LG电子投资高端存储芯片多层堆叠的混合键设备市场，降低美国应用材料公司使用。

LG电子投资高端芯片多层堆叠的混合键设备市场，降低美国应用材料公司使用。LG电子计划进军高带宽存储器（HBM）用混合键合（Hybrid Bonder）设备市场，正式迈入半导体设备领域。是多层堆叠DRAM的HBM制造中必不可少的革新技术。LG电子旗下生产技术院（PRI）目前已启动HBM用混合键合设备的研发，并计划在2028年实现量产。LG电子计划与已涉足HBM制造设备市场的三星电子、韩华半导体技术以及韩美半导体展开激烈的技术竞争，引领尖端制造行业发展。

LG电子生产技术院原本设有专门研究半导体封装技术的团队。随着此次混合键合设备开发的启动，公司正在着手扩大相关团队规模，积极引进业内高级人才，同时与学界开展研究合作。当前LG电子正在与仁荷大学的混合键合研究团队推进联合项目。

混合键合设备是在连接多个芯片时使用的高端设备，技术等级远高于传统的热压键合（TC）设备。传统方法通过在芯片间设置凸点实现垂直连接，而混合键合技术则可实现无需凸点的芯片直接叠合，不仅大幅降低芯片厚度，同时减少发热，是多层堆叠DRAM的HBM制造中必不可少的革新技术。

目前该技术已在NAND闪存和系统半导体领域成功应用，但尚未在HBM中实现商业发展。因此，如果LG电子此次开发成功，不仅有望迅速实现销售增长，还有可能迅速跃升为半导体设备领域强者。加上LG电子正在通过强化B2B业务改善公司结构，一旦混合键合设备取得成功，则有望获得SK海力士、三星电子、日月光等公司订单。

在半导体混合键合设备领域，目前处于领先地位的是荷兰的Besi和美国的应用材料公司（Applied Materials）。HBM生产目前则主要由SK海力士与三星电子主导，并且两家企业均有强烈的设备本地化意愿，因此LG电子一旦具备足够的技术实力，就拥有充足的市场机会。

据悉，三星电子计划年内利用混合键合设备试产第六代HBM（HBM4），SK海力士也极有可能在第七代HBM（HBM4E）中引入该设备。三星目前正在通过子公司SEMES开发适用自家HBM产线的混合键合设备。韩华半导体技术则凭借今年向SK海力士供应热压键合设备，成功确立在半导体设备领域的地位，当前正在集中投资推动混合键合设备的商业化。

此前向SK海力士供应最多热压键合设备的韩美半导体也在推进混合键合设备的开发，公司上月宣布投资285亿韩元（约合人民币1.48亿元）建设专用工厂，全力备战未来市场竞争。