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今天跟大家聊一聊:央视传出新消息,0.1nm的光镜镀膜设备投用,国产光刻机的最后拼图!
对于光刻机想必大家都不陌生,作为制造芯片的核心设备,集结了全球顶尖的科研成果,没有任何国家能够完成独立生产,目前只有荷兰的ASML能够组装出顶尖的EUV光刻机,国内芯片制造技术无法突破7nm瓶颈,主要原因就是无法获取到尖端的EUV光刻机。
目前在制造光刻机的核心部件上,国内已经间接攻克了双工件台、EUV光源等等技术,而研发难度相对较大EUV光学镜头上,也是国产光刻机最重要、同时也是最后的拼图,目前关于这项技术央视已经传出了好消息。
国产先进设备投入使用
由中科院研发一项新技术被央视报道,国内首台高能同步辐射光源设备,已经成功研发并于6月28开始安装测试,同时负责该设备技术研发、测试支撑能力的实验平台,已经正式进入到了试运行状态。
同时中科科仪研发的纳米聚焦镜镀膜装置,以及直线式劳埃透镜镀膜装置,也在当天正式测试运行。两家研究所取得的科研成就,单从名字上看就觉得高端,那这些设备的投入使用将会给我国半导体行业带来什么样的改变呢?这些设备的主要用途又是什么呢?
镜镀膜装置的作用
据了解此次中科科仪所推出的镜镀膜装置,其膜层制备工艺可以满足大多数的物理镜头,其中就包括了EUV光刻机当中的核心部件“光学镜头”,而光学镀膜实际上就是在镜头上镀上单层或多层薄膜,从而更好的适配光学零件对于光的不同需求,而这就是难度大、应用范围广的“真空镀膜”设备。
随着芯片制程工艺的不断提升,对于EUV光刻机的光学镜头光洁度的要求也越来越高,目前对于光洁度的要求是不能超过0.05nm,而目前最先进的制程工艺也仅为5nm,可想而知这项技术的难度有多大了,目前能够生产EUV光刻机光学镜头的也只有蔡司,而全球能够制备该镜头的工程师不超过20个。
0.1nm的光镜镀膜设备
此次中科科仪所研发的真空镀膜设备,已经能够将膜厚的精度很好的控制在0.1nm以内,相当于和国际的先进水平已经相差无几了,也足以达到制备光刻机光学镜头的条件了,更加难能可贵的是,从零部件到核心技术、到最终的运行测试都是由我们自主完成,真正实现了光镜镀膜设备的国产化。
目前上海微电子已经在研发国产光刻机了,据悉28nm光刻机所需要的技术已经研发完成,现在已经在等待最终的组装下线了,而此次攻克的光镀膜设备,可以很好的提高光刻镜头的水准,或许能够帮助上海微电子实现更为尖端的国产光刻机制造。
目前由中科院研发的高能同步辐射光源设备,截止到6月底已经安装了超过70%的进度,与之相匹配的相应设备,预计在2022年就能够全部搭建完成,并且正式投入商用,再配合上光镀膜设备,可以很好的助力国产光刻机的发展,也将给中国半导体领域带来更多的希望。
高能同步辐射光源设备的作用
此次由中科院研发的“高能同步辐射光源设备”,已经达到了国际上的顶尖水准,可以适用于航天航空以及半导体等等高端领域,同时这也是全球最亮的第四代同步辐射光源之一,高强度的光源可以有效降低芯片制造过程中,对于光刻机设备的精度要求,给国产芯片带来了全新的希望。
在该项技术诞生之后,很好的弥补了在该领域的空白,搭建起了重要的支撑平台,随着国家开始重视半导体产业,之后还将有先进的技术不断实现攻克,如今我们在半导体领域应该分为两步走,首先就是保持对于先进制程工艺的研发,以保持先进技术的留存,其次就是把重心放在对于成熟工艺的完全自主化量产上。
目前国内的科研氛围逐渐变好,也吸引了众多的海外博士归国,在有了中科院的助力之下,国产的半导体技术将迎来飞速的发展,完成了先进制程工艺的国产化布局,相关限制才得以彻底摆脱,对此你们有什么看法呢?
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