长飞先进武汉基地通线投产，首片6英寸碳化硅晶圆下线

5月28日，长飞先进武汉基地一期实现量产通线，首片6英寸碳化硅晶圆于当天成功下线，标志着该项目在工艺验证与生产部署方面迈出关键一步。

据悉，长飞先进武汉基地一期占地面积达344亩，规划吸引上千名全球碳化硅半导体人才，致力于建设国内产能领先的碳化硅一体化产业基地。项目聚焦第三代半导体功率器件的研发与制造，总投资预计超过200亿元。其中一期投资约80亿元，规划年产36万片6英寸碳化硅晶圆，投产后将极大提升我国碳化硅材料的自主供给能力。

项目自2023年9月1日开工建设，2024年6月实现主体结构封顶。2024年12月，首批核心设备完成搬入，标志着项目全面进入工艺验证阶段，朝着正式投产稳步推进。

碳化硅作为第三代半导体的核心材料，具备高温、高压、高频、低能耗等显著优势，广泛应用于新能源汽车、风电光伏储能、智能电网、数据中心、轨道交通等关键领域，被誉为“下一代功率半导体”，正成为推动新能源技术变革的关键驱动力。

据中国光谷消息，长飞先进武汉晶圆厂总经理李刚介绍，一片6英寸晶圆可切割出数百颗碳化硅芯片，足以满足5辆新能源车所需。该基地采用先进设备打造产线，芯片性能将大幅提升。达产后年产能达36万片，将显著缓解国内新能源汽车领域对高端功率芯片的迫切需求。