要消耗2个18Kb的BRAM。...二者地址空间没有重叠,因此互相独立,从而形成了两个独立的512x18即9Kb的单端口RAM。此外,端口A和端口B的位宽可以不一致(但不是随意的),如上图的右半区域所示。...仍将BRAM配置为双端口RAM,其中端口A为1024x18,端口B为2048x9。...二者地址空间依然没有重叠,仍相互独立,从而形成了两个独立的9Kb的单端口RAM。 思考一下: 对于URAM是否可以这么配置?
随着硬件配置的不断提升,RAM的大小从之前的几百兆提升到了现在的几十G的情况,特别是在消费级智能手机上,最大的运行内存几乎每年都能刷新最高值。...同时针对低RAM的设备,Google也早就推出了Android Go的系统,去除了很多不必要的功能,使得低RAM的设备也能运行流畅。如何查看可用存储在Android中,查看剩余存储的大小有很多种方式。...Android会让free的RAM尽可能的小,使得尽可能多的应用能够常驻,这样在启动应用的时候速度会更快,用户体验会更好。...在可分配RAM不够的时候或者触发kswapd阈值的时候,kswapd会负责回收缓存页来确保RAM,当kswapd回收还是无法满足时候,还会触发LMK来杀死常驻进程来获取内存。...屏幕分辨率对可用存储的影响非常的大,高分辨率意味着系统中用的是更高清的图片资源,自然会占用更多的RAM。
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