中国生产制造光子芯片不需要用到美国制裁的极紫外光（EUV）光刻机

10 月 7 日据人民网报道，近日，湖北九峰山实验室在硅光子集成领域取得了具有里程碑意义的突破性进展。今年 9 月，实验室成功点亮了集成到硅基芯片内部的激光光源，这一成就也是该项技术在国内的首次成功实现，突破了芯片间大数据传输的物理瓶颈。

据了解，此项成果采用九峰山实验室自研异质集成技术，经过复杂的工艺过程，在 8 寸 SOI 晶圆内部完成了磷化铟激光器的工艺集成。该技术被业内称为 “芯片出光”，它使用传输性能更好的光信号替代电信号进行传输，是颠覆芯片间信号数据传输的重要手段。核心目的是解决当前芯间电信号已接近物理极限的问题。对数据中心、算力中心、CPU/GPU 芯片、AI 芯片等领域将起到革新性推动作用。

美国智库战略与国际研究中心（CSIS）曾发表文章称，中美科技战的新战场可能是硅光子技术，该技术在提高传输效率的同时降低延迟，并改变中美在半导体和 AI 的竞争格局。

与电子芯片相比，光子芯片利用光子而非电子传递信息。光子与电子技术相结合时，有望创造具更高带宽、更高能效的大规模运算系统，超越传统电子芯片的物理限制。

硅光子技术有望成为中国前进半导体制造前沿的突破口。

中国中科鑫通微电子（SinTone）预计明年在北京建设完成国内第一条多材料光子芯片生产线。这条生产线将采用自主研发的光子芯片制造工艺，不需要用到 EUV 光刻机和先进制程，可以低成本、高效率、高性能和高可靠性地生产光子芯片。

中科鑫通微电子总裁隋军表示，中国有能力在国内生产光子芯片，因为制造过程不需用到美国制裁的极紫外光（EUV）光刻机。