三星全力争取HBM3E订单

据韩媒报道，三星芯片部门的最高领导上周亲赴美国，拜访了英伟达总部。

三星副董事长、DS部门负责人全永鉉此行携带了公司最新的1b DRAM样品。

这种DRAM用于HBM，此行目的是向英伟达展示最新成果。

消息人士透露，这个新样品是应英伟达去年提出的改进要求而开发的。

DS部门负责人亲自向客户展示样品的情况实属罕见。

去年，三星原计划使用1b DRAM生产 HBM，但遇到了良率和过热问题。

对此，三星曾打算改用1a DRAM（1b DRAM的前代）来生产HBM3E 8H和12H。

并计划跳过1b DRAM，直接使用1c DRAM生产HBM4。

然而，应英伟达的要求，三星又重新考虑使用1b DRAM。

全永鉉此次访问很可能是为了确保三星能获得英伟达的HBM3E订单。

作为DS部门和其下属存储器业务的负责人，全永鉉被认为是DRAM领域的专家，预计主导了此次1b DRAM的设计改进。