材料革新提功率 新一代「力更強」

到底什麼才是第三代半導體晶片？第三代半導體晶片與第一、二代相比，又有哪些不同？單建安表示，兩者從所用材料、性能、應用範疇三大範疇都有較大差異，特別是由於第三代半導體功率大、驅動快、省電且體積小，比起聚焦信號處理和計算能力「想得快」功能，更有着「力更強」的特質。

不過他亦強調，第三代半導體晶片並非為了完全取代第一、二代，而是進行拓展與延伸。未來隨着新能源、電動汽車等技術與應用日益成熟並推廣壯大，第三代半導體的應用前景與重要性將愈加凸顯。

第三代半導體「力速雙強」

單建安指，製作原材料是不同世代半導體晶片的基本差異，第一代的原料通常是簡單的硅（Si），而第三代的代表材料是碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）；材料變革與創新，背後是性能的提升躍進，第三代半導體較之前擁有更強勁的功率輸出（電流、電壓的輸出與控制能力顯著提升）、更低能耗及較細的體積佔比。為此他做了個生動的比喻，「第一代半導體可稱為『想得快』，就好比一個人思維敏捷快速，但幹不了力氣活；而第三代可稱作『力更強』，即一個人身強力壯，幹活又快又好，同時吃得還比常人少。」

他以電動汽車為例，過去以第一代半導體晶片作驅動馬達的電動車可能僅有100匹馬力，遠低於傳統內燃機車約300至400匹馬力，而第三代半導體能克服有關問題，特別適合「既想做到智能決策，又想要action（動力），需要強有力的驅動引擎」的情境。

發展重點在於「拓展」並非「取代」

不過單建安亦強調，按當前技術發展，第一代半導體始終具高超信號處理能力，於人工智能（AI）、決策分析（making decision）等範疇表現突出，在手機及儲存晶片等應用做得最好，所以第三代半導體發展重點，是在於「拓展」並非「取代」，在光電子、新能源發電、新能源汽車、高鐵等新興領域，均有廣闊的用武之地。