国博电子（688375.SH）：积极布局以GaN为代表的第三代化合物半导体领域

文章来源：企鹅号 - 格隆汇

格隆汇4月21日丨有投资者在投资者互动平台向国博电子(688375.SH)提问，“贵司产品在三代半导体和四代半导体有何技术储备和技术运用？”

国博电子回复称，国博电子积极布局以GaN为代表的第三代化合物半导体领域。在T/R组件领域，公司研制的GaN射频芯片已在T/R组件中得到广泛的工程应用；在射频模块领域，公司推出的新一代GaN射频模块在主要产品性能与国际主流产品水平相当，产品覆盖面、种类、技术达到国际先进厂商水平。在未来技术发展方面，公司按照“探索一代、预研一代、研制一代、生产一代”的原则，持续推动技术创新。