集微网消息,美国商务部下属的美国国家标准技术研究院(NIST)于3月21日正式发布“防止不当使用芯片法案资金”细则(“PreventingtheImproperUseofCHIPSActFunding)。细则中对传统逻辑芯片(Legacysemiconductor)做了详细说明。
(1)28纳米或更早的数字或模拟逻辑半导体(即平面晶体管的栅极长度为28纳米或更长);
(2)半间距大于18纳米的DRAM或小于128层的NAND半导体,不使用新兴存储器技术,例如过渡金属氧化物、相位-改变与高级存储器制造相关的存储器、钙钛矿或铁磁体;或者
(3)商务部根据15U.S.C.4652(a)(6)(A)(ii)条目的规定;
(b)尽管有本节(a)段的规定,但以下不是传统逻辑半导体:
(1)对国家安全至关重要的半导体,如§231.120所定义;
(2)具有后平面晶体管结构的半导体(如FinFET或GAA结构;
和(3)以封装设施为目的,利用三维(3D)集成封装半导体。
231.120条目规定的对国家安全至关重要的半导体设定为:
(a) 化合物半导体;
(b) 利用纳米材料的半导体,包括一维和二维碳同素异形体,例如石墨烯和碳纳米管;
(c) 宽带隙/超宽带隙半导体;
(d) RHBP半导体;
(e) FD-SOI半导体;
(f) 硅光子半导体;
(g) 为量子信息系统设计的半导体;和
(h) 设计用于低温环境(等于或低于77Kelvin)的半导体。
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