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全球首发!新一代SIC晶体生长用材料

半导体产业网讯:随着导电型SIC衬底的逐渐量产,对工艺的稳定性、可重复性都提出更高的要求。特别是缺陷的控制,炉内热场微小的调整或漂移,都会带来晶体的变化或缺陷的增加。后期,更要面临“长快、长厚、长大”的挑战,除了理论和工程的提高外,还需要更先进的热场材料作为支撑。使用先进材料,长先进晶体

热场中坩埚的材料,石墨、多孔石墨、碳化钽粉等使用不当,会带来碳包裹物增多等缺陷。另外在有些应用场合,多孔石墨的透气率不够,需要额外开孔来增加透气率。透气率大的多孔石墨,面临加工、掉粉、蚀刻等挑战。

恒普科技推出全新一代SIC晶体生长热场材料,多孔碳化钽全球首发!碳化钽的强度和硬度都很高,做成多孔状,更是挑战。做成孔隙率大、纯度高的多孔碳化钽更是极具挑战。恒普科技突破性地推出大孔隙率的多孔碳化钽,孔隙率最大可以做到75%国际领先

气相组元过滤,调整局部温度梯度,引导物质流方向,控制泄漏等都可以使用。

可与恒普科技另外一款固体碳化钽(致密)或碳化钽涂层,形成局部不同流导的构件。

部分构件可以重复使用。

恒普科技多孔碳化钽

·孔隙率  ≤75%  国际领先

·形状:片状、筒状       国际领先

·孔隙度均匀

恒普科技 | 零实验室

恒普科技 | 零实验室,致力于材料的基础研究和创新方向探索

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  • 原文链接https://kuaibao.qq.com/s/20230428A016XQ00?refer=cp_1026
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