韩国团队研发量子点发光二极管高分辨率图案化新技术

近日，一项新型光刻技术为量子点显示的产业化进程扫清了关键障碍。该技术成功解决了在实现超高分辨率图案化的同时，如何保持量子点发光二极管（QD-LED）优异光学性能这一长期难题。

传统工艺往往在分辨率和性能之间难以兼顾。为此，研究团队开发出一种名为“光交联混合发光层（b-EML）”的无损直接光刻方法。其核心在于将量子点与一种紫外线响应聚合物混合，通过光照使聚合物瞬间交联形成稳固网络，从而精准固定并保护量子点，后续仅需温和溶剂即可显影出精细图案，全程避免了损伤性化学处理。

此项技术展现出卓越性能：图案分辨率超过10,000 PPI，并能在4英寸晶圆上制备出像素密度高于1,000 PPI的全彩量子点阵列，完全契合AR/VR等近眼设备对极致清晰度的要求。得益于结构优化，器件发光效率提升1.7倍，运行寿命延长近3倍。

该突破性技术不仅为下一代微型显示器的量产铺平道路，其通用性也为集成光电芯片等领域提供了新方案。研究成果已发表于《先进功能材料》期刊，标志着量子点显示从实验室走向商业应用的关键一步。