IF 33.7！采用六方氮化硼电介质和高内聚能金属栅电极的二维材料基晶体管

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二维 (2D) 半导体可能被用作商用场效应晶体管的沟道材料。然而，2D 半导体和大多数栅极电介质之间的界面含有会降低性能的陷阱。层状六方氮化硼 (h-BN) 可以与 2D 半导体形成无缺陷界面，但当通过工业兼容方法（例如化学气相沉积 (CVD)）制备时，天然缺陷的存在会增加漏电流并降低介电强度。我们在这里展示了具有高内聚能的金属栅极电极（铂和钨）可以使 CVD 生长的层状 h-BN 用作晶体管中的栅极电介质。与具有金电极的类似器件相比，这些电极可以将 CVD 生长的 h-BN 上的电流降低约 500 倍，并且可以提供至少 25 MV cm-1 的高介电强度。我们对 867 个设备的行为进行了统计检查，其中包括基于互补金属氧化物半导体技术的微芯片。

Two-dimensional-materials-based transistors using hexagonal boron nitride dielectrics and metal gate electrodes with high cohesive energy

Nat. Electron. (IF 33.7)

Pub Date  : 2024-08-26, DOI : 10.1038/s41928-024-01233-w

Yaqing Shen, Kaichen Zhu, Yiping Xiao, Dominic Waldhör, Abdulrahman H. Basher, Theresia Knobloch, Sebastian Pazos, Xianhu Liang, Wenwen Zheng, Yue Yuan, Juan B. Roldan, Udo Schwingenschlögl, He Tian, Huaqiang Wu, Thomas F. Schranghamer, Nicholas Trainor, Joan M. Redwing, Saptarshi Das, Tibor Grasser, Mario Lanza

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