中国极紫外光刻实现重要技术飞跃

我国在2种国产极紫外光刻(DUV)曝光设备上实现了重要的技术飞跃。

15日报道说，中国工业和信息化部在本周发行的《主要技术装备》目录中表明了上述内容。

工业和信息化部表示:"曝光设备实现了重要的技术飞跃,并拥有了自己的知识产权,但尚未上市。" 相关2种设备的制作公司信息也没有公开。

据工业和信息化部透露,中国开发的两台设备之一在193纳米(10亿分之1米)波长下运行,分辨率不到65纳米,覆盖准确度不到8纳米。 另一个设备在248纳米波长下运行,分辨率110纳米,覆盖准确度25纳米。

尽管如此,我国设备与目前在全球市场销售的最尖端产品的技术差距仍然很大。

例如,荷兰半导体设备企业ASML制造的最尖端DUV曝光设备的分辨率不到38纳米,覆盖准确度为1.3纳米,远远领先于中国产品。 使用更短波长的极紫外线(EUV)曝光设备已经在13.5纳米波长下启动,已经商用化。

光刻技术是利用光在半导体基板(硅晶片)上刻上复杂电路模式的核心工程,是制造尖端半导体所必需的。 我国以半导体自立为目标,多年来一直致力于开发曝光设备,但批量生产最尖端半导体所需的技术开发却进展缓慢。

垄断EUV曝光设备的ASML从2019年开始对华出口受到限制。 生产7纳米以下半导体所需的最尖端EUV光刻设备只有ASML生产。