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二维莫尔材料是通过叠加两个取向或/和晶格常数差异较小的层状晶体而形成的,它们的直接耦合产生莫尔势。莫尔材料已成为发现新物理和设备概念的平台,但尽管莫尔材料具有高度可调性,但莫尔晶格一旦形成,就无法轻易改变。在这里,我们演示了莫尔晶格在目标单层半导体上的静电压印。莫尔电势由远程 MoSe 2 /WS 2莫尔双层中的莫特绝缘体态支持的电子晶格产生,印记莫尔电势,在目标单层中生成平带和相关绝缘态,并且可以打开/off 通过栅极调整莫尔双层的掺杂密度。此外,我们还研究了静电和结构弛豫对莫尔印记的影响之间的相互作用。我们的结果展示了莫尔晶格栅极控制的途径。
莫尔晶格的远程压印
Nat. Mater.
Pub Date : 2024-01-04
DOI : 10.1038/s41563-023-01709-8
Jie Gu , Jiacheng Zhu , Patrick Knuppel , Kenji Watanabe , Takashi Taniguchi , Jie Shan , Kin Fai Mak
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