“碳基芯片”研发成功，中国“芯”换道超车，不再依赖高端光刻机

谁都知道，美国与荷兰、日本等国家，联合起来，封锁了中国的核心技术，目的就是为了阻止中国的14纳米技术更进一步。

实话跟你说吧，现在的情况很糟糕，我们没法弄到 ASML的 EUV光刻机，也没法弄到，7 nm制程的渗透型光刻机，也没法弄到，尼康和 ASML，也没法弄到，只能弄到14 nm制程以上的产品。

国内的光刻技术，目前还停留在90纳米，距离14纳米，还有很长一段路要走。

所以很多人都觉得，我们在硅基芯片方面，想要超越美国，几乎是不可能的，而且我们的硅基芯片，也快到了极限了，迟早会被新的材料所取代，我们必须要做好准备。

而量子芯片，光学芯片，以及碳基芯片，则是未来的发展方向。尤其是中国的碳基芯片，在材料、制造、研发等方面，都是遥遥领先的，到2022年年底，我国的石墨烯专利申请数量，已经达到了全球80%左右。

而且，由于碳基晶体管的导电性比硅基晶体管好了不知道多少倍，所以在性能方面，碳基晶体管比硅基晶体管要好上十倍不止，而在这一点上，碳基晶体管的功率消耗也要比硅基晶体管低很多。

另一种说法是，如果碳基芯片不用硅片，那么光刻机的技术，将会发生翻天覆地的变化，再也不需要 EUV光刻机了，中国芯，将不再受光刻机的限制，这是一个值得努力的方向。

事实上，到现在为止，碳基芯片都还停留在概念上，还没有真正意义上的量产，更多的是用来做科研的。

此外，碳晶体管中含有4个自由电子，其导热系数和电子活性都很高，这使得其内部结构非常不稳定，成为目前碳基芯片制备中的一个难题。

另外，就目前的研究而言，碳基晶体管的制作，与现有的硅基晶体管一样，都是用投影仪，投影仪将电路投影出来，原理与步骤都是一样的。

也就是说，想要用碳基芯片绕过光刻机和 EUV光刻机，在现阶段恐怕是不太现实的，因为碳基芯片和硅基芯片唯一的区别，就是材质上的区别，但工艺上却是大同小异。

当然，碳基芯片的技术要比硅基芯片高得多，40纳米的碳基芯片，甚至有可能达到3纳米的硅基芯片，而现在，我们已经掌握了14纳米的技术，完全有能力生产出一款新的碳基芯片。

但说实话，任何一项技术，想要超越其他国家，都必须要有足够的技术，否则，就会被其他国家超越，这是不可能的，所以，我们必须要在半导体行业发展起来，弥补我们的短板，让我们进入一个新的时代，不是吗？