三星将于年内量产CXL 2.0 D-RAM
7月18日，据科创板日报援引外媒报道，三星宣布将于今年晚些时候开始量产CXL 2.0 D-RAM内存芯片，该芯片采用10nm制程的1y D-RAM工艺节点，容量高达256GB。
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