中微公司官宣！刻蚀速度已可以精准到0.1到0.2纳米 刻蚀设备全球出货超5000台

日前，中微公司官宣了其在市场、技术等领域的最新进展！

市场方面，中微公司表示，公司等离子体刻蚀设备反应总台数全球累计出货超过5000台。这包括CCP高能等离子体刻蚀机和ICP低能等离子体刻蚀机、单反应台反应器和双反应台反应器共四种构型的设备。

技术方面，中微公司强调，公司CCP和ICP的双台机，刻蚀速度已可以精准到0.1到0.2纳米水平，相当于头发丝直径约三十万分之一。要知道，一个硅原子的半径约为0.11纳米。

以下是详细情况：

市场占有率：累计已销售超5400个反应台

据了解，刻蚀机主要有两种，分别是CCP高能等离子体刻蚀机和ICP低能等离子体刻蚀机。目前，无论是CCP设备还是ICP设备，中微公司的市场份额都在快速增长。

中微公司表示，公司的CCP高能等离子刻蚀设备和ICP低能等离子体刻蚀设备的出货量近年来都保持高速增长。CCP设备在线累计装机量近四年年均增长大于37%，已突破4000个反应台；ICP设备在线累计装机量近四年年均增长大于100%，已突破1000个反应台。

截至2025年2月底，中微公司累计已有超过5400个反应台在国内外130多条生产线，全面实现了量产和大规模重复性销售，赢得了众多客户和供应厂商的信任和支持。

技术水平：刻蚀速度已可以精准到0.1到0.2纳米

中微公司表示，公司的刻蚀设备在过去的20年积累了大量的芯片生产线量产数据和客户验证数据，已经可以覆盖绝大多数的刻蚀应用，包括各种高端的应用。特别是CCP和ICP的双台机，反复论证了双反应台之间刻蚀的线宽差别，１Sigma已达到０.５纳米以下，刻蚀速度已可以精准到0.1到0.2纳米水平，相当于头发丝直径约三十万分之一。

中微公司还强调，公司的刻蚀机已在5纳米及更先进的微观器件生产线上大量应用。

资料显示，一个硅原子的半径约为110pm（pm，长度单位，1pm等于0.001纳米），即0.11纳米。以精准到0.1到0.2纳米水平，意味着中微公司的设备已经能实现原子级的操作。

研发速度翻倍：只需两年或更短时间就能开发出新设备

中微公司强调，公司研发新产品的速度显著加快，过去通常需要三到五年开发一款新设备，现在只需两年或更短时间就能开发出有竞争力的新设备，并顺利进入市场。

具体来看，近年来中微公司为先进存储器件和逻辑器件开发的六种LPCVD薄膜设备已经顺利进入市场。其中，在进入市场后只一年，存储器生产线所用的LPCVD设备出货量已突破100多个反应台，2024年得到约4.76亿元批量订单。