搞事情！韩国要断供中国HBM关键设备！

近日据知情人士透露，韩国设备厂商韩美半导体（Hanmi Semiconductor）通知中国客户，将暂停供应热压键合机（TC Bonder）。要知道，热压键合是生产高带宽内存（HBM）芯片的核心装备，韩国此次断供明显是冲着中国HBM产业来的，企图将打断中国HBM产业的发展进程。

一、热压键合：HBM芯片的“精密焊工”

我们知道自从人工智能爆发以来，HBM就成为炙手可热的核心部件之一，其是一种通过垂直堆叠多层DRAM芯片实现高带宽、低功耗的内存技术，广泛应用于AI芯片、高性能计算（HPC）等领域。

而TC Bonder的作用，正是将这些芯片像“叠积木”一样精准地堆叠并键合，确保电气连接和散热性能。其核心工艺涉及三个关键点：

1、亚微米级对准精度：芯片间的凸点（Bump）需精准对接，误差需控制在±1微米内，否则会导致短路或信号失效。

2、高温高压控制：通过瞬间升温至300°C以上（升温速率达100°C/s）熔化锡球，再施加压力使芯片键合，最后快速冷却固化。整个过程需在数秒内完成，对温度曲线的控制要求极高。

3、良率决定者：TC Bonder的精度和稳定性直接决定了HBM的良率。例如，12层堆叠的HBM3E芯片若键合失误，可能直接报废，损失高达数千美元。

也就是说，没有TC Bonder，HBM芯片的复杂堆叠结构就无从实现。甚至全球存储巨头（如SK海力士、三星）在扩产HBM时，TC Bonder的采购优先级甚至高于光刻机。

二、韩国垄断TC Bonder

巧合的是，当前全球TC Bonder设备主要被相关的韩国厂商所垄断。如上述提到的韩美半导体（Hanmi Semiconductor）占据HBM3E设备90%的市场份额，独家供应SK海力士的12层堆叠工艺，单台设备售价约20亿韩元（约合人民币1000万元）。其最新型号“Griffin”支持TC+MUF混合工艺，已获美光大额订单。其次，不得不提的是三星子公司SEMES，其主攻TC-NCF工艺，2024年出货量达到了2500亿韩元，并研发混合键合技术以适配下一代HBM4。

另外，日本新川（Shinkawa）和东丽（Toray）提供高精度热控模块，也涉及TC Bonder设备部分核心环节。

而当前中国厂商中涉及TC Bonder设备的只有普莱信的“Loong系列”设备，虽然已实现±1μm精度，但尚未通过大规模量产验证，且仅支持部分工艺（如TC-NCF），与韩国半导体厂商的技术代差的落后。

并且当前韩国厂商的垄断地位不仅体现在单独设备厂商，其已与存储巨头进行了深度绑定。例如，韩美半导体与SK海力士联合研发设备，甚至根据客户需求定制工艺参数，形成技术壁垒。这种“设备-制造”生态闭环，使得后来者极难突破。因此，此次断供对中国HBM厂商的影响将是广泛的。

三、韩国断供TC Bonder对中国HBM厂商的影响

随着人工智能需求的保障，HBM的应用也越来越广泛。在此背景之下，虽然韩国主导了全球HBM市场，但近期中国HBM的突破也在明显增速。据公开消息，某国产存储厂商已经于2024年下半年实现了HBM2的量产，比原计划提前了两年。据说其目标是在2026年实现量产第四代HBM3，2027年量产第五代HBM3E。

也就是说，虽然中国整体HBM产业落后于韩国至少2年以上的时间，但追赶的速度是惊人的。因此，时常有韩国业界赶到恐慌。

而此次，韩国断供TC Bonder显然有此考量。具体来说，如果韩国断供TC Bonder成为实现，对中国HBM产业将以下几个方面的挑战。

首当其冲的就是，短期内国产HBM产能的扩张将受到极大的限制。其次，就是国产HBM的良率或将降低，相比而言国产设备良率若仅能达到80%，而韩国设备可达到95%，这也将导致晶圆加工的成本增加将近30%。最为严重的是，设备的断供将使得国产HBM技术迭代的停滞；HBM3E已进入12层堆叠阶段，下一代HBM4需更高精度的混合键合技术（Hybrid Bonding）。韩国企业已布局相关设备研发，而中国尚处于空白。

因此，发展国内的TC Bonder，已经刻不容缓！这不仅关系到国产HBM产业能否突围，更深远的影响在于，HBM是AI芯片的核心部件，断供可能延缓中国AI芯片企业的算力升级，进而影响大模型训练等前沿领域的发展。