中天弘宇证实首款NOR Flash量产出货，下代大容量产品可期

集微网消息，近日，供应链人士告诉集微网，本土存储器厂商中天弘宇的第一代NOR Flash产品在55nm工艺制程上实现量产，已于春节前正式批量出货，首批客户为海外消费电子类厂商，月订单数量稳步增长。

对此，集微网向中天弘宇求证时，后者回应称：“第一代产品的确已开始稳定出货且正持续上量，其将对公司今年的业绩带来有力支撑。”

某元器件代理商指出，中天弘宇的产品量产出货，初步印证了该公司提出的“二次电子倍增注入浮栅”存储器原理级创新的可行性，虽然目前仅是小容量产品的成果转化，但也代表该公司自主研发的技术和产品正式得到了市场的验证和认可。

据了解，按照行业管理，根据容量大小不同一般将NOR Flash分为小容量（32M以下）、中容量（32M-128M）和大容量（128M以上）三类。由于微缩制程受限，业界最高容量仍停留在2Gb水平难以突破。长此以往，NOR Flash在全球存储芯片中所占产值份额不断降低，欧美厂商也陆续退出NOR Flash的角逐，该行业集中度越来越高，目前主要被旺宏、华邦、兆易创新和赛普拉斯四家厂商占据。

不过，随着过去几年新应用的诞生，NOR Flash市场仍然出现了一定程度的增长。根据IC Insights数据，2021 年NOR Flash整体市场约29 亿美元（yoy+16%），出货量同比增长了33%，在传统市场保持稳定增长的同时，NOR Flash市场规模的增长主要得益于TWS耳机、智能可穿戴设备、物联网设备、智能手机、5G 以及汽车电子等行业的需求增长，此外 Windows 11 提升最低硬件配置需求，汽车电子升级下全车含硅量大幅提升也都将促进NOR Flash市场进一步增长，未来5年 NOR 市场复合增速有望达到达7%。

值得一提的是，如果技术上能够率先突破目前的容量和栅长限制，不仅将带动NOR Flash市场迎来新的增长曲线，而且还会重新改写该行业的竞争格局。

资料显示，中天弘宇正利用原创的“二次电子倍增注入浮栅”技术和创新的存储单元结构及电路结构，致力于打破穿通效应对NOR Flash使用更先进工艺节点的限制，使存储单元的沟道长度能够继续向90nm以下微缩，达到小面积、低成本、低功耗、大容量的效果。

中天弘宇高管告诉集微网：“公司的大容量产品正在有条不紊的开发当中，其中包括2Gb及以上容量的NOR Flash产品。”