财联社1月9日讯(编辑 刘蕊)美东时间周一,全球第二大存储芯片制造商SK海力士在CES 2024(国际消费电子展)上公布了其雄心勃勃的目标,即在未来三年内将公司市值翻一倍,并巩固其在新兴的人工智能时代的领导地位。
SK海力士社长郭鲁正(Kwak Noh-Jung)表示:“如果我们对目前生产的产品做好准备,最大限度地提高投资效率,并保持财务健全性,我认为我们可以在未来3年内将目前100万亿韩元(约769亿美元)的市场总值翻一番,达到200万亿韩元。”
在HBM领域持续领跑
SK海力士在以“记忆,人工智能的力量”为主题的发布会上,表现出了在高性能计算和AI功能需求剧增的新时代保持竞争优势的自信。
他表示:“随着生成式人工智能的普及,存储芯片的重要性将会增加。我们正在引领‘以内存为中心的AI无处不在’的时代,将向信息通信技术行业提供世界上最好的技术产品。”
SK海力士表示,该公司将在本次CES展会上重点强调“以内存为中心(Memory Centric)”的未来愿景,其中的核心项目就是SK海力士的第五代高性能计算芯片“HBM3E”等高带宽存储产品。
“HBM3E”被认为是目前市场上性能最好的存储产品。SK海力士领先于竞争对手,开发了用于生成式人工智能领域的最新HBM芯片,并获得了关键用户——人工智能芯片的领头羊英伟达。
郭鲁正表示:“市场上只有三家HBM供应商。我可以肯定的是,SK海力士是HBM领域的明显领导者。”
郭鲁正表示,随着人工智能系统的快速发展,客户对内存的需求也在不断多样化。他表示:“SK海力士为了满足这些企业的需求,将推出针对每个客户提供量身定制的AI内存解决方案的‘客户内存平台’。”
或停止减产DRAM芯片
郭鲁正还暗示,将对SK海力士的生产线进行战略性调整。此前数月,由于存储芯片需求疲弱,SK海力士持续减产NAND和DRAM产品,但目前,这一减产趋势可能迎来终点。
郭鲁正表示,关于DRAM芯片的生产计划,“需要在第一季度做出改变”,这表明该公司DRAM芯片的产量将增加;而对于NAND闪存芯片的生产计划,SK海力士表示,计划在年中之后根据市场情况做出反应。
"在DRAM市场出现复苏迹象之际,我们将专注于生产更多需求旺盛的芯片,同时调整其他产品的产量,"他表示,“对于NAND,市场情绪似乎已经触底。我们可能会在未来几个月调整生产计划。”
由于行业景气停滞和半导体价格下跌等原因,SK海力士已经连续数月营业亏损,但今年第一季度,公司有望实现盈利。
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