硅基芯片制造离不开光刻工艺,而光刻机是关键设备。干式光刻机ArF Dry最多实现65nm制程,浸润式光刻机ArFi实现7nm,7nm以下需EUV光刻机。国内芯片工艺卡在14nm,光刻机受限是主要问题。但实现5nm芯片,除EUV光刻机外,还需多束电子束光刻机,用于制造光掩膜板。全球仅4家企业能制造此设备,其中日本Nuflare占90%份额。电子束光刻机也受《瓦森纳协定》管控。国产芯片产业链需全面发展,不仅依赖单一设备。
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