国博电子(688375.SH)：自主研发设计的GaN射频芯片已在有源相控阵T/R组件等产品中广泛应用

文章来源：企鹅号 - 格隆汇

格隆汇7月17日丨有投资者向国博电子(688375.SH)提问，“公司在第三代半导体的布局如何，对于公司T/R组件，有无布局上游芯片的计划？”

国博电子回复称，国博电子积极布局以氮化镓(GaN)为代表的第三代化合物半导体领域，拥有GaN射频芯片设计团队，自主研发设计的GaN射频芯片已在有源相控阵T/R组件等产品中广泛应用。