日本在光刻机领域取得进展！佳能最新技术，可实现14nm图案化！

据《前瞻网》最新消息了解到，10月13日，日本佳能公司对外宣布推出FPA-1200NZ2C纳米级压印半导体制造设备。据佳能官方数据分析，这款半导体制造设备采用了电路图案转移技术，这项技术也是半导体制造工艺中最重要的技术。

据报道，对于传统的光刻设备来说，一般都是通过将图案投射到涂有抗蚀剂的晶圆上。而目前佳能公司研制的压印光刻技术则是通过在晶圆上的抗蚀剂上压印有电路图案的掩模实现的，我门可以把他当作“邮票”一样。

压印光刻技术主要是因为电路图案在转移的过程中不需要经过光学机构，因此在晶圆上可以忠实的再现掩模上的精细电路图案，这也使得压印光刻设备在一定程度上拥有低成本的优点，提高了它的市场竞争力。

据佳能官网信息了解到，目前佳能的纳米压印光刻技术可以实现最小线宽为14纳米的图案化，这就相当于目前最先进逻辑半导体技术所需要的5纳米节点。

不仅如此，据佳能最新消息表示，还在将该掩模技术进一步改进，未来纳米压印光刻有望实现最小线宽为1纳米的电路图案，相当于最先进逻辑半导体技术所需要的2纳米节点。

纳米压印光刻技术如此先进，具体的实际应用又该如何呢？

据《前展网》显示，纳米压印光刻技术在微电子、光电子和纳米制造等众多领域都拥有广泛的运用。

就目前而言，市场所需要二点半导体零部件尺寸越来越小，因此在传统的光刻技术发展中面临着众多的挑战，而纳米压印光刻技术的出现，对这一问题的解决有一定的缓解作用。

因其压印光刻设备在生产制作上有更低的成本和可以提供更高的分辨率。因此压印光刻设备在全球市场存在极大的发展潜力，所以市面上也出现了一大批纳米压印光刻设备和材料的供应商，未来在压印光刻领域的竞争将会越来越激烈。

据了解，压印光刻设备目前采用的光源依然是我们熟知的紫外光。与传统的曝光设备相比较，压印光刻设备的占地面积更小，并且生产能耗也更低。未来它可以生产出与目前尖端工艺兼容的逻辑存储器，并且它的设备工号只有EUV曝光设备的十分之一。

据佳能公司得知，压印光刻设备的配置标准为每站配备一个压印头。但是标准配置规模为两站配置，如果有需要也可以将其变为4站配置。

在生产速度上，因为需要使用抗蚀剂将掩模压到晶圆上，并且需要多台设备聚集，才能达到提高吞吐量的目的。目前压印光刻设备的吞吐量大概为4个掩模/小时。

不仅如此，压印光刻机设备的叠印技术相比与传统的投影曝光技术有所不同，它的精度为4纳米左右，并且采用逐芯片对准方法来对准压印的每个镜头。佳能公司还进一步解释道，目前为了高精度纠正底层电路图案的变形问题，我们将通过改变激光的热分布，以及利用晶圆的热膨胀来解决。

对于佳能最新研制的纳米压印技术而言，早在1995年就已经出现了纳米压印的概念，从此便开启了它的精彩“人生”。或许在一定程度上可能成为未来微纳电子与广电子产业的纳米技术。

就目前全球光刻技术而言，纳米压印技术在国际半导体技术蓝图（ITRS）中被确定为下一代32纳米、22纳米以及16纳米节点的光刻机技术的代表之一。

最后，要知道的是，虽然纳米压印光刻技术在25年里已经有了很大突破进展，但目前的纳米压印技术并不是一种真正的制造半导体部件的技术，而是一种形成图案的技术。并且还支持透镜针对具有精细结构的XR制作，未来将有望得到市场的广泛运用。

在之后的发展中，市场需求的逐渐加大和科技的不断变革，纳米压印技术在未来或许会成为目前芯片制造主流技术的补充技术。