CGH40045FE射频功率晶体管是CREE公司提供的一款性能优越的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。它操作在28伏的电压轨道上,为各种射频和微波应用提供通用宽带解决方案。该晶体管具有高效率、高增益和宽带性能,适用于线性和压缩放大器电路。
以下是CGH40045FE射频功率晶体管的一些特征:
1.工作频率高达4 GHz
2.在2.0 GHz时具有16 dB的小信号增益,在4.0 GHz时为12 dB
3.PSAT(饱和输出功率)为55 W
4.工作电压28 V
应用:
2路私人无线电:适用于私人通信设备中的发射和接收模块。
宽带放大器:用于需要高频宽带放大器的应用,如电信基础设施等。
蜂窝基础设施:可用于蜂窝网络基站和设备的射频传输模块。
测试仪器:适用于各种测试仪器的射频信号放大模块。
A类,AB类,线性放大器:适用于各种调制方式(如OFDM, W-CDMA, EDGE, CDMA)下的线性和压缩放大器设计。
产品选型:
Order NumberDescriptionInit of MeasureImageCGH40045FGaN HEMTEachCGH40045PGaN HEMTEachCGH40045F-AMPTest board with GaN HEMT installedEachCGH40045P-AMPTest board with GaN HEMT installedEach
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