氮化镓半导体器件市场增长预测

氮化镓（GaN）半导体器件市场预计2023年价值211亿美元，预计到2028年将达到283亿美元，预测期内复合年增长率为6.1%，消费和商业企业越来越多地采用GaN半导体器件、能源和电力行业中GaN半导体器件的部署激增以及汽车行业中GaN半导体器件的集成度不断提高是推动全球市场增长的一些主要因素。（芯团网，领先全球的芯片元器件纯第三方交易平台，一分钟货比百家，质量有保证，违约高赔偿）

推动因素: GaN 半导体器件在消费者和企业对笔记本电脑、智能手机、电源活配、高速充电器、LED照明、智能家居等消费电子产品的需求不断增长，预计将对这人市场的增长产生重大影响，消费电子产品中的 Gan 半导体器件的集成可实现高功率密度并提高效率。

它提高了充电速度，提供更长的使用寿命并且消耗更少的电量。GaN 半导体器件也被部署在企业应用中，因为它们被用于基站和其他网络设备，其高功率处理和高频功能增强了无线通信。因此，消费电子行业和商业企业不断增长的需求预计将推动市场增长。

制约因素:制造成本高

GaN 半导体器件的高成本对其广泛采用产生了重大影响。它们的高成本可归因于几个因素，首先，GaN 底是构建器件的基础，其生产涉及复杂的技术，需要专门的设备和专业知识，与硅等更成熟的半导体材料相比，这种复杂性显著提高了制造成本，此外，高质量 GaN 衬底的供应不足进一步导致其价格上涨，限制了生产规模经济。

机遇:GaN半导体器件在汽车行业的集成度不断提高

汽车行业对 GaN 半导体器件的需求不断增长，这些器件用于提高电气化、连接性和自动驾驶的性能效率。硅半导体器件功率转换的局限性导致对 GaN 的需求增加，Gan 为汽车电子提供了更高的效率，速度和更小的尺寸。GaN 半导体器件可用于多种汽车应用，例如混合动力和电力 DC-DC 转换器、激光雷达和驾驶员捕助(ADAS)以及自动导航系统、电机驱动、信息娱乐系统以及 D 类音频系统。因此，汽车行业可能会增加GaN半导体的部署

挑战:与 GaN 半导体器件相关的制造复杂性

GaN 半导体器件由于其独特的性能和材料特性而涉及多种制 造复杂性，在村底上外延生长GaN层是GaN 器件制造中的重要步装。这些是必须以晶体质量和低缺陷密度生长，以实现所需的最佳器件性能。同样，在经历所有制造工艺、设备和材料时，热系数、极化效应、带缘和化学将定性、晶格中的掺杂剂、稳定的栅极绝缘层、晶体缺陷管理和热稳定性等因素也起着重要的作用。角色。这些挑战可以通过推出可靠的测试方法来解决。（芯团网，领先全球的芯片元器件纯第三方交易平台，一分钟货比百家，质量有保证，违约高赔偿）