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在二维电介质家族中,菱形氮化硼 (rBN) 具有相当大的前景,因为它不仅具有六方氮化硼的优异性能,包括低介电常数和耗散、强电绝缘性、良好的化学性能稳定性、高热导率和原子平坦度,无悬空键,而且还具有有用的光学非线性和界面铁电性,这些特性源自面内和面外中心对称性的破坏。然而,由于需要前所未有的生长控制来协调每层的晶格取向和每个界面的滑动矢量,大尺寸单晶 rBN 层的制备仍然是一个挑战24,25,26 。在这里,我们报告了一种简单的方法,使用斜边外延来制备厘米大小的单晶 rBN 层,并在邻位镍表面上具有精确的层间 ABC 堆叠。我们在斜面(110)处成功地精确制造了平台面(100)的阶梯边缘的单晶镍基板,同时引导了每个 BN 层中一致的硼氮键方向和菱面体堆叠。BN 通过每个斜面附近的成核形成层。所生长的 BN 层的纯菱面体相得到了验证,因此表现出鲁棒、均匀、可切换的铁电性和高居里温度。我们的工作为单晶二维层的精确堆叠控制生长提供了有效途径,并为基于堆叠二维材料的适用多功能器件奠定了基础。
铁电菱面体氮化硼单晶的斜边外延
Nature
Pub Date : 2024-05-01
DOI : 10.1038/s41586-024-07286-3
Li Wang , Jiajie Qi , Wenya Wei , Mengqi Wu , Zhibin Zhang , Xiaomin Li , Huacong Sun , Quanlin Guo , Meng Cao , Qinghe Wang , Chao Zhao , Yuxuan Sheng , Zhetong Liu , Can Liu , Muhong Wu , Zhi Xu , Wenlong Wang , Hao Hong , Peng Gao , Menghao Wu , Zhu-Jun Wang , Xiaozhi Xu , Enge Wang , Feng Ding , Xiaorui Zheng , Kaihui Liu , Xuedong Bai
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