Block RAM与Distributed RAM,简称为BRAM与DRAM, 要搞清楚两者的区别首先要了解FPGA的结构: FPGA=CLB + IOB+Block RAM CLB 一个CLB中包含...Xilinx的FPGA中包含Distributed RAM和Block RAM两种寄存器,Distributed RAM需要使用SliceM,所以要占用CLB中的逻辑资源,而Block RAM是单独的存储单元...用户申请资源时,FPGA先提供Block RAM,当Block RAM不够时再提供分布式RAM进行补充。...Block RAM是单独的RAM资源,一定需要时钟,而Distributed RAM可以是组合逻辑,即给出地址马上给出数据,也可以加上register变成有时钟的RAM,而Block RAM一定是有时钟的...5、 在异步fifo ,用两种RAM可供选择,BRAM和DRAM,BRAM是FPGA中整块的双口RAM资源,DRAM是拼接LUT构成。
在EOS智能合约执行过程中,需要消耗EOS节点的cpu和内存资源,这些资源按照交易发生时的CPU资源和RAM资源价格,支付给EOS节点,从前一段时间被爆炒的RAM价格就可以看到RAM的稀缺性。...漏洞危害 本次发现的漏洞,恰好会导致用户账户内的RAM可能被恶意消耗,引发直接财产损失。...恶意EOS合约存在吞噬用户RAM的安全风险,需要引起各大交易所、钱包、token空投方、DApp、用户等的警惕,避免遭受损失。...防御手段 相关项目方在做转账操作时可通过命令行 “cleos get code” 判断目标地址是否为合约地址,避免RAM被恶意吞噬导致损失。...另外在问题未解决之前,可以减少用来转账的账户持有的 RAM 数量,尽可能避免遭受损失。 如发现转账过程中RAM使用异常,可以第一时间联系我们:security@meitu.com。
区别之2 dram使用根灵活方便些 区别之3 bram有较大的存储空间,dram浪费LUT资源 1.物理上看,bram是fpga中定制的ram资源,dram就是用逻辑单元拼出来的。...2.较大的存储应用,建议用bram;零星的小ram,一般就用dram。但这只是个一般原则,具体的使用得看整个设计中资源的冗余度和性能要求。...3.dram可以是纯组合逻辑,即给出地址马上出数据,也可以加上register变成有时钟的ram。而bram一定是有时钟的。 4.较大的存储应用,建议用bram;零星的小ram,一般就用dram。...5.dram可以是纯组合逻辑,即给出地址马上出数据,也可以加上register变成有时钟的ram。而bram一定是有时钟的。 6.如果要产生大的FIFO或timing要求较高,就用BlockRAM。...否则,就可以用Distributed RAM。
单口RAM 只有一套数据总线、地址总线和读写控制线,因此当多个外设需要访问同一块单口RAM 时,需要通过仲裁电路来判断。 单口RAM,只有一套地址总线,读和写是分开(至少不能在同一个周期内完成)。...下面给出一个8× 8 位RAM 的设计实例。...module ram_single( clk,addm,cs_n,we_n,din,dout ); input clk; input [2:0]addm; input cs_n; input...we_n; input [7:0]din; output [7:0]dout; reg [7:0]dout; reg [7:0]ram_s[7:0]; always @( posedge clk...) begin if(cs_n) dout<=8'b0000_0000; else if(we_n)//read dout<=ram_s[addm]; else//write ram_s[addm]
在RAM中,单端口RAM(Single-port RAM)和双端口RAM(Dual-port RAM)是两种常见的类型,双端口RAM又分为真双端口(True dual-port RAM)和伪双端口RAM...单端口RAM(Single-port RAM): 输入只有一组数据线和一组地址线,读写共用地址线,输出只有一个端口。...伪双端口RAM可以提供并行读写操作,避免了传统单端口RAM的等待时间,因此有更快的访问速度和响应时间。...伪双端口RAM:AB可同时读写,但仅A写B读。 真双端口RAM:AB可同时读写,A可写可读,B可写可读。 图片 在功能上与伪双端口RAM与FIFO较为相似,两者有何区别?...ram_data[addr_a] =ram_data[addr_a]; ram_data[addr_b] =ram_data[addr_b]; end end endgenerate
RAM latency is CL-tRCD-tRP-tRAS-CMD latency....CAS Latency (CL) Impact on RAM Speed As previously mentioned, CAS Latency (CL) is the best known memory...clock cycle can be easily calculated through the formula: T = 1 / f RAS to CAS Delay (tRCD) Impact on RAM...RAS Precharge (tRP) Impact on RAM Speed After data is gathered from the memory, a command called Precharge...Other Parameters Impacting RAM Timings Let’s take a better look at the other two parameters, Active to
4、DRAM(Dynamic RAM)动态RAM 5、DDR SDRAM (Double Date-Rate Synchronous RAM ) 双倍速率 同步动态RAM 6、NOR FLASH...DDR RAM(Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM,这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的,不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据,这样就使得数据传输速度加倍了。...手机软件一般放在EEPROM中,我们打电话,有些最后拨打的号码,暂时是存在SRAM中的,不是马上写入通过记录(通话记录保存在EEPROM中),因为当时有很重要工作(通话)要做,如果写入,漫长的等待是让用户忍无可忍的...NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样,用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码,这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。 ...用户不能直接运行NAND Flash上的代码,因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外,还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。
Ram Disk,顾名思义,就是在Ram里创建的Disk。 优点 读写速度快。当然了,比IDE、Flash不知要快多少倍 不依赖外存。什么本地存储、网络存储,都可以没有。...尤其VxWorks自己在运行时,本来就不依赖文件系统,因此没有其它物理存储介质的情景还是很多的 反正VxWorks的Ram闲着也是闲着,别让它偷懒了 缺点 数据易失。掉电就什么都没有了。...Ram本来就不会很大,而且32位VxWorks的能够留给用户的Ram也就3GB左右 有了Disk,它还只是一个Device,一般在使用时,还要在Disk上创建块设备,并将这个块设备格式化。
下面给出一个128× 8 位双口RAM 的Verilog HDL 设计实例。...module ram_double( q,addr_in,addr_out,d,we,clk1,clk2 ); output [7:0]q; input [7:0]d; input [6:
ROM和RAM指的都是半导体存储器。ROM是Read OnlyMemory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写。...ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。 RAM RAM 有两大类。...DDR RAM(Double-Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM,这种改进型的RAM,和SDRAM是基本一样的,不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据,这样就使得数据传输速度加倍了。...NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样,用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码,这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。...用户不能直接运行NAND Flash上的代码,因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外,还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。
以UltraScale芯片为例,每个Block RAM为36Kb,由两个独立的18Kb Block RAM构成,如下图所示。 ? 每个18Kb Block RAM架构如下图所示。...从图中可以看出,Block RAM本身会对输入控制信号(addr, we, en)和输入数据(din)进行寄存(这些寄存器是可选的且在Block RAM内部),同时对输出也可寄存(该寄存器也是可选的)。...采用手工编写RTL代码的方式使其映射为Block RAM时,可按照Block RAM的架构描述。需要注意如果需要复位,输出寄存器是带有复位端口的,但仅支持同步高有效。...实验证明,只要按照该结构描述,所有的寄存器会映射到Block RAM架构中,不会消耗额外的寄存器。 ?...结论: -在使用Block RAM时,为便于时序收敛,最好使用Embedded Registers 上期内容: 查找表用作分布式RAM 下期内容: Block RAM的性能与功耗
RAM刷新有三种: 1、集中式刷新在一个刷新周期内(2ms),先让存储器读写,然后集中刷新,这样就存在死区问题,如果是存取周期为2us的话,这样对于64*64的存储矩阵来说,集中刷新为128us,死区时间也为
设计中如果大量使用Block RAM,可通过一些综合属性管理RAM的实现方式以满足系统对性能与功耗的需求。...以32Kx32bit RAM为例,目标芯片为UltraScale,通过使用综合属性cascade_height来管理Block RAM的级联高度,如下图所示。 ?...;若级联高度为8,同一时间有4个Block RAM处于激活状态。...还有一个综合属性ram_decomp,可进一步帮助降低系统功耗。以8Kx36bit RAM为例,采用如下图所示的四种实现方式。...结论: -使用大深度的RAM时,可通过综合属性cascade_height和ram_decomp管理RAM的实现方式,以获得性能与功耗的折中 上期内容: Block RAM的基本结构 下期内容: UltraRAM
一块RAM 分为了 堆 和 栈 名词而已,知道就可以了, 各种内存溢出问题: 全局数组访问越界 出现的问题:直接重启,或者死机 解决办法 : 额,写好自己的程序吧!!!!!!!
(1)单端口RAM 模式 单端口RAM的模型如图所示,只有一个时钟源CLK,WE为写使能信号,EN为单口RAM使能信号,SSR为清零信号,ADDR为地址信号,DI和DO分别为写入和读出数据信号。...单端口RAM模式支持非同时的读写操作。同时每个块RAM可以被分为两部分,分别实现两个独立的单端口RAM。...需要注意的是,当要实现两个独立的单端口RAM模块时,首先要保证每个模块所占用的存储空间小于块RAM存储空间的1/2。...(2)简单的双端口RAM 简单双端口RAM 模型如下图所示,图中上边的端口只写,下边的端口只读,因此这种RAM 也被称为伪双端口RAM(Pseudo Dual Port RAM)。...一般来讲,在单个块RAM实现的真正双端口RAM模式中,能达到的最宽数据位为36比特*512,但可以采用级联多个块RAM的方式实现更宽数据位的双端口RAM。
定义与功能内存条,全称为Random-Access Memory(RAM),也称为随机存取存储器。它是电脑中用于暂时存储数据和程序以供CPU快速访问的部件。
所有和RAM的通信都必须经过北桥 RAM只有一个端口(port) CPU和挂接到南桥设备的通信则有北桥路由 可以发现瓶颈: 为设备去访问RAM的瓶颈。...每个CPU访问自己的本地RAM。 ?...2.1 RAM Types 2.1.1 Static RAM 访问SRAM没有延迟,但SRAM贵,容量小。 ? Figure 2.4: 6-T Static RAM 电路图就不解释了。...2.2.1 Dynamic RAM ? Figure 2.5: 1-T Dynamic RAM 电路图就不解释了。...DRAM物理结构:若干RAM chip,RAM chip下有若干RAM cell,每个RAM cell的状态代表1 bit。 访问DRAM有延迟(等待电容充放电),但DRAM便宜,容量大。
手机的RAM似乎每季度增加一次,那么手机到底实际需要多少RAM。...如果LMK/ULMK太频繁,则可能会影响整体用户体验。在最坏的情况下,每次您离开一个应用程序以启动另一个应用程序时,先前的应用程序都会被杀死,从而为新应用程序让路。这是严重的内存不足情况。...只要被删除的应用程序是“旧的”,用户甚至可能不会注意到它已从内存中删除。 市面上的app 大致可以分为三类。 “标准”应用程序使用130MB至400MB的RAM。...因此普通用户可能很难分辨6GB设备和8GB设备之间的区别。 超过8GB 超过8GB后,将浪费多余的RAM.4GB是可行的,6GB/8GB是比较好的配置。10GB/12GB/16GB是愚蠢的。...这些仅是硬件数据好看,这会增加价格,给用户带来的好处很小或没有。
Step 2 在~/Library/Developer/Xcode/DerivedData.上部署安装2 GB大小的RAM磁盘。...1024 / 512): C代码 收藏代码 hdid -nomount ram://4194304 此行命令后将会输出RAM磁盘的驱动名字:/dev/diskN(N为数字)。...这些文件仍会占据空间,但在移除RAM磁盘之前都无法访问。 在重启或从Finder中弹出RAM磁盘时,磁盘中的内容将会消失。下次再创建磁盘时,Xcode将会重新构建它的索引和你的项目中间文件。...: //4194304 此行命令后将会输出RAM磁盘的驱动名字:/dev/diskN(N为数字)。...这些文件仍会占据空间,但在移除RAM磁盘之前都无法访问。 在重启或从Finder中弹出RAM磁盘时,磁盘中的内容将会消失。下次再创建磁盘时,Xcode将会重新构建它的索引和你的项目中间文件。
在FPGA设计中可能会出现对单端口RAM需求较大的情况。尽管Xilinx提供了将BRAM配置为单端口RAM的IP Core,但从资源角度来看,可能会造成浪费。...例如,需要2个512x18的单端口RAM,若直接采用单端口RAM的配置方式,1个512x18的单端口RAM将占用1个18Kb的BRAM,这意味着将要消耗2个18Kb的BRAM。...二者地址空间没有重叠,因此互相独立,从而形成了两个独立的512x18即9Kb的单端口RAM。此外,端口A和端口B的位宽可以不一致(但不是随意的),如上图的右半区域所示。...仍将BRAM配置为双端口RAM,其中端口A为1024x18,端口B为2048x9。...二者地址空间依然没有重叠,仍相互独立,从而形成了两个独立的9Kb的单端口RAM。 思考一下: 对于URAM是否可以这么配置?
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