业内首创，天岳先进公布 8 英寸碳化硅衬底最新技术

IT之家 7 月 3 日消息，天岳先进携 8 英寸碳化硅衬底最新技术动态亮相 Semicon China 展会，公开了最新进展。

公司 CTO 高超博士介绍，目前公司以 6 英寸导电型碳化硅衬底为主，上海临港工厂已经进入产品交付阶段，8 英寸产品也已经具备产业化能力。

高超博士

近日，天岳先进采用液相法制备出了低缺陷的 8 英寸晶体，通过热场、溶液设计和工艺创新突破了碳化硅单晶高质量生长界面控制和缺陷控制难题，尚属业内首创。除了产品尺寸，在大尺寸单晶高效制备方面，采用公司最新技术制备的晶体厚度已突破 60mm。

据了解，6 英寸碳化硅晶片仍是市场主流产品，8 英寸衬底正成为技术演化方向，Wolfspeed、ROHM、英飞凌等国际大厂已先后布局。8 英寸的面积较 6 英寸增加了约 78%，同等条件下从 8 英寸衬底切出的芯片数将提升近 90%，可将单位综合成本降低 50%。

天岳先进在今年 5 月与英飞凌签订一项新的晶圆和晶锭供应协议，供货碳化硅 6 英寸衬底、合作制备 8 英寸衬底。