为什么先进封装会用到Cu-pillar Bump
Cu-pillar是使用 TCFC(热压倒装芯片)技术将 芯片倒装到封装基板上时使用的端子。Cu-pillar形成在芯片的铝电极焊盘上。由于芯片上集成的焊盘间距细小,引脚数增加,Cu-pillar互连的需求量也随之增加。
在晶圆端,相较于Solder Bump,Cu-pillar Bump具有Fine Pitch的优势,芯片尺寸可缩小约5~10%实现更小的封装结构,利用Fine Pitch及Bump on Trace制程,并采用简化基板制程,可将基板层数由6层减少至4层,因此基板成本可下降约30%。
它的优势有:
·细间距可达到30μm,TSV和CoC硅片封装间距极细,低至 30 μm
·出色的电迁移性能,适合高电流承载能力应用
·在铜柱凸块之前进行晶圆级电气测试
·能兼容专为引线键合而设计的芯片键合焊盘/间距和焊盘金属化,从而能够快速将芯片转换为倒装芯片
·通过减少基板层数,许多设计可以降低成本
·对于高凸块密度设计,与金柱凸块相比,细间距倒装芯片 (FPFC) 互连的成本更低
·提供各种铜柱结构,包括铜条类型、标准铜柱、细间距铜柱和微凸块。
·可提供重新钝化或不重新钝化
·符合先进硅节点 Low-k 器件的要求
·可实现更严格的芯片到封装设计规则/更小的封装尺寸
1 Cu-pillar Structure
如下就是大概的示意结构图及SEM图。
2 Copper Pillar电镀工艺
回流良好的焊料凸块。
热回流过程中塌陷的焊料凸块。
结语
今天的分享就到这里,若还需要了解其他内容,可以私信联系我们,您的支持,将是我们前进的动力,欢迎点赞关注。
领取专属 10元无门槛券
私享最新 技术干货